မဂ္ဂနီဆီယမ် တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲ အလွှာ Mg ဝေဖာ သန့်စင်မှု 99.99% 5x5x0.5/1mm 10x10x0.5/1mm 20x20x0.5/1mm

မဂ္ဂနီဆီယမ် တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲ အလွှာ Mg wafer သန့်စင်မှု 99.99% 5x5x0.5/1mm 10x10x0.5/1mm 20x20x0.5/1mm ထူးခြားသော ရုပ်ပုံ

အကျဉ်းချုပ်ဖော်ပြချက်:

ပုံဆောင်ခဲများ သန့်စင်မှုမြင့်မားပြီး ဆဋ္ဌဂံပုံသဏ္ဍာန်ရှိသော single-crystal မဂ္ဂနီဆီယမ် (Mg) wafers များသည် အထူးသဖြင့် ပေါ့ပါးသော်လည်း လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းမြင့်မားသော ပစ္စည်းများ လိုအပ်သော အသုံးချမှုများအတွက် အရေးပါလာပါသည်။ ဤ wafers များကို <0001>၊ <11-20>၊ <10-10> နှင့် <1-102> ကဲ့သို့သော ဝင်ရိုးများတစ်လျှောက် တိကျစွာ ချိန်ညှိထားပြီး epitaxy နှင့် thin film ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှု အပါအဝင် သီးခြား မျက်နှာပြင်လေ့လာမှုများကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ သန့်စင်မှုအဆင့် 99.99% နှင့် 5x5x0.5 mm၊ 10x10x1 mm နှင့် 20x20x1 mm အရွယ်အစားများဖြင့် ရရှိနိုင်သော ဤ substrates များသည် သာလွန်ကောင်းမွန်သော ပစ္စည်းများ၏ တသမတ်တည်းဖြစ်မှုနှင့် တည်တံ့မှုကို ပေးစွမ်းသည်။ ၎င်းတို့၏ သန့်စင်မှုနှင့် တိမ်းညွတ်မှု မြင့်မားခြင်းကြောင့် မျက်နှာပြင်ရူပဗေဒ၊ semiconductor ထုတ်လုပ်မှုနှင့် အဆင့်မြင့် coating နည်းပညာများ အပါအဝင် သုတေသနအသုံးချမှုအမျိုးမျိုးအတွက် သင့်လျော်ပါသည်။ မဂ္ဂနီဆီယမ် crystal ၏ ဆဋ္ဌဂံပုံသဏ္ဍာန်သည် စမ်းသပ်မှု parameters များကို ပိုမိုကောင်းမွန်စွာ ထိန်းချုပ်နိုင်စေပြီး ပညာရေးနှင့် စက်မှုလုပ်ငန်းဆိုင်ရာ နယ်ပယ်နှစ်ခုလုံးတွင် တိကျမှုကို အခြေခံသော သုတေသနအတွက် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော ဤ wafers များကို ဖြစ်စေပါသည်။ Mg single crystal wafers များကို အသုံးပြုခြင်းသည် မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော ပစ္စည်းများကို လိုအပ်သော နယ်ပယ်များတွင် ဆန်းသစ်တီထွင်မှုများအတွက် လမ်းခင်းပေးနေပါသည်။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ

