Sapphire Wafer နှင့် Optical Window ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် Sapphire Crystal Growth Furnace KY Kyropoulos နည်းလမ်း

အကျဉ်းချုပ်ဖော်ပြချက်:

ဤနီလာပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုကိရိယာသည် နိုင်ငံတကာတွင် ဦးဆောင်နေသော Kyropoulos (KY) နည်းလမ်းကို အသုံးပြုထားပြီး အချင်းကြီးပြီး အပြစ်အနာအဆာနည်းသော နီလာပုံဆောင်ခဲတစ်ခုတည်းကြီးထွားမှုအတွက် အထူးဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ KY နည်းလမ်းသည် အစေ့ပုံဆောင်ခဲဆွဲအား၊ လည်ပတ်နှုန်းနှင့် အပူချိန်ပြောင်းလဲမှုများကို တိကျစွာထိန်းချုပ်နိုင်စေပြီး မြင့်မားသောအပူချိန် (၂၀၀၀-၂၂၀၀°C) တွင် အချင်း ၁၂ လက်မ (၃၀၀ မီလီမီတာ) အထိ နီလာပုံဆောင်ခဲများကြီးထွားစေနိုင်သည်။ XKH ၏ KY နည်းလမ်းစနစ်များကို ၂-၁၂ လက်မ C/A-plane နီလာပြားများနှင့် optical window များ၏ စက်မှုထုတ်လုပ်မှုတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုကြပြီး လစဉ်ယူနစ် ၂၀ ထုတ်လုပ်သည်။ ဤကိရိယာသည် doping လုပ်ငန်းစဉ်များကို ပံ့ပိုးပေးသည် (ဥပမာ၊ ပတ္တမြားပေါင်းစပ်မှုအတွက် Cr³⁰ doping) နှင့် ပုံဆောင်ခဲအရည်အသွေးကို ပေးစွမ်းသည်-

နေရာရွေ့သိပ်သည်းဆ <100/cm²

400–5500 nm တွင် >85% အလင်းဝင်ပေါက်

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ

အင်္ဂါရပ်များ

အလုပ်လုပ်ပုံ အခြေခံမူ

KY နည်းလမ်း၏ အဓိကမူတွင် α-Al₂O₃ ပုံဆောင်ခဲများ၏ ဦးတည်ချက်အတိုင်း ကြီးထွားမှုကို ရရှိရန် မြင့်မားသော သန့်ရှင်းစင်ကြယ်မှု Al₂O₃ ကုန်ကြမ်းများကို ၂၀၅၀°C တွင် tungsten/molybdenum crucible တွင် အရည်ပျော်စေခြင်း ပါဝင်သည်။ အစေ့ပုံဆောင်ခဲကို အရည်ပျော်ထဲသို့ နှိမ့်ချပြီးနောက် ထိန်းချုပ်ထားသော ဆုတ်ခွာမှု (၀.၅–၁၀ mm/h) နှင့် လည်ပတ်မှု (၀.၅–၂၀ rpm) တို့ဖြင့် လုပ်ဆောင်သည်။ အဓိကအင်္ဂါရပ်များတွင် အောက်ပါတို့ ပါဝင်သည်-

• အရွယ်အစားကြီးမားသော ပုံဆောင်ခဲများ (အများဆုံး Φ400 မီလီမီတာ × 500 မီလီမီတာ)
• ဖိစီးမှုနည်းသော အလင်းတန်းအဆင့် နီလာ (လှိုင်းအလျား ပုံပျက်ခြင်း <λ/8 @ 633 nm)
• ဓာတုပစ္စည်းများဖြင့် ပြုလုပ်ထားသော ပုံဆောင်ခဲများ (ဥပမာ၊ ကြယ်နီလာအတွက် Ti³⁰ ဓာတုပစ္စည်းများဖြင့် ပြုလုပ်ထားခြင်း)

အဓိကစနစ် အစိတ်အပိုင်းများ

၁။ အပူချိန်မြင့် အရည်ပျော်စနစ်
• တန်စတင်-မိုလစ်ဒီနမ် ပေါင်းစပ် ဒယ်အိုး (အမြင့်ဆုံး အပူချိန် ၂၃၀၀°C)
• ဇုန်များစွာပါဝင်သော ဂရပ်ဖိုက်အပူပေးစက် (±0.5°C အပူချိန်ထိန်းချုပ်မှု)

