4 လက်မ-12 လက်မ Sapphire/SiC/Si Wafers လုပ်ဆောင်မှုအတွက် Wafer Thinning ကိရိယာ

4 လက်မ-12 လက်မ Sapphire/SiC/Si Wafers Processing အတွက် Wafer ပါးလွှာသည့် ပစ္စည်း

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

Wafer Thinning Equipment သည် အပူစီမံခန့်ခွဲမှု၊ လျှပ်စစ်စွမ်းဆောင်မှုနှင့် ထုပ်ပိုးမှုစွမ်းဆောင်ရည်ကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် လုပ်ဆောင်ရန်အတွက် wafer အထူကို လျှော့ချရန်အတွက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် အရေးပါသောကိရိယာတစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤစက်ပစ္စည်းသည် အလွန်တိကျသောအထူထိန်းချုပ်မှု (±0.1 μm) နှင့် 4-12 လက်မ wafers တို့နှင့် လိုက်ဖက်မှုရှိစေရန်အတွက် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာကြိတ်ခွဲခြင်း၊ ဓာတုဗေဒစက်ပွတ်ခြင်း (CMP) နှင့် ခြောက်သွေ့/စိုစွတ်သော ခြစ်ခြင်းနည်းပညာများကို အသုံးပြုထားသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏စနစ်များသည် C/A-plane orientation ကို ပံ့ပိုးထားပြီး 3D IC များ၊ ပါဝါကိရိယာများ (IGBT/MOSFETs) နှင့် MEMS အာရုံခံကိရိယာများကဲ့သို့သော အဆင့်မြင့်အပလီကေးရှင်းများအတွက် အံဝင်ခွင်ကျဖြစ်စေပါသည်။

XKH သည် စိတ်ကြိုက်ကိရိယာများ (2–12-လက်မ wafer လုပ်ဆောင်ခြင်း)၊ လုပ်ငန်းစဉ် အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် (ချို့ယွင်းချက်သိပ်သည်းဆ <100/cm²) နှင့် နည်းပညာဆိုင်ရာ လေ့ကျင့်ရေးများ အပါအဝင် အပြည့်အဝဖြေရှင်းချက်များကို ပေးဆောင်ပါသည်။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ။

အင်္ဂါရပ်များ

အလုပ်အခြေခံ

wafer ပါးလွှာခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်သည် အဆင့်သုံးဆင့်ဖြင့် လုပ်ဆောင်သည်။
ကြမ်းတမ်းသောကြိတ်ခြင်း- စိန်ဘီး (အကြမ်းအရွယ်အစား 200-500 μm) သည် အထူကို လျင်မြန်စွာလျှော့ချရန် 3000-5000 rpm တွင် ပစ္စည်း 50-150 μm ကို ဖယ်ရှားပေးပါသည်။
အနုမြူကြိတ်ခြင်း- အနုစိတ်သောဘီး (grit အရွယ်အစား 1-50 μm) သည် အထူကို 20-50 μm/s တွင် <1 μm/s တွင် လျှော့ချပေးပါသည်။
Polishing (CMP)- ဓာတု-စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ slurry သည် ကြွင်းကျန်နေသော ပျက်စီးမှုကို ဖယ်ရှားပေးပြီး Ra <0.1 nm ကို ရရှိသည်။

လိုက်ဖက်သောပစ္စည်းများ

Silicon (Si): CMOS wafers အတွက် Standard၊ 3D stacking အတွက် 25 μm အထိ ပါးလွှာသည်။
Silicon Carbide (SiC) - အပူတည်ငြိမ်မှုအတွက် အထူးပြုစိန်ဘီးများ (80% စိန်အာရုံခံနိုင်ရည်) လိုအပ်သည်။
နီလာ (Al₂O₃): UV LED အက်ပ်များအတွက် 50 μm အထိ ပါးလွှာသည်။

Core System အစိတ်အပိုင်းများ

၁။ ကြိတ်ခြင်းစနစ်
Dual-Axis Grinder- ပလပ်ဖောင်းတစ်ခုတည်းတွင် အကြမ်း/အနုကြိတ်ကြိတ်ခြင်းကို ပေါင်းစပ်ပြီး စက်လည်ပတ်ချိန်ကို 40% လျှော့ချသည်။
Aerostatic Spindle: 0-6000 rpm အမြန်နှုန်းအကွာအဝေး <0.5 μm radial runout ရှိသည်။

၂။ Wafer ကိုင်တွယ်မှုစနစ်
ဖုန်စုပ်စက်- ±0.1 μm နေရာချထားမှုတိကျမှုနှင့်အတူ 50 N ကိုင်ဆွဲအား။
စက်ရုပ်လက်တံ- 100 mm/s ဖြင့် 4-12 လက်မ wafer များကို ပို့ဆောင်ပေးသည်။