အင်္ဂါရပ်များ

သတ်မှတ်ချက်

မဂ္ဂနီဆီယမ်ဝေဖာများသည် ချေးခြင်းကို အလွန်ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ပြင်းထန်သောပတ်ဝန်းကျင်အခြေအနေများတွင် ၎င်းတို့၏ကြာရှည်ခံမှုကို မြှင့်တင်ပေးပြီး အလေးချိန်နှင့်ခိုင်ခံ့မှုအချိုးမြင့်မားခြင်းကဲ့သို့သော ၎င်းတို့၏စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများသည် အလေးချိန်ပေါ့ပါးသောဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာအသုံးချမှုများအတွက် သင့်လျော်စေသည်။ သန့်စင်မှု၊ ပုံဆောင်ခဲဦးတည်ချက်နှင့် ပစ္စည်းဂုဏ်သတ္တိများ၏ ဤပေါင်းစပ်မှုသည် မဂ္ဂနီဆီယမ်တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲဝေဖာများကို သိပ္ပံနည်းကျစူးစမ်းလေ့လာခြင်းနှင့် စက်မှုလုပ်ငန်းသုံးအတွက် စွယ်စုံရနှင့် အဖိုးတန်ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်စေသည်။
အလွန်ကောင်းမွန်သော လုပ်ငန်းစဉ်စွမ်းဆောင်ရည်၊ သတ္တုဖွဲ့စည်းခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်အမျိုးမျိုးကို အသုံးပြုနိုင်သည်။ ဈေးနှုန်းမှာ အတော်လေးသက်သာပြီး အင်ဂျင်နီယာပညာတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုသည့် အလေးချိန်ပေါ့ပါးသော သတ္တုများထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် အလွယ်တကူ အောက်ဆီဒေးရှင်းဖြစ်စေပြီး ချေးခံနိုင်ရည်ကို မြှင့်တင်ရန် မျက်နှာပြင်ပြုပြင်မှု လိုအပ်ပါသည်။ သိပ်သည်းဆနည်းသော အလူမီနီယမ်၏ ၂/၃ ခန့်သည် သတ္တုများစွာတွင် အပေါ့ပါးဆုံးဖြစ်သည်။ ခိုင်ခံ့မှုနှင့် မာကျောမှုကောင်းမွန်ပြီး အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်နှင့် နီးစပ်သော တောင့်တင်းမှုကြောင့် အလေးချိန်ပေါ့ပါးသော ဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာ အစိတ်အပိုင်းများအဖြစ် ပြုလုပ်နိုင်သည်။ အပူစီးကူးမှုကောင်းမွန်ပြီး အပူစီးကူးမှုကိန်းသည် အလူမီနီယမ်ထက် ၁.၁ ဆ ရှိသည်။
မဂ္ဂနီဆီယမ် (Mg) အောက်ခံများ၊ အထူးသဖြင့် single-crystal မဂ္ဂနီဆီယမ်မှ ပြုလုပ်ထားသော ಒಟ್ಟಾರೆများသည် ပေါ့ပါးခြင်း၊ အပူစီးကူးမှုမြင့်မားခြင်းနှင့် သီးခြားပုံဆောင်ခဲ ဦးတည်ချက်များကဲ့သို့သော ၎င်းတို့၏ ထူးခြားသောဂုဏ်သတ္တိများကြောင့် မတူညီသော သိပ္ပံနှင့် စက်မှုလုပ်ငန်းနယ်ပယ်များတွင် အသုံးချမှုအမျိုးမျိုးရှိသည်။

အောက်တွင် Mg အောက်ခံများ၏ အဓိကအသုံးချမှုအချို့ကို ဖော်ပြထားပါသည်။
Mg အောက်ခံများကို epitaxial ကြီးထွားမှုတွင် အသုံးများပြီး ပုံဆောင်ခဲအောက်ခံပေါ်တွင် ပစ္စည်းအလွှာပါးများကို စုပုံထားသည်။ <0001>၊ <11-20> နှင့် <1-102> ကဲ့သို့သော Mg အောက်ခံများ၏ တိကျသော ဦးတည်ချက်သည် ကိုက်ညီသော ကွက်တိဖွဲ့စည်းပုံများပါရှိသော ပါးလွှာသောဖလင်များ၏ ထိန်းချုပ်ထားသော ကြီးထွားမှုကို ခွင့်ပြုသည်။ မဂ္ဂနီဆီယမ်အောက်ခံများသည် အပူစီးကူးမှုမြင့်မားပြီး သိပ်သည်းဆနည်းသောကြောင့် LED ထုတ်လုပ်မှု၊ photovoltaic ဆဲလ်များနှင့် အခြားအလင်းထုတ်လွှတ်သည့် သို့မဟုတ် အလင်းအာရုံခံကိရိယာများကဲ့သို့သော အသုံးချမှုများအတွက် သင့်လျော်သည်။ Mg အောက်ခံများကို မဂ္ဂနီဆီယမ်၏ ချေးခြင်းအပြုအမူတွင် အသုံးပြုခြင်းသည် အာကာသနှင့် မော်တော်ကားကဲ့သို့သော စက်မှုလုပ်ငန်းများတွင် အထူးစိတ်ဝင်စားဖွယ်ကောင်းပြီး ပစ္စည်းအလေးချိန်လျှော့ချခြင်းကို ဦးစားပေးလုပ်ဆောင်သည်။

ကျွန်ုပ်တို့သည် မဂ္ဂနီဆီယမ်တစ်ကိုယ်တော်ပုံဆောင်ခဲအလွှာ၏ သတ်မှတ်ချက်များ၊ အထူနှင့်ပုံသဏ္ဍာန်အမျိုးမျိုးကို ဖောက်သည်များ၏ သီးခြားလိုအပ်ချက်များအရ စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်ပါသည်။ စုံစမ်းမေးမြန်းခြင်းကို ကြိုဆိုပါသည်။

အသေးစိတ်ပုံကြမ်း