LiNbO₃ ဝေဖာ ၂ လက်မ-၈ လက်မ အထူ ၀.၁ ~ ၀.၅ မီလီမီတာ TTV ၃ မိုက်ခရိုမီတာ စိတ်ကြိုက်

အကျဉ်းချုပ်ဖော်ပြချက်:

LiNbO₃ ဝေဖာများသည် ပေါင်းစပ်ဖိုတွန်နစ်နှင့် တိကျသောအသံပညာတွင် ရွှေစံနှုန်းကို ကိုယ်စားပြုပြီး ခေတ်မီ optoelectronic စနစ်များတွင် ယှဉ်နိုင်စရာမရှိသော စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပေးဆောင်ပါသည်။ ဦးဆောင်ထုတ်လုပ်သူတစ်ဦးအနေဖြင့် ကျွန်ုပ်တို့သည် အဆင့်မြင့် vapor transport equilibration နည်းပညာများမှတစ်ဆင့် ဤအင်ဂျင်နီယာအောက်ခံများကို ထုတ်လုပ်ခြင်းအနုပညာကို ပြီးပြည့်စုံအောင် ပြုလုပ်ထားပြီး 50/cm² အောက်ရှိ ချို့ယွင်းချက်သိပ်သည်းဆများဖြင့် လုပ်ငန်းတွင် ဦးဆောင်နေသော ပုံဆောင်ခဲပြီးပြည့်စုံမှုကို ရရှိစေပါသည်။

XKH ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်များသည် အချင်း 75mm မှ 150mm အထိ ရှိပြီး တိကျသော ဦးတည်ချက်ထိန်းချုပ်မှု (X/Y/Z-cut ±0.3°) နှင့် ရှားပါးဒြပ်စင်များအပါအဝင် အထူးပြု doping ရွေးချယ်မှုများပါရှိသည်။ LiNbO₃ Wafers ရှိ ဂုဏ်သတ္တိများ၏ ထူးခြားသော ပေါင်းစပ်မှု - ၎င်းတို့၏ ထူးခြားသော r₃₃ coefficient (32±2 pm/V) နှင့် near-UV မှ mid-IR အထိ ကျယ်ပြန့်သော ပွင့်လင်းမြင်သာမှု - သည် ၎င်းတို့ကို နောက်မျိုးဆက် photonic ဆားကစ်များနှင့် မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်း အသံပစ္စည်းများအတွက် မရှိမဖြစ်လိုအပ်စေသည်။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ

အင်္ဂါရပ်များ

နည်းပညာဆိုင်ရာ ကန့်သတ်ချက်များ

ပစ္စည်း	အလင်းတန်း LiNbO3 ဝေဖ့်များ
ကျူရီ အပူချိန်	၁၁၄၂ ± ၂.၀ ℃
ဖြတ်တောက်ထောင့်	X/Y/Z စသည်တို့
အချင်း/အရွယ်အစား	၂"/၃"/၄"/၆"/၈"
တိုလ်(±)	<၀.၂၀ မီလီမီတာ
အထူ	၀.၁ ~ ၀.၅ မီလီမီတာ သို့မဟုတ် ထို့ထက်ပိုသော
မူလတန်းတိုက်ခန်း	၁၆ မီလီမီတာ/၂၂ မီလီမီတာ/၃၂ မီလီမီတာ
တီတီဗီ	<၃ မိုက်ခရိုမီတာ
လေး	-၃၀
ဝါ့ပ်	<၄၀ မိုက်ခရိုမီတာ
ပြားချပ်ချပ် ဦးတည်ချက်	အားလုံးရရှိနိုင်ပါသည်
မျက်နှာပြင်အမျိုးအစား	တစ်ဖက်ခြမ်း ඔප දැමීම / နှစ်ဖက်ခြမ်း ඔප දැමීම
ပွတ်တိုက်ထားသော ဘေးဘက် Ra	<၀.၅ နာနိုမီတာ
S/D	၂၀/၁၀
အနားသတ် စံနှုန်းများ	R=0.2mm သို့မဟုတ် Bullnose
အလင်းပညာဖြင့် ရောစပ်ထားသော	အလင်းတန်း LN< ဝေဖာများအတွက် Fe/Zn/MgO စသည်တို့
ဝေဖာမျက်နှာပြင် စံနှုန်းများ	အလင်းယိုင်ညွှန်းကိန်း	နံပါတ် = ၂.၂၈၇၈ / Ne = ၂.၂၀၃၃ @၆၃၂nm လှိုင်းအလျား
	ညစ်ညမ်းမှု၊	မရှိပါ
	အမှုန်များ ￠>0.3 µm	<= ၃၀
	ခြစ်ရာ၊ အက်ကွဲကြောင်းများ	မရှိပါ
	ချို့ယွင်းချက်	အနားစွန်း အက်ကွဲခြင်း၊ ခြစ်ရာများ၊ လွှစက်ရာများ၊ အစွန်းအထင်းများ မရှိပါ
ထုပ်ပိုးခြင်း	အရေအတွက်/ဝေဖာဘူး	တစ်ဘူးလျှင် ၂၅ ခု