၃။ ထိန်းချုပ်မှုစနစ်
Laser Interferometry- အချိန်နှင့်တပြေးညီ အထူစောင့်ကြည့်ခြင်း (resolution 0.01 μm)။
AI-Driven Feedforward- ဘီးပေါက်ခြင်းကို ခန့်မှန်းပြီး ဘောင်များကို အလိုအလျောက်ချိန်ညှိပေးသည်။

၄။ အအေးခံခြင်းနှင့် သန့်ရှင်းရေး
Ultrasonic Cleaning - 99.9% ထိရောက်မှုဖြင့် အမှုန်အမွှားများ >0.5 μm ကို ဖယ်ရှားပေးသည်။
Deionized Water- wafer သည် ပတ်ဝန်းကျင်အထက် <5°C အထိ အေးစေသည်။

အဓိက အားသာချက်များ

၁။ အလွန်တိကျသောတိကျမှု- TTV (စုစုပေါင်းအထူပြောင်းလဲမှု) <0.5 μm၊ WTW (Within-Wafer Thickness Variation) <1 μm။

၂။ Multi-Process Integration- စက်တစ်ခုတည်းတွင် ကြိတ်ခွဲခြင်း၊ CMP နှင့် ပလာစမာ ခြစ်ခြင်းတို့ကို ပေါင်းစပ်ထားသည်။

၃။ ပစ္စည်း လိုက်ဖက်မှု-
ဆီလီကွန်- အထူ 775 μm မှ 25 μm သို့ လျှော့ချခြင်း။
SiC- RF အက်ပလီကေးရှင်းများအတွက် <2 μm TTV ကို ရရှိသည်။
Doped Wafers - <5% ခံနိုင်ရည်ရှိမှုပျံ့လွင့်မှုရှိသော Phosphorus-doped InP wafers။

၄။ Smart Automation- MES ပေါင်းစပ်မှုသည် လူသားအမှားကို 70% လျှော့ချပေးသည်။

၅။ စွမ်းအင်ထိရောက်မှု- ပြန်လည်ထုတ်ပေးသည့် ဘရိတ်စနစ်မှတစ်ဆင့် ပါဝါသုံးစွဲမှု 30% လျော့နည်းသည်။

အဓိက အသုံးချမှုများ

1. အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးမှု
• 3D IC များ- Wafer ပါးလွှာခြင်းသည် ယုတ္တိဗေဒ/မှတ်ဉာဏ် ချစ်ပ်များ (ဥပမာ၊ HBM stacks) ၏ ဒေါင်လိုက်အစီအစဥ်ကို ပံ့ပိုးပေးနိုင်ပြီး 10× ပိုမိုမြင့်မားသော bandwidth ကိုရရှိပြီး 2.5D ဖြေရှင်းချက်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ပါဝါသုံးစွဲမှု 50% လျော့ကျစေသည်။ စက်ပစ္စည်းသည် ဟိုက်ဘရစ်ချိတ်ဆက်ခြင်းနှင့် TSV (Through-Silicon Via) ပေါင်းစပ်မှုကို ပံ့ပိုးပေးသည်၊၊ AI/ML ပရိုဆက်ဆာများအတွက် အရေးပါသော <10 μm အပြန်အလှန်ချိတ်ဆက်မှု pitch လိုအပ်ပါသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ 12 လက်မအရွယ် wafer များသည် 25 μm အထိ ပါးလွှာသော 8+ အလွှာများကို မော်တော်ယာဥ် LiDAR စနစ်များအတွက် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော စစ်ပွဲများကို ထိန်းသိမ်းထားစဉ်တွင် 8+ အလွှာများကို စည်းထားနိုင်သည်။

• Fan-Out Packaging- wafer အထူ 30 μm ကို လျှော့ချခြင်းဖြင့် အပြန်အလှန်ချိတ်ဆက်မှု အရှည်ကို 50% ဖြင့် အတိုချုံ့ပြီး အချက်ပြနှောင့်နှေးမှု (<0.2 ps/mm) ကို လျှော့ချပြီး 0.4 မီလီမီတာ အလွန်ပါးလွှာသော chiplets ကို မိုဘိုင်း SoCs အတွက် ဖွင့်ပေးသည်။ လုပ်ငန်းစဉ်သည် warpage (>50 μm TTV ထိန်းချုပ်မှု) ကိုကာကွယ်ရန်၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့် RF အက်ပ်လီကေးရှင်းများတွင် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုသေချာစေရန် လုပ်ငန်းစဉ်သည် ဖိအားပေးသည့်ကြိတ်ခွဲခြင်းဆိုင်ရာ အယ်လဂိုရီသမ်များကို အသုံးချသည်။

2. ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်
• IGBT မော်ဂျူးများ- 50 μm အထိ ပါးလွှာခြင်းသည် <0.5°C/W တွင် အပူခံနိုင်ရည်အား လျော့နည်းစေပြီး 1200V SiC MOSFETs များကို 200°C လမ်းဆုံအပူချိန်တွင် လည်ပတ်စေပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏စက်ပစ္စည်းသည် ဘက်စုံကြိတ်ကြိတ်ခြင်း (ကြမ်း- 46 μm grit → ဒဏ်ငွေ- 4 μm grit) ကိုအသုံးပြုထားပြီး၊ အပူစက်ဘီးစီးခြင်း၏ယုံကြည်စိတ်ချရမှု 10,000 လည်ပတ်မှုကိုရရှိစေရန်အတွက်၊ 10 µm ထူသော SiC wafers များသည် switching speed ကို 30% မြှင့်တင်ပေးသည့် EV အင်ဗာတာများအတွက် အရေးကြီးပါသည်။
• GaN-on-SiC ပါဝါကိရိယာများ- 80 μm အထိ ဝါးပါးလွှာခြင်းသည် 650V GaN HEMTs အတွက် အီလက်ထရွန် ရွေ့လျားနိုင်မှု (μ > 2000 cm²/V·s) ကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေပြီး လျှပ်ကူးပစ္စည်း ဆုံးရှုံးမှု 18% ကို လျှော့ချပေးသည်။ လုပ်ငန်းစဉ်သည် ပါးလွှာစဉ်အတွင်း ကွဲအက်ခြင်းကို တားဆီးရန်၊ RF ပါဝါအမ်ပီယာအတွက် <5 µm edge chipping ကို ရရှိစေရန် လေဆာ-ထောက်ကူဒိုင်စီစီကို အသုံးပြုသည်။

3. Optoelectronics
• GaN-on-SiC LED များ- 50 μm နီလာအလွှာများသည် ဖိုတွန်ထောင်ချောက်များကို လျှော့ချခြင်းဖြင့် အလင်းထုတ်ယူမှုစွမ်းဆောင်ရည် (LEE) ကို 85% (vs. 65% အထိ) တိုးတက်စေသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏စက်ပစ္စည်း၏ အလွန်နိမ့်သော TTV ထိန်းချုပ်မှု (<0.3 μm) သည် 12 လက်မအရွယ် wafers များတစ်လျှောက် LED ထုတ်လွှတ်မှုကို သေချာစေသည်၊၊ Micro-LED မျက်နှာပြင်များသည် <100nm လှိုင်းအလျားတူညီမှုလိုအပ်သော အရေးကြီးပါသည်။
• Silicon Photonics- 25μm-အထူဆီလီကွန် wafers များသည် 1.6 Tbps optical transceivers အတွက် မရှိမဖြစ် လိုအပ်သော waveguides များတွင် 3 dB/cm နိမ့်သော ပြန့်ပွားမှုဆုံးရှုံးမှုကို ဖြစ်ပေါ်စေပါသည်။ လုပ်ငန်းစဉ်သည် မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းမှုကို Ra <0.1 nm သို့လျှော့ချရန် CMP ချောမွေ့အောင် ပေါင်းစပ်ထားပြီး ချိတ်ဆက်မှုစွမ်းဆောင်ရည်ကို 40% မြှင့်တင်ပေးသည်။

4. MEMS အာရုံခံကိရိယာများ
• Accelerometers- 25 μm ဆီလီကွန် wafers များသည် proof-mass displacement sensitivity ကိုတိုးမြှင့်ခြင်းဖြင့် 50 μm wafers အတွက် SNR >85 dB (vs. 75 dB) ကို ရရှိသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ဝင်ရိုးနှစ်ကြောင်းကြိတ်ခြင်းစနစ်သည် စိတ်ဖိစီးမှုအရောင်ဖျော့ဖျော့များအတွက် လျော်ကြေးပေးကာ <0.5% sensitivity ကို -40°C မှ 125°C ထက်ကျော်လွန်သွားစေရန် သေချာစေပါသည်။ အပလီကေးရှင်းများတွင် မော်တော်ယာဥ်ပျက်ကျမှုကို ထောက်လှမ်းခြင်းနှင့် AR/VR လှုပ်ရှားမှု ခြေရာခံခြင်း ပါဝင်သည်။