၂။ ပုံဆောင်ခဲများ ကြီးထွားမှုစနစ်
• Servo မောင်းနှင်သော ဆွဲအားယန္တရား (±0.01 မီလီမီတာ တိကျမှု)
• သံလိုက်အရည် လည်ပတ်တံဆိပ် (0–30 rpm stepless မြန်နှုန်း ထိန်းညှိခြင်း)

၃။ အပူစက်ကွင်းထိန်းချုပ်မှု
• ဇုန် ၅ ခုပါ သီးခြား အပူချိန်ထိန်းချုပ်မှု (၁၈၀၀–၂၂၀၀°C)
• ချိန်ညှိနိုင်သော အပူဒဏ်ခံကိရိယာ (±၂°C/စင်တီမီတာ ချိန်ညှိမှု)
• ဖုန်စုပ်စက်နှင့် လေထုစနစ်
• 10⁻⁴ Pa မြင့်မားသော ဖုန်စုပ်စက်
• Ar/N₂/H₂ ရောနှောဓာတ်ငွေ့ထိန်းချုပ်မှု

၄။ ဉာဏ်ရည်ထက်မြက်သော စောင့်ကြည့်ခြင်း
• CCD အချိန်နှင့်တပြေးညီ ပုံဆောင်ခဲအချင်းစောင့်ကြည့်ခြင်း
• ဘက်စုံရောင်စဉ် အရည်ပျော်အဆင့် ထောက်လှမ်းခြင်း

KY နှင့် CZ နည်းလမ်းနှိုင်းယှဉ်ချက်

ကန့်သတ်ချက်	KY နည်းလမ်း	CZ နည်းလမ်း
အများဆုံး ပုံဆောင်ခဲ အရွယ်အစား	Φ၄၀၀ မီလီမီတာ	Φ၂၀၀ မီလီမီတာ
ကြီးထွားမှုနှုန်း	၅–၁၅ မီလီမီတာ/နာရီ	၂၀–၅၀ မီလီမီတာ/နာရီ
ချို့ယွင်းချက်သိပ်သည်းဆ	<၁၀၀/စင်တီမီတာ²	၅၀၀–၁၀၀၀/စင်တီမီတာ²
စွမ်းအင်သုံးစွဲမှု	၈၀–၁၂၀ ကီလိုဝပ်နာရီ/ကီလိုဂရမ်	၅၀–၈၀ ကီလိုဝပ်နာရီ/ကီလိုဂရမ်
ပုံမှန်အသုံးချမှုများ	အလင်းပြတင်းများ/ဝေဖာကြီးများ	LED အောက်ခံများ/လက်ဝတ်ရတနာများ

အဓိကအသုံးချမှုများ

၁။ အော့ပတိုအီလက်ထရွန်းနစ် ပြတင်းပေါက်များ
• စစ်ဘက်ဆိုင်ရာ အနီအောက်ရောင်ခြည် ဒိုးမ်များ (ထုတ်လွှင့်မှု >85%@3–5 μm)
• UV လေဆာပြတင်းပေါက်များ (200 W/cm² ပါဝါသိပ်သည်းဆကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်)

၂။ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း အောက်ခံများ
• GaN epitaxial wafers (၂–၈ လက်မ၊ TTV <၁၀ μm)
• SOI အောက်ခံများ (မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းမှု <0.2 nm)

၃။ စားသုံးသူအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ
• စမတ်ဖုန်းကင်မရာအဖုံးမှန် (Mohs မာကျောမှု ၉)
• စမတ်နာရီ မျက်နှာပြင်များ (၁၀ ဆ ခြစ်ရာခံနိုင်ရည် တိုးတက်ကောင်းမွန်လာခြင်း)

၄။ အထူးပြုပစ္စည်းများ
• မြင့်မားသော သန့်စင်မှုရှိသော အနီအောက်ရောင်ခြည် မှန်ဘီလူးများ (စုပ်ယူမှုကိန်း <10⁻³ cm⁻¹)
• နျူကလီးယားဓာတ်ပေါင်းဖို စောင့်ကြည့်ရေးပြတင်းပေါက်များ (ရောင်ခြည်ခံနိုင်ရည်: 10¹⁶ n/cm²)

