Sapphire Crystal Growth Furnace KY Kyropoulos Method for Sapphire Wafer and Optical Window Production

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

ဤနီလာသလင်းကျောက်ကြီးထွားမှုကိရိယာတွင် နိုင်ငံတကာတွင် ဦးဆောင်နေသော Kyropoulos (KY) နည်းလမ်းကို အသုံးပြုထားပြီး ကြီးမားသောအချင်း၊ ချို့ယွင်းမှုနည်းသော နီလာတစ်ခုတည်း-ခရစ်စတယ်ကြီးထွားမှုအတွက် အထူးထုတ်လုပ်ထားသည်။ KY နည်းလမ်းသည် မြင့်မားသောအပူချိန် (2000–2200°C) တွင် နီလာပုံဆောင်ခဲများ၏ အချင်း 12 လက်မ (300 မီလီမီတာ) အထိ ကြီးထွားနိုင်စေသည့် အစေ့ပုံဆောင်ခဲဆွဲမှု၊ လည်ပတ်မှုနှုန်းနှင့် အပူချိန် gradient တို့ကို တိကျစွာထိန်းချုပ်နိုင်စေပါသည်။ XKH ၏ KY-method စနစ်များကို 2-12-လက်မ C/A-plane sapphire wafers နှင့် optical windows များကို စက်မှုလုပ်ငန်းတွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုကြပြီး လစဉ် အစီးရေ 20 ထွက်ရှိပါသည်။ စက်ပစ္စည်းသည် တားမြစ်ဆေးသုံးခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်များကို ပံ့ပိုးပေးသည် (ဥပမာ၊ ပတ္တမြားပေါင်းစပ်မှုအတွက် Cr³⁰ doping) နှင့် ပုံဆောင်ခဲအရည်အသွေးကို ပေးဆောင်သည်-

Dislocation သိပ်သည်းဆ <100/cm²

ထုတ်လွှင့်မှု >85% @ 400–5500 nm

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ။

အင်္ဂါရပ်များ

အလုပ်အခြေခံ

KY နည်းလမ်း၏ အဓိက နိယာမမှာ 2050°C တွင် သန့်စင်ထားသော Al₂O₃ ကုန်ကြမ်းပစ္စည်းများ အရည်ပျော်ခြင်း ပါဝင်သည်။ α-Al₂O₃ တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲများ၏ ဦးတည်ရာကြီးထွားမှုကို ရရှိရန် အစေ့ပုံဆောင်ခဲတစ်ခုအား အရည်ပျော်မှုထဲသို့ နိမ့်ချကာ၊ ထို့နောက်တွင် ထိန်းချုပ်ထားသော ဆုတ်ခွာခြင်း (0.5–10 mm/h) နှင့် လှည့်ခြင်း (0.5–20 rpm) ဖြင့် α-Al₂O₃ တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲများ ကြီးထွားမှုကို ရရှိစေရန်။ အဓိကအင်္ဂါရပ်များပါဝင်သည်-

• အရွယ်အစားကြီးမားသော ပုံဆောင်ခဲများ (အမြင့်ဆုံး Φ400 mm × 500 mm)
• ဖိအားနည်းသောအလင်းတန်း နီလာ (လှိုင်းအရှေ့ပုံပျက်ခြင်း <λ/8 @ 633 nm)
• Doped crystals (ဥပမာ၊ Ti³⁰ star sapphire အတွက် doping)

Core System အစိတ်အပိုင်းများ

1. မြင့်မားသောအပူချိန် အရည်ပျော်ခြင်းစနစ်
• Tungsten-molybdenum composite crucible (အမြင့်ဆုံးအပူချိန် 2300°C)
• Multi-zone graphite အပူပေးစက် (±0.5°C အပူချိန် ထိန်းချုပ်မှု)

2. Crystal Growth စနစ်
• Servo-driven ဆွဲယန္တရား (±0.01 mm တိကျမှု)
• သံလိုက်အရည် rotary တံဆိပ် (0–30 rpm stepless speed regulation)

3. အပူစက်ကွင်းထိန်းချုပ်မှု
• 5 ဇုန် သီးခြား အပူချိန် ထိန်းချုပ်မှု (1800–2200°C)
• ချိန်ညှိနိုင်သော အပူအကာ (± 2°C/cm gradient)
• ဖုန်စုပ်စက်နှင့် လေထုစနစ်
• 10⁻⁴ Pa မြင့်မားသော လေဟာနယ်
• Ar/N₂/H₂ ရောစပ်ဓာတ်ငွေ့ထိန်းချုပ်မှု

4. Intelligent စောင့်ကြည့်စစ်ဆေးခြင်း။
• CCD သည် အချိန်နှင့်တပြေးညီ ပုံဆောင်ခဲအချင်းကို စောင့်ကြည့်ခြင်း။
• Multi-spectral အရည်ပျော်အဆင့်ကို ထောက်လှမ်းခြင်း။