• ဖိအားအာရုံခံကိရိယာများ- 40 μm အထိ ပါးလွှာခြင်းသည် <0.1% FS hysteresis ဖြင့် 0-300 bar တိုင်းတာမှုအပိုင်းများကို လုပ်ဆောင်ပေးသည်။ ယာယီနှောင်ကြိုးများ (glass carriers) ကိုအသုံးပြုခြင်းဖြင့် လုပ်ငန်းစဉ်သည် စက်မှု IoT အာရုံခံကိရိယာများအတွက် <1 μm overpressure tolerance ကိုရရှိပြီး နောက်ဘက် etching လုပ်နေစဉ် wafer ကျိုးခြင်းကို ရှောင်ရှားသည်။

• နည်းပညာပိုင်းဆိုင်ရာပေါင်းစပ်မှု- ကျွန်ုပ်တို့၏ wafer ပါးလွှာသည့်ကိရိယာသည် မတူကွဲပြားသောပစ္စည်းစိန်ခေါ်မှုများ (Si၊ SiC၊ Sapphire) ကိုဖြေရှင်းရန် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာကြိတ်ခွဲခြင်း၊ CMP နှင့် ပလာစမာ ခြစ်ခြင်းတို့ကို ပေါင်းစပ်ပေးပါသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ GaN-on-SiC သည် မာကျောမှုနှင့် အပူပိုင်းချဲ့ထွင်မှုကို ဟန်ချက်ညီစေရန် ပေါင်းစပ်ကြိတ်ခွဲခြင်း (စိန်ဘီးများ + ပလာစမာ) လိုအပ်ပြီး MEMS အာရုံခံကိရိယာများသည် CMP ပွတ်ခြင်းဖြင့် sub-5 nm မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းမှုကို တောင်းဆိုပါသည်။

• လုပ်ငန်းသက်ရောက်မှု- ပိုမိုပါးလွှာပြီး စွမ်းဆောင်ရည်ပိုမြင့်သော wafers များကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့်၊ ဤနည်းပညာသည် AI ချစ်ပ်များ၊ 5G mmWave မော်ဂျူးများနှင့် ခေါက်နိုင်သော အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများတွင် ဆန်းသစ်တီထွင်မှုများကို မောင်းနှင်ပေးပါသည်။ TTV tolerance <0.1 μm နှင့် မော်တော်ယာဥ် LiDAR အာရုံခံကိရိယာများအတွက် <0.5 μm။

XKH ၏ဝန်ဆောင်မှုများ

1. စိတ်ကြိုက်ဖြေရှင်းနည်းများ
အရွယ်စားနိုင်သောဖွဲ့စည်းပုံများ- အလိုအလျောက်တင်/ထုတ်လုပ်ခြင်းဖြင့် 4-12-လက်မ အခန်း ဒီဇိုင်းများ။
Doping ပံ့ပိုးမှု- Er/Yb-doped crystals နှင့် InP/GaAs wafers အတွက် စိတ်ကြိုက်ချက်ပြုတ်နည်းများ။

၂။ End-to-End ပံ့ပိုးမှု
လုပ်ငန်းစဉ်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှု- ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ခြင်းဖြင့် အခမဲ့အစမ်းသုံးနိုင်သည်။
ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာလေ့ကျင့်ရေး- ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းခြင်းနှင့် ပြဿနာဖြေရှင်းခြင်းဆိုင်ရာ နည်းပညာဆိုင်ရာ အလုပ်ရုံဆွေးနွေးပွဲများကို နှစ်စဉ်ပြုလုပ်သည်။

၃။ Multi-Material Processing
SiC- Ra <0.1 nm ဖြင့် 100 μm အထိ ပါးလွှာသည်။
နီလာ- ခရမ်းလွန်လေဆာပြတင်းပေါက်များအတွက် 50μm အထူ (ထုတ်လွှင့်မှု > 92% @ 200 nm)။

၄။ တန်ဖိုးမြှင့်ဝန်ဆောင်မှုများ
စားသုံးနိုင်သောထောက်ပံ့ရေး- စိန်ဘီးများ (2000+ wafers/life) နှင့် CMP slurries။

နိဂုံး

ဤ wafer ပါးလွှာသည့်ကိရိယာသည် 3D ပေါင်းစပ်မှုနှင့် ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများအတွက် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော တိကျမှု၊ ဘက်စုံသုံးပစ္စည်းများ ဘက်စုံအသုံးပြုနိုင်မှု၊ နှင့် စမတ်ကျသော အလိုအလျောက်စနစ်တို့ကို ဖြည့်ဆည်းပေးသည်။ XKH ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်ဝန်ဆောင်မှုများ—စိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်ခြင်းမှစပြီး စီမံဆောင်ရွက်ပေးခြင်းအထိ—ဖောက်သည်များသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် ကုန်ကျစရိတ်ထိရောက်မှုနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ထူးချွန်မှုကို ရရှိစေရန် အာမခံပါသည်။