၄ လက်မမှ ၁၂ လက်မအထိ Sapphire/SiC/Si ဝေဖာများ ပြုလုပ်ရန်အတွက် ဝေဖာပါးလွှာစေသည့် စက်ပစ္စည်း

၁။ အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးမှု
• 3D ICs: Wafer thinning သည် logic/memory chips (ဥပမာ HBM stacks) များကို vertical stacking လုပ်နိုင်ပြီး 2.5D solutions များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက bandwidth 10x ပိုများပြီး power consumption 50% လျော့နည်းစေသည်။ ဤပစ္စည်းသည် hybrid bonding နှင့် <10 μm interconnect pitch လိုအပ်သော AI/ML processors များအတွက် အရေးကြီးသော TSV (Through-Silicon Via) integration ကို ပံ့ပိုးပေးသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ 25 μm အထိ thinning လုပ်ထားသော 12-inch wafers များသည် <1.5% warpage ကို ထိန်းသိမ်းထားစဉ် layer 8+ ကို stacking လုပ်ခွင့်ပြုပြီး automotive LiDAR systems များအတွက် မရှိမဖြစ်လိုအပ်ပါသည်။

• Fan-Out Packaging: wafer အထူကို 30 μm အထိ လျှော့ချခြင်းဖြင့် interconnect အရှည်ကို 50% တိုစေပြီး signal delay (<0.2 ps/mm) ကို အနည်းဆုံးဖြစ်စေပြီး မိုဘိုင်း SoC များအတွက် 0.4 mm အလွန်ပါးလွှာသော chiplet များကို ဖွင့်ပေးပါသည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်သည် stress-compensated grinding algorithms များကို အသုံးပြု၍ warpage (>50 μm TTV control) ကို ကာကွယ်ပြီး မြင့်မားသော frequency RF application များတွင် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို သေချာစေသည်။

၂။ ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ
• IGBT မော်ဂျူးများ- 50 μm အထိ ပါးလွှာစေခြင်းဖြင့် အပူခံနိုင်ရည်ကို <0.5°C/W အထိ လျော့ကျစေပြီး 1200V SiC MOSFETs များကို 200°C junction အပူချိန်များတွင် လည်ပတ်နိုင်စေပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ စက်ပစ္စည်းများသည် မြေအောက်မျက်နှာပြင်ပျက်စီးမှုကို ဖယ်ရှားရန်အတွက် multi-stage grinding (ကြမ်းတမ်းသော- 46 μm grit → အနုစိတ်- 4 μm grit) ကို အသုံးပြုပြီး အပူလည်ပတ်မှု ယုံကြည်စိတ်ချရမှု 10,000 ကြိမ်ထက်မနည်း ရရှိစေပါသည်။ ၎င်းသည် EV inverters များအတွက် အရေးကြီးပါသည်၊ ထိုတွင် 10 μm-အထူ SiC wafers များသည် switching speed ကို 30% တိုးတက်စေပါသည်။
• GaN-on-SiC ပါဝါကိရိယာများ- 80 μm အထိ Wafer ပါးလွှာစေခြင်းသည် 650V GaN HEMTs အတွက် အီလက်ထရွန် ရွေ့လျားနိုင်စွမ်း (μ > 2000 cm²/V·s) ကို မြှင့်တင်ပေးပြီး လျှပ်ကူးမှုဆုံးရှုံးမှုများကို 18% လျှော့ချပေးသည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်သည် ပါးလွှာစေစဉ် အက်ကွဲခြင်းကို ကာကွယ်ရန် လေဆာအကူအညီဖြင့် လှီးဖြတ်ထားသော အပိုင်းအစများကို အသုံးပြုပြီး RF ပါဝါချဲ့စက်များအတွက် <5 μm အနားသတ်ချစ်ပ်ခြင်းကို ရရှိစေပါသည်။

