Sic optical မှန်ဘီလူး 6SP 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI စိတ်ကြိုက်အရွယ်အစား

1.High Refractive Index နှင့် Broad Transmission Window- SiC optical မှန်ဘီလူးများသည် ၎င်းတို့၏ လုပ်ငန်းလည်ပတ်မှုဆိုင်ရာ ရောင်စဉ်တစ်လျှောက် ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် 2.6-2.7 ခန့်ရှိသော အလင်းယိုင်မှုအညွှန်းကိန်းဖြင့် ထူးခြားသောအလင်းပြကွက်များကို သရုပ်ပြသည်။ ဤကျယ်ပြန့်သော ထုတ်လွှင့်မှုပြတင်းပေါက် (600-1850 nm) သည် မြင်နိုင်သောနှင့် အနီးနား-အနီအောက်ရောင်ခြည် ဧရိယာနှစ်ခုလုံးကို လွှမ်းခြုံထားပြီး၊ ၎င်းတို့ကို ရောင်စဉ်တန်းပေါင်းစုံ ပုံရိပ်ဖော်စနစ်များနှင့် broadband optical applications များအတွက် အထူးတန်ဖိုးရှိစေသည်။ ဤအကွာအဝေးများရှိ ပစ္စည်း၏ စုပ်ယူမှုနည်းသောကိန်းဂဏန်းသည် ပါဝါမြင့်သောလေဆာအပလီကေးရှင်းများတွင်ပင်လျှင် အချက်ပြလျော့ပါးမှုအနည်းဆုံးဖြစ်ကြောင်း သေချာစေသည်။

2.Exceptional Nonlinear Optical Properties- Silicon carbide ၏ထူးခြားသောပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံသည် ၎င်းအား ထူးထူးခြားခြား လိုင်းမဟုတ်သော optical coefficients (χ(2) ≈ 15 pm/V, χ(3) ≈ 10-20 m2/V2)၊ ထိရောက်သော ကြိမ်နှုန်းပြောင်းလဲခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်များကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ ဤဂုဏ်သတ္တိများကို optical parametric oscillators၊ ultrafast laser systems နှင့် all-optical signal processing devices များကဲ့သို့သော နောက်ဆုံးပေါ် အပလီကေးရှင်းများတွင် တက်ကြွစွာ အသုံးချနေပါသည်။ ပစ္စည်း၏မြင့်မားသောပျက်စီးမှုအဆင့် (> 5 GW/cm2) သည် ပြင်းထန်မှုမြင့်မားသောအသုံးချပရိုဂရမ်များအတွက် ၎င်း၏သင့်လျော်မှုကို ပိုမိုတိုးမြှင့်ပေးပါသည်။

3.Mechanical & Thermal Stability- 400 GPa အနီးရှိ elastic modulus နှင့် 300 W/m·K ထက်ပိုသော အပူကူးယူနိုင်မှုနှင့်အတူ SiC optical အစိတ်အပိုင်းများသည် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဖိအားနှင့် အပူစက်ဘီးစီးခြင်းအောက်တွင် ထူးခြားသောတည်ငြိမ်မှုကို ထိန်းသိမ်းထားသည်။ အပူပိုင်းချဲ့ထွင်ခြင်း၏ အလွန်နိမ့်ကျသောဖော်ကိန်း (4.0×10-6/K) သည် အပူချိန်ပြောင်းလဲမှုများနှင့်အတူ ဆုံမှတ်ပြောင်းလဲမှုအနည်းငယ်သာရှိစေကာ၊ အာကာသအသုံးချပလီကေးရှင်းများ သို့မဟုတ် စက်မှုလေဆာလုပ်ဆောင်မှုဆိုင်ရာကိရိယာများကဲ့သို့သော အပူပတ်ဝန်းကျင်တွင် လည်ပတ်နေသော တိကျသောအလင်းစနစ်များအတွက် အရေးကြီးသောအားသာချက်တစ်ခုဖြစ်သည်။

4.Quantum ဂုဏ်သတ္တိများ- 4H-SiC နှင့် 6H-SiC ပေါ်လီအမျိုးအစားများရှိ ဆီလီကွန်လစ်လပ်နေရာ (VSi) နှင့် divacancy (VSiVC) ရောင်စုံစင်တာများသည် အခန်းအပူချိန်တွင် ရှည်လျားသောအဆက်အစပ်ရှိသောအချိန်များဖြင့် optically addressable spin state များကိုပြသထားသည်။ ဤကွမ်တမ်ထုတ်လွှတ်သည့်အရာများကို အတိုင်းအတာအထိ ချဲ့ထွင်နိုင်သော ကွမ်တမ်ကွန်ရက်များတွင် ပေါင်းစည်းထားပြီး photonic quantum ကွန်ပြူတာဗိသုကာများတွင် အခန်းအပူချိန် ကွမ်တမ်အာရုံခံကိရိယာများနှင့် ကွမ်တမ်မမ်မိုရီကိရိယာများကို တီထွင်ရန်အတွက် အထူးအလားအလာရှိပါသည်။

5. CMOS လိုက်ဖက်နိုင်မှု- SiC ၏ စံတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်များနှင့် လိုက်ဖက်ညီမှုသည် ဆီလီကွန်ဖိုနစ်ပလပ်ဖောင်းများနှင့် တိုက်ရိုက်ပေါင်းစပ်မှုအား ခွင့်ပြုပေးပါသည်။ ၎င်းသည် SiC ၏ optical အားသာချက်များကို ဆီလီကွန်၏ အီလက်ထရွန်နစ်လုပ်ဆောင်နိုင်စွမ်းနှင့် ပေါင်းစပ်ထားသော ဟိုက်ဘရစ် ဖိုနစ်-အီလက်ထရွန်းနစ်စနစ်များကို ဖန်တီးနိုင်စေကာ၊ optical computing နှင့် sensing applications များတွင် system-on-chip ဒီဇိုင်းများအတွက် အလားအလာအသစ်များကို ဖွင့်လှစ်နိုင်စေပါသည်။