Kyropoulos (KY) Sapphire Crystal ကြီးထွားစက်၏ အားသာချက်များ

Kyropoulos (KY) နည်းလမ်းကို အခြေခံသည့် sapphire crystal ကြီးထွားမှုပစ္စည်းကိရိယာသည် ယှဉ်နိုင်စရာမရှိသော နည်းပညာဆိုင်ရာ အားသာချက်များကို ပေးစွမ်းပြီး စက်မှုလုပ်ငန်းအတိုင်းအတာဖြင့် ထုတ်လုပ်မှုအတွက် ခေတ်မီသော ဖြေရှင်းချက်တစ်ခုအဖြစ် ရပ်တည်လျက်ရှိသည်။ အဓိက အကျိုးကျေးဇူးများတွင် အောက်ပါတို့ ပါဝင်သည်-

၁။ အချင်းကြီးသောစွမ်းရည်- အချင်း ၁၂ လက်မ (၃၀၀ မီလီမီတာ) အထိ နီလာပုံဆောင်ခဲများ ကြီးထွားစေနိုင်သောကြောင့် GaN epitaxy နှင့် စစ်ဘက်အဆင့်ပြတင်းပေါက်များကဲ့သို့သော အဆင့်မြင့်အသုံးချမှုများအတွက် ဝေဖာများနှင့် အလင်းဆိုင်ရာအစိတ်အပိုင်းများကို မြင့်မားသောအထွက်နှုန်းဖြင့် ထုတ်လုပ်နိုင်စေပါသည်။

၂။ အလွန်နည်းသော ချို့ယွင်းချက်သိပ်သည်းဆ- အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် ပြုလုပ်ထားသော အပူစက်ကွင်းဒီဇိုင်းနှင့် တိကျသော အပူချိန် gradient ထိန်းချုပ်မှုမှတစ်ဆင့် dislocation densities <100/cm² ကို ရရှိစေသောကြောင့် optoelectronic devices များအတွက် သာလွန်ကောင်းမွန်သော crystal integrity ကို သေချာစေသည်။

၃။ အရည်အသွေးမြင့် အလင်းတန်းစွမ်းဆောင်ရည်- အနီအောက်ရောင်ခြည်ရောင်စဉ်များ (400–5500 nm) တွင် မြင်နိုင်သော အလင်းတန်းဖြတ်သန်းမှု ၈၅% > ပေးစွမ်းနိုင်ပြီး၊ UV လေဆာပြတင်းပေါက်များနှင့် အနီအောက်ရောင်ခြည်မှန်ဘီလူးများအတွက် အရေးပါပါသည်။

၄။ အဆင့်မြင့် အလိုအလျောက်လုပ်ဆောင်ခြင်း- servo-driven ဆွဲအားယန္တရားများ (±0.01 မီလီမီတာ တိကျမှု) နှင့် magnetic fluid rotary seals (0–30 rpm stepless control) တို့ ပါဝင်သောကြောင့် လူ့ဝင်ရောက်စွက်ဖက်မှုကို အနည်းဆုံးဖြစ်စေပြီး တသမတ်တည်းဖြစ်မှုကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။

၅။ ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ရှိသော Doping ရွေးချယ်စရာများ- Cr³⁰ (ပတ္တမြားအတွက်) နှင့် Ti³⁰ (ကြယ်နီလာအတွက်) ကဲ့သို့သော dopants များဖြင့် စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်မှုကို ပံ့ပိုးပေးပြီး optoelectronics နှင့် လက်ဝတ်ရတနာများတွင် အထူးပြုဈေးကွက်များအတွက် ဖြည့်ဆည်းပေးပါသည်။

၆။ စွမ်းအင်ထိရောက်မှု- အကောင်းဆုံး အပူလျှပ်ကာ (tungsten-molybdenum crucible) သည် စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုကို 80–120 kWh/kg အထိ လျှော့ချပေးပြီး အခြားစိုက်ပျိုးနည်းလမ်းများနှင့် ယှဉ်ပြိုင်နိုင်သည်။