KY နှင့် CZ နည်းလမ်း နှိုင်းယှဉ်မှု

ကန့်သတ်ချက်	KY နည်းလမ်း	CZ နည်းလမ်း
မက်တယ်။ အရည်ကြည် အရွယ်အစား	Φ400 မီလီမီတာ	Φ200 မီလီမီတာ
ကြီးထွားနှုန်း	5-15 မီလီမီတာ/နာရီ	20-50 မီလီမီတာ/နာရီ
Defect Density	<100/cm²	500-1000/cm²
စွမ်းအင်သုံးစွဲမှု	80-120 kWh/kg	50-80 kWh/kg
ရိုးရိုးအပလီကေးရှင်းများ	Optical ပြတင်းပေါက်/ ကြီးမားသော wafers	LED အလွှာ/လက်ဝတ်ရတနာ

အဓိက အသုံးချမှုများ

1. Optoelectronic Windows
• စစ်ဘက် IR အမိုးအကာများ (ထုတ်လွှင့်မှု >85%@3-5 μm)
• UV လေဆာပြတင်းပေါက်များ (200 W/cm² ပါဝါသိပ်သည်းဆကို ခံနိုင်ရည်ရှိ)

2. Semiconductor Substrates များ
• GaN epitaxial wafers (2-8 လက်မ၊ TTV <10 μm)
• SOI အလွှာများ (မျက်နှာပြင် ကြမ်းတမ်းမှု <0.2 nm)

၃။ လူသုံးလျှပ်စစ်ပစ္စည်း
• စမတ်ဖုန်းကင်မရာအဖုံးမှန် (Mohs မာကျောမှု 9)
• စမတ်နာရီမျက်နှာပြင်များ (10× ခြစ်ရာခံနိုင်ရည်တိုးတက်မှု)

4. အထူးပြုပစ္စည်းများ
• သန့်စင်မှုမြင့်မားသော IR optics (စုပ်ယူမှုကိန်းဂဏန်း <10⁻³ cm⁻¹)
• နူကလီးယားဓာတ်ပေါင်းဖိုကြည့်ရှုမှုပြတင်းပေါက်များ (ဓါတ်ရောင်ခြည်ခံနိုင်ရည်- 10¹⁶ n/cm²)

Kyropoulos (KY) Sapphire Crystal Growth Equipment ၏ အားသာချက်များ

Kyropoulos (KY) နည်းလမ်းကို အခြေခံထားသော နီလာသလင်းကျောက် ကြီးထွားမှု ကိရိယာသည် တုနှိုင်းမရတဲ့ နည်းပညာဆိုင်ရာ အားသာချက်များကို ပေးစွမ်းပြီး ၎င်းကို စက်မှုလုပ်ငန်းခွင် ထုတ်လုပ်မှုအတွက် နောက်ဆုံးပေါ် ဖြေရှင်းချက်တစ်ခုအဖြစ် သတ်မှတ်ပေးပါသည်။ အဓိကအကျိုးကျေးဇူးများပါဝင်သည်-

1. ကြီးမားသော စွမ်းရည်- အချင်း 12 လက်မ (300 မီလီမီတာ) ရှိသော နီလာပုံဆောင်ခဲများကို ကြီးထွားစေပြီး GaN epitaxy နှင့် စစ်တပ်အဆင့် ပြတင်းပေါက်များကဲ့သို့သော အဆင့်မြင့် အပလီကေးရှင်းများအတွက် အထွက်နှုန်းမြင့်မားသော wafers နှင့် optical အစိတ်အပိုင်းများကို ထုတ်လုပ်နိုင်သည် ။

2. Ultra-Low Defect Density- optoelectronic ကိရိယာများအတွက် သာလွန်ကောင်းမွန်သော crystal သမာဓိရှိမှုကို ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ထားသော အပူအကွက်ဒီဇိုင်းနှင့် တိကျသောအပူချိန်ထိန်းချုပ်မှုမှတစ်ဆင့် dislocation သိပ်သည်းဆ <100/cm²ကို ရရှိသည်။

3. အရည်အသွေးမြင့် Optical Performance - ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်လေဆာပြတင်းပေါက်များနှင့် အနီအောက်ရောင်ခြည်အလင်းတန်းများအတွက် အရေးပါသော အနီအောက်ရောင်ခြည်ရောင်စဉ် (400–5500 nm) ကို မြင်နိုင်ဖြတ်ကျော် ထုတ်လွှင့်မှု > 85% ပေးစွမ်းသည်။

4. Advanced Automation- servo-driven pulling ယန္တရားများ (±0.01 mm တိကျမှု) နှင့် သံလိုက်အရည်များ rotary seals (0-30 rpm stepless control) ၊ လူသား၏ဝင်ရောက်စွက်ဖက်မှုကို နည်းပါးစေပြီး လိုက်လျောညီထွေဖြစ်စေသော စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။

