English

6 လက်မ HPSI SiC အလွှာ wafer Silicon Carbide တစ်ပိုင်းစော်ကားသော SiC wafers

6 လက်မ HPSI SiC အလွှာ wafer Silicon Carbide တစ်ပိုင်းစော်ကားသော SiC wafers အထူးအသားပေးပုံ
  • 6 လက်မ HPSI SiC အလွှာ wafer Silicon Carbide တစ်ပိုင်းစော်ကားသော SiC wafers
  • 6 လက်မ HPSI SiC အလွှာ wafer Silicon Carbide တစ်ပိုင်းစော်ကားသော SiC wafers

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

အရည်အသွေးမြင့် တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲ SiC wafer (SICC မှ Silicon Carbide) အီလက်ထရွန်နစ်နှင့် optoelectronic လုပ်ငန်းအထိ။3inch SiC wafer သည် မျိုးဆက်သစ် ဆီလီကွန်-ကာဘိုင် wafers များ၊ semi-insulating silicon-carbide wafers များဖြစ်သည်။wafers များသည် ပါဝါ၊ RF နှင့် optoelectronics ကိရိယာများ ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် ရည်ရွယ်ပါသည်။


ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

PVT Silicon Carbide Crystal SiC ကြီးထွားမှုနည်းပညာ

SiC တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲအတွက် လက်ရှိ ကြီးထွားမှုနည်းလမ်းများတွင် အဓိကအားဖြင့် အောက်ပါသုံးမျိုးပါဝင်သည်- အရည်အဆင့်နည်းလမ်း၊ အပူချိန်မြင့်မားသော ဓာတုအငွေ့ထုတ်နည်းနှင့် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာအခိုးအငွေ့အဆင့် သယ်ယူပို့ဆောင်ရေးနည်းလမ်း (PVT) နည်းလမ်းတို့ဖြစ်သည်။၎င်းတို့အနက်၊ PVT နည်းလမ်းသည် SiC တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုအတွက် သုတေသနပြုပြီး အရင့်ကျက်ဆုံးနည်းပညာဖြစ်ပြီး ၎င်း၏နည်းပညာဆိုင်ရာအခက်အခဲများမှာ-

(1) SiC single crystals သည် မြင့်မားသောအပူချိန် 2300°C တွင် ပိတ်ထားသော ဂရက်ဖိုက်ခန်းအထက် "အစိုင်အခဲ-ဓာတ်ငွေ့-အစိုင်အခဲ" အဖြစ်ပြောင်းလဲခြင်း recrystallisation လုပ်ငန်းစဉ်ကို အပြီးသတ်ရန်၊ ကြီးထွားမှုသံသရာသည် ရှည်လျားပြီး၊ ထိန်းချုပ်ရန် ခက်ခဲပြီး microtubules များပါဝင်မှု နှင့်၊ အခြားချို့ယွင်းချက်။

(2) Silicon carbide တစ်ခုတည်းသော crystal အမျိုးအစား 200 ကျော် အပါအဝင် မတူညီသော crystal အမျိုးအစားများ ဖြစ်သော်လည်း ယေဘူယျအားဖြင့် crystal တစ်မျိုးတည်းသာ ထုတ်လုပ်ခြင်းဖြစ်ပြီး crystal type အသွင်ပြောင်းထုတ်လုပ်ရန် လွယ်ကူသော ကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်တွင် multi-type inclusions အပြစ်အနာအဆာများကို ဖြစ်ပေါ်စေသည့် တစ်ခုတည်းသော ပြင်ဆင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်၊ တိကျသော crystal အမျိုးအစားသည် လုပ်ငန်းစဉ်၏တည်ငြိမ်မှုကို ထိန်းချုပ်ရန်ခက်ခဲသည်၊ ဥပမာ၊ 4H-type ၏ လက်ရှိပင်မရေစီးကြောင်းဖြစ်သည်။

(3) Silicon carbide တစ်ခုတည်းသော crystal growth thermal field သည် temperature gradient ရှိပြီး crystal growth process တွင် မူလအတွင်းစိတ်ဖိစီးမှုရှိလာပြီး ရလဒ် dislocations, faults and other defects induced.

(4) Silicon carbide တစ်ခုတည်းသော crystal ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်သည် အလွန်မြင့်မားသောသန့်ရှင်းစင်ကြယ်သော semi-insulating crystal သို့မဟုတ် directionally doped conductive crystal ကိုရရှိရန်အတွက် ပြင်ပအညစ်အကြေးများကို တင်းကြပ်စွာထိန်းချုပ်ရန်လိုအပ်ပါသည်။RF စက်များတွင်အသုံးပြုသော semi- insulating silicon carbide substrates များအတွက်၊ အလွန်နိမ့်သောညစ်ညမ်းမှုအာရုံစူးစိုက်မှုနှင့် crystal ရှိအမှတ်ချို့ယွင်းချက်အမျိုးအစားများကိုထိန်းချုပ်ခြင်းဖြင့်လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများကိုရရှိရန်လိုအပ်သည်။

အသေးစိတ် ပုံကြမ်း

6 လက်မ HPSI SiC အလွှာ wafer Silicon Carbide တစ်ပိုင်းစော်ကားသော SiC wafers1
6 လက်မ HPSI SiC အလွှာ wafer Silicon Carbide တစ်ပိုင်းစော်ကားသော SiC wafers2
  • ယခင်-
  • နောက်တစ်ခု:
    • သင့်စာကို ဤနေရာတွင် ရေးပြီး ကျွန်ုပ်တို့ထံ ပေးပို့ပါ။

    ထုတ်ကုန်အမျိုးအစားများ

    ရှာဖွေရန် Enter သို့မဟုတ် ESC ကိုပိတ်ရန် နှိပ်ပါ။