၇။ တိုးချဲ့နိုင်သော ထုတ်လုပ်မှု- မြန်ဆန်သော စက်ဝန်းအချိန် (၃၀-၄၀ ကီလိုဂရမ် ပုံဆောင်ခဲများအတွက် ၈-၁၀ ရက်) ဖြင့် လစဉ် ဝေဖာ ၅၀၀၀+ ထုတ်လုပ်နိုင်ပြီး ကမ္ဘာတစ်ဝှမ်းရှိ တပ်ဆင်မှု ၂၀၀ ကျော်မှ အတည်ပြုထားသည်။

၈။ စစ်ဘက်အဆင့် ကြံ့ခိုင်မှု- ရောင်ခြည်ဒဏ်ခံနိုင်သော ဒီဇိုင်းများနှင့် အပူဒဏ်ခံနိုင်သော ပစ္စည်းများ (10¹⁶ n/cm² ကို ခံနိုင်ရည်ရှိ) ပါဝင်ပြီး၊ အာကာသနှင့် နျူကလီးယားအသုံးချမှုများအတွက် မရှိမဖြစ်လိုအပ်ပါသည်။
ဤဆန်းသစ်တီထွင်မှုများသည် KY နည်းလမ်းကို မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော sapphire crystals များထုတ်လုပ်ရာတွင် ရွှေစံနှုန်းအဖြစ် ခိုင်မာစေပြီး 5G ဆက်သွယ်ရေး၊ quantum computing နှင့် ကာကွယ်ရေးနည်းပညာများတွင် တိုးတက်မှုများ မောင်းနှင်ပါသည်။

XKH ဝန်ဆောင်မှုများ

XKH သည် sapphire crystal growth systems အတွက် ပြည့်စုံသော turnkey solutions များကို ပေးဆောင်ပြီး ချောမွေ့သော လုပ်ငန်းလည်ပတ်မှု ပေါင်းစည်းမှုကို သေချာစေရန်အတွက် တပ်ဆင်ခြင်း၊ လုပ်ငန်းစဉ် အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ခြင်းနှင့် ဝန်ထမ်းလေ့ကျင့်ပေးခြင်း အပါအဝင်ဖြစ်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် မတူညီသော စက်မှုလုပ်ငန်း လိုအပ်ချက်များအတွက် စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်ထားသော ကြိုတင်အတည်ပြုထားသော growth recipes (၅၀+) ကို ပေးဆောင်ပြီး client များအတွက် R&D အချိန်ကို သိသိသာသာ လျှော့ချပေးပါသည်။ အထူးပြု application များအတွက်၊ custom development services များသည် cavity customization (Φ200–400 mm) နှင့် အဆင့်မြင့် doping systems (Cr/Ti/Ni) ကို ဖွင့်ပေးပြီး မြင့်မားသော စွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော optical components များနှင့် ရောင်ခြည်ဒဏ်ခံနိုင်သော ပစ္စည်းများကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။

တန်ဖိုးမြှင့်ဝန်ဆောင်မှုများတွင် လှီးဖြတ်ခြင်း၊ ကြိတ်ခွဲခြင်းနှင့် ඔප දැමීමကဲ့သို့သော ကြီးထွားမှုအပြီး လုပ်ငန်းစဉ်များ ပါဝင်ပြီး ဝေဖာ၊ ပြွန်နှင့် ကျောက်မျက်ရတနာအလွတ်များကဲ့သို့သော နီလာထုတ်ကုန်အမျိုးအစား အပြည့်အစုံဖြင့် ဖြည့်စွက်ထားသည်။ ဤကမ်းလှမ်းချက်များသည် စားသုံးသူအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများမှသည် အာကာသယာဉ်ပျံများအထိ ကဏ္ဍများအတွက် ဝန်ဆောင်မှုပေးသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ နည်းပညာပံ့ပိုးမှုသည် ၂၄ လအာမခံနှင့် အချိန်နှင့်တပြေးညီ အဝေးထိန်းရောဂါရှာဖွေရေးကို အာမခံပြီး အနည်းဆုံးလည်ပတ်ချိန်နှင့် ရေရှည်ထုတ်လုပ်မှုထိရောက်မှုကို သေချာစေသည်။