5. Flexible Doping Options- Cr³⁰ (ပတ္တမြားအတွက်) နှင့် Ti³⁰ (ကြယ်နီလာအတွက်)၊ optoelectronics နှင့် လက်ဝတ်ရတနာများတွင် သီးသန့်စျေးကွက်များကို ပံ့ပိုးပေးသည့် Cr³⁰ (ပတ္တမြားအတွက်) နှင့် Ti³⁰ (ကြယ်နီလာများအတွက်) ကဲ့သို့သော အ၀တ်အစားများဖြင့် စိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်ခြင်းကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။

6. စွမ်းအင်ထိရောက်မှု- အကောင်းမွန်ဆုံးသော အပူလျှပ်ကာ (tungsten-molybdenum crucible) သည် စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုကို 80-120 kWh/kg လျော့ချပေးသည်၊၊ အစားထိုးတိုးတက်မှုနည်းလမ်းများဖြင့် ယှဉ်ပြိုင်နိုင်သည်။

7. Scalable Production − ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ တပ်ဆင်မှုပေါင်း 200 ကျော်မှ မှန်ကန်ကြောင်း အတည်ပြုထားသော စက်ဝန်းကြိမ် (8-10 ရက်အတွင်း 30-40 ကီလိုဂရမ်အတွက်) လျင်မြန်သော စက်ဝန်းအကြိမ်များဖြင့် လစဉ် wafers 5,000+ ထွက်ရှိပါသည်။
့
8. စစ်ဘက်အဆင့် တာရှည်ခံမှု- ရောင်ခြည်ဒဏ်ခံနိုင်သော ဒီဇိုင်းများနှင့် အပူဒဏ်ခံပစ္စည်းများ (10¹⁶ n/cm² ခံနိုင်ရည်) ၊ အာကာသယာဉ်နှင့် နျူကလီးယား အသုံးချမှုများအတွက် မရှိမဖြစ် လိုအပ်ပါသည်။
ဤတီထွင်ဆန်းသစ်မှုများသည် KY နည်းလမ်းကို စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် နီလာပုံဆောင်ခဲများ ထုတ်လုပ်ခြင်း၊ 5G ဆက်သွယ်ရေး၊ ကွမ်တမ် ကွန်ပြူတာနှင့် ကာကွယ်ရေးနည်းပညာများတွင် တိုးတက်မှုများကို မောင်းနှင်ရန်အတွက် ရွှေစံနှုန်းအဖြစ် ခိုင်မာစေသည်။

XKH ဝန်ဆောင်မှုများ

XKH သည် sapphire crystal ကြီးထွားမှုစနစ်များအတွက် ပြီးပြည့်စုံသော turnkey solutions များကို ပံ့ပိုးပေးသည်၊ ပေါင်းစပ်ထည့်သွင်းမှု၊ လုပ်ငန်းစဉ် ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်နှင့် ဝန်ထမ်းများကို ချောမွေ့စွာ လည်ပတ်ပေါင်းစပ်မှုသေချာစေရန် ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် မတူကွဲပြားသောစက်မှုလုပ်ငန်းလိုအပ်ချက်များနှင့်အညီ အံဝင်ခွင်ကျဖြစ်အောင် ကြိုတင်အတည်ပြုထားသော ကြီးထွားမှုချက်ပြုတ်နည်းများ (50+) ကို ပေးဆောင်ပြီး ဖောက်သည်များအတွက် R&D အချိန်ကို သိသိသာသာလျှော့ချပေးပါသည်။ အထူးပြုအပလီကေးရှင်းများအတွက်၊ စိတ်ကြိုက်ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုဝန်ဆောင်မှုများသည် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် optical အစိတ်အပိုင်းများနှင့် ဓာတ်ရောင်ခြည်ဒဏ်ခံနိုင်သောပစ္စည်းများကို ပံ့ပိုးပေးသော ကလိုင်အတွင်း စိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်ခြင်း (Φ200–400 mm) နှင့် အဆင့်မြင့် doping စနစ်များ (Cr/Ti/Ni) ကို အသုံးပြုနိုင်မည်ဖြစ်သည်။

အပိုထပ်ဆောင်းဝန်ဆောင်မှုများတွင် လှီးဖြတ်ခြင်း၊ ကြိတ်ခွဲခြင်းနှင့် ပွတ်ခြင်းကဲ့သို့သော ကြီးထွားမှုနောက်ပိုင်း လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် wafers၊ tubes နှင့် gemstone blanks ကဲ့သို့သော နီလာထုတ်ကုန်များကဲ့သို့သော နီလာထုတ်ကုန်များ အစုံအလင်ဖြင့် ဖြည့်သွင်းပေးပါသည်။ ဤကမ်းလှမ်းချက်များသည် လူသုံးအီလက်ထရွန်းနစ်မှ အာကာသယာဉ်အထိ ကဏ္ဍများကို ဖြည့်ဆည်းပေးသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏နည်းပညာပံ့ပိုးမှုမှ 24 လအာမခံချက်နှင့် အချိန်နှင့်တပြေးညီ အဝေးမှရောဂါရှာဖွေမှုများကို အာမခံထားပြီး အချိန်အနည်းငယ်နှင့် ထုတ်လုပ်မှုထိရောက်မှုကို အာမခံပါသည်။