MOS သို့မဟုတ် SBD ထုတ်လုပ်မှုသုတေသနနှင့် Dummy အဆင့်အတွက် 6 လက်မ 150mm Silicon Carbide SiC Wafers 4H-N အမျိုးအစား

MOS သို့မဟုတ် SBD ထုတ်လုပ်မှုသုတေသနအတွက် 6 လက်မ 150mm Silicon Carbide SiC Wafers 4H-N အမျိုးအစား

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

6 လက်မအရွယ် ဆီလီကွန်ကာဘိုင်သည် ပုံဆောင်ခဲတစ်လုံးတည်းရှိသော အလွှာတစ်ခုဖြစ်ပြီး အလွန်ကောင်းမွန်သော ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတုဂုဏ်သတ္တိများရှိသော စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။သန့်ရှင်းမှုမြင့်မားသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက် တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲပစ္စည်းဖြင့် ထုတ်လုပ်ထားပြီး သာလွန်ကောင်းမွန်သော အပူစီးကူးမှု၊ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ တည်ငြိမ်မှုနှင့် အပူချိန်မြင့်မားမှုကို ပြသထားသည်။တိကျသောကုန်ထုတ်လုပ်ငန်းစဉ်များနှင့် အရည်အသွေးမြင့်ပစ္စည်းများဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည့် ဤအလွှာသည် နယ်ပယ်အသီးသီးတွင် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများကို ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် ဦးစားပေးပစ္စည်းဖြစ်လာခဲ့သည်။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ။

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

လျှောက်လွှာနယ်ပယ်များ

6 လက်မအရွယ် ဆီလီကွန်ကာဘိုင်သည် တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲအလွှာသည် လုပ်ငန်းများစွာတွင် အရေးပါသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။ပထမဦးစွာ၊ ၎င်းအား တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးစက်လုပ်ငန်းတွင် ပါဝါထရန်စစ္စတာများ၊ ပေါင်းစည်းထားသော ဆားကစ်များနှင့် ပါဝါ module များကဲ့သို့သော ပါဝါမြင့်အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများကို ဖန်တီးရန်အတွက် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုသည်။၎င်း၏ မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှုနှင့် အပူချိန်မြင့်မားမှုတို့ကို ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်းက ပိုမိုကောင်းမွန်သော အပူကို စုပ်ယူနိုင်စေပြီး စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို တိုးတက်စေသည်။ဒုတိယအနေဖြင့်၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် wafers များသည် ပစ္စည်းအသစ်များနှင့် စက်ကိရိယာများ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် သုတေသနနယ်ပယ်တွင် မရှိမဖြစ်လိုအပ်ပါသည်။ထို့အပြင်၊ ဆီလီကွန်ကာဘိုင် wafer သည် LEDs နှင့် laser diodes များထုတ်လုပ်ခြင်းအပါအဝင် optoelectronics နယ်ပယ်တွင်ကျယ်ပြန့်သောအသုံးချမှုများကိုတွေ့ရှိသည်။

ကုန်ပစ္စည်းသတ်မှတ်ချက်များ

6 လက်မအရွယ် ဆီလီကွန်ကာဘိုင် တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲအလွှာသည် အချင်း 6 လက်မ (152.4 မီလီမီတာ) ရှိသည်။မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းမှုသည် Ra < 0.5 nm ရှိပြီး အထူမှာ 600 ± 25 μm ဖြစ်သည်။ဖောက်သည်လိုအပ်ချက်ပေါ်မူတည်၍ အလွှာကို N-type သို့မဟုတ် P-type conductivity ဖြင့် စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်သည်။ထို့အပြင်၊ ၎င်းသည် ဖိအားနှင့် တုန်ခါမှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိသော ထူးခြားသည့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ တည်ငြိမ်မှုကို ပြသသည်။

အချင်း		150±2.0mm (6လက်မ)
အထူ		350 μm±25μm
တိမ်းညွှတ်မှု		ဝင်ရိုးပေါ် : <0001>±0.5°		ဝင်ရိုးပိတ်: 4.0° 1120±0.5°ဆီသို့
Polytype		4H
ခုခံနိုင်စွမ်း (Ω·စင်တီမီတာ)	4H-N	0.015~0.028 Ω·cm/0.015~0.025ohm·cm
	4/6H-SI	>1E5
မူလတန်းပြန့်ပြူးသော တိမ်းညွှတ်မှု		{10-10}±5.0°
မူလအလျား (မီလီမီတာ)		47.5 မီလီမီတာ ± 2.5 မီလီမီတာ
အစွန်း		ချမ်ဖာ
TTV/Bow/Warp (အမ်)		≤15 /≤40 /≤60
AFM ရှေ့မျက်နှာစာ (Si-face)		ပိုလန် Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0.5 nm
LTV		≤3μm(10mm*10mm)	≤5μm(10mm*10mm)		≤10μm(10mm*10mm)
TTV		≤5μm	≤10μm		≤15μm
လိမ္မော်ခွံ/ကျင်း/အက်ကွဲ/ညစ်ညမ်း/အစွန်းအထင်း/အစွန်းအထင်းများ		တစ်ခုမှ	တစ်ခုမှ		တစ်ခုမှ
အင်တင်းများ		တစ်ခုမှ	တစ်ခုမှ		တစ်ခုမှ

6 လက်မအရွယ် ဆီလီကွန်ကာဘိုင်သည် ပုံဆောင်ခဲတစ်မျိုးတည်းရှိသော အလွှာတစ်ခုဖြစ်ပြီး ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ၊ သုတေသန၊ andoptoelectronics လုပ်ငန်းများတွင် အသုံးများသော စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်ပစ္စည်းဖြစ်သည်။၎င်းသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူစီးကူးမှု၊ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ တည်ငြိမ်မှုနှင့် အပူချိန်မြင့်မားသော ခံနိုင်ရည်တို့ကို ပေးစွမ်းသောကြောင့် စွမ်းအားမြင့် အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများကို တီထွင်ဖန်တီးမှုနှင့် ပစ္စည်းအသစ်များကို သုတေသနပြုရန်အတွက် သင့်လျော်သည်။ကျွန်ုပ်တို့သည် မတူကွဲပြားသော ဖောက်သည်များ၏ တောင်းဆိုချက်များကို ဖြည့်ဆည်းရန် အမျိုးမျိုးသော သတ်မှတ်ချက်များနှင့် စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်မှု ရွေးချယ်မှုများကို ပေးပါသည်။ဆီလီကွန်ကာဗိုက် wafers များအကြောင်း နောက်ထပ်အသေးစိတ်အချက်အလက်များအတွက် ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ပါ။