၃။ အော့ပတိုအီလက်ထရွန်းနစ်
• GaN-on-SiC LEDs: 50 μm sapphire substrates များသည် photon trapping ကို လျှော့ချခြင်းဖြင့် အလင်းထုတ်ယူမှုစွမ်းဆောင်ရည် (LEE) ကို 85% အထိ တိုးတက်ကောင်းမွန်စေသည် (150 μm wafers များအတွက် 65% နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက)။ ကျွန်ုပ်တို့၏ စက်ပစ္စည်း၏ အလွန်နိမ့်သော TTV ထိန်းချုပ်မှု (<0.3 μm) သည် 12-inch wafers များတွင် တစ်ပြေးညီ LED ထုတ်လွှတ်မှုကို သေချာစေပြီး <100nm wavelength တစ်ပြေးညီဖြစ်မှု လိုအပ်သော Micro-LED display များအတွက် အရေးကြီးပါသည်။
• ဆီလီကွန် ဖိုတနစ်စ်- ၂၅μm အထူရှိသော ဆီလီကွန် ဝေဖာများသည် 1.6 Tbps optical transceiver များအတွက် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော waveguides များတွင် ပျံ့နှံ့မှုဆုံးရှုံးမှုကို 3 dB/cm လျော့နည်းစေသည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်သည် မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းမှုကို Ra <0.1 nm အထိ လျှော့ချရန် CMP smoothing ကို ပေါင်းစပ်ထားပြီး ချိတ်ဆက်မှုစွမ်းဆောင်ရည်ကို ၄၀% မြှင့်တင်ပေးသည်။

၄။ MEMS အာရုံခံကိရိယာများ
• အရှိန်မြှင့်ကိရိယာ- ၂၅ μm ဆီလီကွန်ဝေဖာများသည် proof-mass displacement sensitivity ကို တိုးမြှင့်ခြင်းဖြင့် SNR >85 dB (50 μm ဝေဖာများအတွက် 75 dB vs.) ကို ရရှိစေသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ dual-axis grinding​​စနစ်သည် stress gradient များကို ပြန်လည်ဖြည့်ဆည်းပေးပြီး -40°C မှ 125°C အတွင်း <0.5% sensitivity drift ကို သေချာစေသည်။ အသုံးချမှုများတွင် မော်တော်ကားတိုက်မှု ထောက်လှမ်းခြင်းနှင့် AR/VR ရွေ့လျားမှု ခြေရာခံခြင်းတို့ ပါဝင်သည်။

• ဖိအားအာရုံခံကိရိယာများ- 40 μm အထိပါးလွှာစေခြင်းဖြင့် <0.1% FS hysteresis ဖြင့် 0–300 bar တိုင်းတာမှုအကွာအဝေးများကို ဖြစ်စေသည်။ ယာယီချည်နှောင်မှု (ဖန်သယ်ဆောင်သူများ) ကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့် လုပ်ငန်းစဉ်သည် backside etching အတွင်း wafer ကျိုးခြင်းကို ရှောင်ရှားပြီး စက်မှုလုပ်ငန်း IoT အာရုံခံကိရိယာများအတွက် ဖိအားလွန်ကဲမှုခံနိုင်ရည် <1 μm ကို ရရှိစေပါသည်။

• နည်းပညာဆိုင်ရာ ပေါင်းစပ်စွမ်းအား- ကျွန်ုပ်တို့၏ wafer thinning စက်ကိရိယာများသည် မတူညီသော ပစ္စည်းစိန်ခေါ်မှုများ (Si၊ SiC၊ Sapphire) ကို ဖြေရှင်းရန် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ grinding၊ CMP နှင့် plasma etching တို့ကို ပေါင်းစည်းပေးပါသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ GaN-on-SiC သည် မာကျောမှုနှင့် အပူချဲ့ထွင်မှုကို ဟန်ချက်ညီစေရန် hybrid grinding (စိန်ဘီးများ + plasma) လိုအပ်ပြီး MEMS အာရုံခံကိရိယာများသည် CMP polishing မှတစ်ဆင့် 5 nm အောက် မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းမှုကို တောင်းဆိုပါသည်။

• စက်မှုလုပ်ငန်းအပေါ် သက်ရောက်မှု- ပိုမိုပါးလွှာပြီး စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသော ဝေဖာများကို ဖန်တီးခြင်းဖြင့် ဤနည်းပညာသည် AI ချစ်ပ်များ၊ 5G mmWave မော်ဂျူးများနှင့် ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ရှိသော အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများတွင် ဆန်းသစ်တီထွင်မှုများကို မောင်းနှင်ပေးပြီး ခေါက်နိုင်သော မျက်နှာပြင်များအတွက် TTV ခံနိုင်ရည် <0.1 μm နှင့် မော်တော်ကား LiDAR အာရုံခံကိရိယာများအတွက် <0.5 μm တို့ ပါဝင်သည်။