သတ္တု တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲပစ္စည်း

ကြေးနီအလွှာ ကော့ပါးကုဗ တစ်ကိုယ်ရေ ပုံဆောင်ခဲ Cu wafer 100 110 111 Orientation SSP DSP သန့်စင်မှု 99.99%
ကြေးနီအလွှာ တစ်ခုတည်း ကြည်လင်သော Cu wafer 5x5x0.5/1mm 10x10x0.5/1mm 20x20x0.5/1mm
နီကယ်ဝေဖာ Ni အလွှာ 5x5x0.5/1mm 10x10x0.5/1mm 20x20x0.5/1mm
Ni Substrate/wafer တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲ ကုဗဖွဲ့စည်းပုံ a=3.25A သိပ်သည်းဆ 8.91
မဂ္ဂနီစီယမ် တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲအလွှာ Mg wafer သန့်စင်မှု 99.99% 5x5x0.5/1mm 10x10x0.5/1mm20x20x0.5/1mm
မဂ္ဂနီဆီယမ် တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲ Mg wafer DSP SSP လမ်းညွှန်
အလူမီနီယမ်သတ္တု တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲအလွှာကို ပွတ်တိုက်ပြီး ပေါင်းစပ်ပတ်လမ်းထုတ်လုပ်ခြင်းအတွက် အတိုင်းအတာဖြင့် လုပ်ဆောင်သည်။
အလူမီနီယမ်အလွှာ တစ်ခုတည်း ပုံဆောင်ခဲ အလူမီနီယံ အလွှာ တိမ်းညွှတ်မှု 111 100 111 5×5×0.5mm