4H-N 4 လက်မ SiC အလွှာ wafer Silicon Carbide ထုတ်လုပ်မှု Dummy သုတေသနအဆင့်

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

4 လက်မအရွယ် ဆီလီကွန်ကာဘိုင် တစ်ခုတည်းသော crystal substrate wafer သည် ထင်ရှားသော ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတုဂုဏ်သတ္တိများရှိသော စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။၎င်းကို အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူစီးကူးမှု၊ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ တည်ငြိမ်မှုနှင့် မြင့်မားသော အပူချိန်ခံနိုင်ရည်တို့နှင့်အတူ သန့်ရှင်းမြင့်မြတ်သော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်တစ်ခုတည်းဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည်။၎င်း၏ တိကျသေချာသော ပြင်ဆင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်နှင့် အရည်အသွေးမြင့်ပစ္စည်းများကြောင့်၊ ဤချစ်ပ်သည် နယ်ပယ်များစွာတွင် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် အီလက်ထရွန်နစ်ကိရိယာများ ပြင်ဆင်မှုအတွက် ဦးစားပေးပစ္စည်းများထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ။

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

လျှောက်လွှာများ

4 လက်မအရွယ် ဆီလီကွန်ကာဘိုင် တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲအလွှာ wafer များသည် နယ်ပယ်များစွာတွင် အရေးကြီးသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။ပထမဦးစွာ၊ ၎င်းအား တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးစက်လုပ်ငန်းတွင် ပါဝါထရန်စစ္စတာများ၊ ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များနှင့် ပါဝါ module များကဲ့သို့သော ပါဝါထရန်စစ္စတာများကဲ့သို့သော ပါဝါမြင့်မားသော အီလက်ထရွန်နစ်ကိရိယာများ ပြင်ဆင်မှုတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုသည်။၎င်း၏မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှုနှင့်အပူချိန်မြင့်မားသောခုခံမှုတို့က၎င်းသည်အပူကိုပိုမိုကောင်းမွန်စွာစုပ်ယူနိုင်ပြီးပိုမိုထိရောက်မှုနှင့်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကိုပေးစွမ်းသည်။ဒုတိယအနေဖြင့်၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် wafers များကို သုတေသနနယ်ပယ်တွင် ပစ္စည်းများနှင့် ကိရိယာအသစ်များကို သုတေသနပြုရန်အတွက်လည်း အသုံးပြုပါသည်။ထို့အပြင်၊ ဆီလီကွန်ကာဘိုင်ဝေဖာများကို leds နှင့် laser diodes များထုတ်လုပ်ခြင်းကဲ့သို့သော optoelectronics များတွင်လည်း အသုံးများသည်။

4inch SiC wafer ၏သတ်မှတ်ချက်များ

4 လက်မအရွယ် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲအလွှာ wafer အချင်း 4 လက်မ (101.6 မီလီမီတာခန့်)၊ မျက်နှာပြင် အပြီးသတ် Ra < 0.5 nm အထိ၊ အထူ 600±25 μm။wafer ၏ conductivity သည် N အမျိုးအစား သို့မဟုတ် P အမျိုးအစားဖြစ်ပြီး ဖောက်သည်လိုအပ်ချက်အရ စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်သည်။ထို့အပြင် ချစ်ပ်သည် အလွန်ကောင်းမွန်သော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာတည်ငြိမ်မှုရှိပြီး ဖိအားနှင့် တုန်ခါမှုအချို့ကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။

တစ်လက်မ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲအလွှာ wafer သည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ၊ သုတေသနနှင့် optoelectronics နယ်ပယ်များတွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုသည့် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။၎င်းတွင် အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူစီးကူးမှု၊ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ တည်ငြိမ်မှုနှင့် မြင့်မားသော အပူချိန်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့် စွမ်းအားမြင့် အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ ပြင်ဆင်မှုနှင့် ပစ္စည်းအသစ်များကို သုတေသနပြုရန်အတွက် သင့်လျော်သည်။ကျွန်ုပ်တို့သည် သုံးစွဲသူများ၏ လိုအပ်ချက်အမျိုးမျိုးကို ဖြည့်ဆည်းပေးရန်အတွက် သတ်မှတ်ချက်များနှင့် စိတ်ကြိုက်ရွေးချယ်စရာများကို ပေးဆောင်ပါသည်။ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဝေဖာများ၏ ထုတ်ကုန်အချက်အလက်များအကြောင်း ပိုမိုလေ့လာရန် ကျွန်ုပ်တို့၏ သီးခြားဆိုက်ကို အာရုံစိုက်ပါ။

အဓိက လုပ်ဆောင်ချက်များ- ဆီလီကွန်ကာဘိုင် wafers၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် တစ်ခုတည်းသော crystal substrate wafers၊ 4 လက်မ၊ အပူစီးကူးမှု၊ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ တည်ငြိမ်မှု၊ အပူချိန် မြင့်မားစွာ ခံနိုင်ရည်ရှိမှု၊ ပါဝါစစ္စတာများ၊ ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များ၊ ပါဝါ modules၊ leds၊ လေဆာ diodes၊ မျက်နှာပြင် အပြီးသတ်၊ လျှပ်ကူးနိုင်မှု၊ စိတ်ကြိုက်ရွေးချယ်မှုများ