Sic အလင်းတန်းမှန်ဘီလူး 6SP 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI စိတ်ကြိုက်အရွယ်အစား

၁။ မြင့်မားသော အလင်းယိုင်ညွှန်းကိန်းနှင့် ကျယ်ပြန့်သော ထုတ်လွှင့်မှုဝင်းဒိုး- SiC အလင်းယိုင်မှန်ဘီလူးများသည် ၎င်းတို့၏ လည်ပတ်မှုရောင်စဉ်တစ်လျှောက်တွင် ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် 2.6-2.7 ၏ အလင်းယိုင်ညွှန်းကိန်းဖြင့် ထူးကဲသော အလင်းယိုင်စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပြသသည်။ ဤကျယ်ပြန့်သော ထုတ်လွှင့်မှုဝင်းဒိုး (600-1850 nm) သည် မြင်နိုင်သောနှင့် အနီအောက်ရောင်ခြည်အနီး ဒေသနှစ်မျိုးလုံးကို လွှမ်းခြုံထားပြီး multi-spectral imaging systems နှင့် broadband optical applications များအတွက် အထူးတန်ဖိုးရှိစေသည်။ ဤအပိုင်းအခြားများတွင် ပစ္စည်း၏ စုပ်ယူမှုကိန်းနည်းပါးခြင်းသည် မြင့်မားသောပါဝါလေဆာအသုံးချမှုများတွင်ပင် အချက်ပြမှု attenuation ကို အနည်းဆုံးဖြစ်စေရန် သေချာစေသည်။

၂။ထူးခြားသော မျဉ်းဖြောင့်မဟုတ်သော အလင်းတန်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများ- ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏ ထူးခြားသော ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံသည် ၎င်းအား ထူးခြားသော မျဉ်းဖြောင့်မဟုတ်သော အလင်းတန်းဆိုင်ရာ ကိန်းဂဏန်းများ (χ(2) ≈ 15 pm/V၊ χ(3) ≈ 10-20 m2/V2) ဖြင့် ပေးစွမ်းပြီး ထိရောက်သော ကြိမ်နှုန်းပြောင်းလဲမှုလုပ်ငန်းစဉ်များကို ဖြစ်စေသည်။ ဤဂုဏ်သတ္တိများကို အလင်းတန်းဆိုင်ရာ ပါရာမက်ထရစ် လှိုင်းတိုကိရိယာများ၊ အလွန်မြန်ဆန်သော လေဆာစနစ်များနှင့် အားလုံး-အလင်းတန်းဆိုင်ရာ အချက်ပြမှု လုပ်ငန်းစဉ် ကိရိယာများကဲ့သို့သော ခေတ်မီအသုံးချမှုများတွင် တက်ကြွစွာ အသုံးချလျက်ရှိသည်။ ပစ္စည်း၏ မြင့်မားသော ပျက်စီးမှု ကန့်သတ်ချက် (>5 GW/cm2) သည် မြင့်မားသော ပြင်းထန်မှုဆိုင်ရာ အသုံးချမှုများအတွက် ၎င်း၏ သင့်လျော်မှုကို ပိုမိုမြှင့်တင်ပေးသည်။

၃။ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် အပူတည်ငြိမ်မှု- ပျော့ပျောင်းသော မော်ဂျူးလပ်စ်သည် 400 GPa အနီးတွင်ရှိပြီး အပူစီးကူးနိုင်စွမ်း 300 W/m·K ထက်ကျော်လွန်သောကြောင့် SiC အလင်းတန်းအစိတ်အပိုင်းများသည် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဖိစီးမှုနှင့် အပူလည်ပတ်မှုအောက်တွင် ထူးကဲသောတည်ငြိမ်မှုကို ထိန်းသိမ်းထားသည်။ အလွန်နိမ့်သော အပူချဲ့ထွင်မှုကိန်းဂဏန်း (4.0×10-6/K) သည် အပူချိန်ပြောင်းလဲမှုများနှင့်အတူ အနည်းဆုံးအာရုံစူးစိုက်မှုရွေ့လျားမှုကို သေချာစေပြီး အာကာသအသုံးချမှုများ သို့မဟုတ် စက်မှုလုပ်ငန်းသုံးလေဆာလုပ်ဆောင်သည့်ပစ္စည်းများကဲ့သို့သော အပူအတက်အကျရှိသောပတ်ဝန်းကျင်များတွင် လည်ပတ်နေသော တိကျသောအလင်းတန်းစနစ်များအတွက် အရေးကြီးသောအားသာချက်တစ်ခုဖြစ်သည်။

၄။ ကွမ်တမ်ဂုဏ်သတ္တိများ- 4H-SiC နှင့် 6H-SiC polytypes ရှိ silicon vacancy (VSi) နှင့် divacancy (VSiVC) color center များသည် အခန်းအပူချိန်တွင် coherence အချိန်ကြာမြင့်စွာရှိသော optically addressable spin state များကို ပြသသည်။ ဤ quantum emitter များကို scalable quantum networks များထဲသို့ ပေါင်းစပ်ထားပြီး photonic quantum computing architectures များတွင် အခန်းအပူချိန် quantum sensor များနှင့် quantum memory device များ တီထွင်ရန်အတွက် အထူးအလားအလာကောင်းများရှိသည်။

၅။ CMOS လိုက်ဖက်ညီမှု- SiC ၏ စံ semiconductor ထုတ်လုပ်ရေးလုပ်ငန်းစဉ်များနှင့် လိုက်ဖက်ညီမှုသည် silicon photonics platform များနှင့် တိုက်ရိုက် monolithic ပေါင်းစပ်မှုကို ဖြစ်စေသည်။ ၎င်းသည် SiC ၏ optical အားသာချက်များနှင့် silicon ၏ electronic လုပ်ဆောင်ချက်ကို ပေါင်းစပ်ထားသော hybrid photonic-electronic စနစ်များ ဖန်တီးနိုင်စေပြီး optical computing နှင့် sensing application များတွင် system-on-chip ဒီဇိုင်းများအတွက် ဖြစ်နိုင်ခြေအသစ်များကို ဖွင့်လှစ်ပေးသည်။