ကျွန်ုပ်တို့၏ LiNbO₃ ဝေဖာများ၏ အဓိကဂုဏ်သတ္တိများ

၁။ ဖိုတွန်နစ်စွမ်းဆောင်ရည်လက္ခဏာများ

ကျွန်ုပ်တို့၏ LiNbO₃ Wafer များသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော အလင်း-ဒြပ်ထု အပြန်အလှန် ဆက်သွယ်မှုစွမ်းရည်များကို ပြသထားပြီး၊ nonlinear optical coefficients များသည် 42 pm/V အထိ ရောက်ရှိကာ quantum photonics အတွက် အရေးကြီးသော ထိရောက်သော wavelength conversion လုပ်ငန်းစဉ်များကို ဖြစ်စေသည်။ အဆိုပါ substrates များသည် 320-5200nm တစ်လျှောက် >72% transmission ကို ထိန်းသိမ်းထားပြီး၊ အထူးအင်ဂျင်နီယာထားသော ဗားရှင်းများသည် telecom wavelengths များတွင် <0.2dB/cm propagation loss ကို ရရှိစေသည်။

၂။ အသံလှိုင်းအင်ဂျင်နီယာ

ကျွန်ုပ်တို့၏ LiNbO₃ Wafer များ၏ ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံသည် 3800 m/s ထက်ကျော်လွန်သော မျက်နှာပြင်လှိုင်းအလျင်များကို ပံ့ပိုးပေးပြီး 12GHz အထိ resonator လည်ပတ်မှုကို ခွင့်ပြုသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ မူပိုင် polishing နည်းပညာများသည် အပူချိန်တည်ငြိမ်မှုကို ±15ppm/°C အတွင်း ထိန်းသိမ်းထားစဉ်တွင် 1.2dB အောက် insertion losses ရှိသော မျက်နှာပြင်အသံလှိုင်း (SAW) ကိရိယာများကို ထုတ်ပေးပါသည်။

၃။ ပတ်ဝန်းကျင်ဆိုင်ရာ ခံနိုင်ရည်ရှိမှု

အလွန်အမင်းအခြေအနေများကို ခံနိုင်ရည်ရှိစေရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသော ကျွန်ုပ်တို့၏ LiNbO₃ ဝေဖာများသည် cryogenic အပူချိန်မှ 500°C လည်ပတ်မှုပတ်ဝန်းကျင်အထိ လုပ်ဆောင်နိုင်စွမ်းကို ထိန်းသိမ်းထားသည်။ ဤပစ္စည်းသည် စွမ်းဆောင်ရည်သိသိသာသာ ကျဆင်းခြင်းမရှိဘဲ >1Mrad စုစုပေါင်း ionizing dose ကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ထူးခြားသော ရောင်ခြည်မာကျောမှုကို ပြသသည်။

၄။ အပလီကေးရှင်း-သီးသန့် ဖွဲ့စည်းပုံများ

ကျွန်ုပ်တို့တွင် ဒိုမိန်းအင်ဂျင်နီယာဗားရှင်းများကို ပေးဆောင်သည်- အပါအဝင်
5-50μm ဒိုမိန်းကာလများပါရှိသော အခါအားလျော်စွာ poled လုပ်ထားသောဖွဲ့စည်းပုံများ
ဟိုက်ဘရစ်ပေါင်းစပ်မှုအတွက် အိုင်းယွန်းဖြင့် လှီးဖြတ်ထားသော အလွှာပါးများ
အထူးပြုအသုံးချမှုများအတွက် Metamaterial-မြှင့်တင်ထားသော ဗားရှင်းများ

LiNbO₃ ဝေဖာများအတွက် အကောင်အထည်ဖော်မှု အခြေအနေများ

၁။ နောက်မျိုးဆက် Optical Networks
LiNbO₃ Wafer များသည် terabit-scale optical transceiver များအတွက် ကျောရိုးအဖြစ် ဆောင်ရွက်ပေးပြီး အဆင့်မြင့် nested modulator ဒီဇိုင်းများမှတစ်ဆင့် 800Gbps coherent transmission ကို ဖြစ်စေသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ substrates များကို AI/ML accelerator စနစ်များတွင် co-packaged optics အကောင်အထည်ဖော်မှုများအတွက် ပိုမိုအသုံးပြုလာကြသည်။
2.6G RF ရှေ့တန်းများ
LiNbO₃ Wafers ၏ နောက်ဆုံးမျိုးဆက်သည် 20GHz အထိ ultra-wideband filtering ကို ပံ့ပိုးပေးပြီး 6G စံနှုန်းအသစ်များ၏ spectrum လိုအပ်ချက်များကို ဖြေရှင်းပေးပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ ပစ္စည်းများသည် 2000 ထက်ကျော်လွန်သော Q factor များပါရှိသော ထူးခြားဆန်းသစ်သော acoustic resonator architectures များကို ဖန်တီးပေးပါသည်။
၃။ ကွမ်တမ် သတင်းအချက်အလက်စနစ်များ
တိကျသော poled LiNbO₃ ဝေဖာများသည် ၉၀% > pair generation efficiency ရှိသော entangled photon source များအတွက် အခြေခံအုတ်မြစ်ဖြစ်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ substrates များသည် photonic quantum computing နှင့် လုံခြုံသော ဆက်သွယ်ရေးကွန်ရက်များတွင် တိုးတက်မှုများကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်။
၄။ အဆင့်မြင့် အာရုံခံဖြေရှင်းချက်များ
1550nm တွင်လည်ပတ်သော မော်တော်ကား LiDAR မှသည် အလွန်အာရုံခံနိုင်သော gravimetric sensor များအထိ၊ LiNbO₃ Wafer များသည် အရေးကြီးသော transduction platform ကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ ပစ္စည်းများသည် အာရုံခံကိရိယာ resolution ကို single-molecule ထောက်လှမ်းမှုအဆင့်အထိ ပံ့ပိုးပေးပါသည်။

LiNbO₃ဝေဖာများ၏ အဓိကအားသာချက်များ

၁။ ယှဉ်နိုင်စရာမရှိသော အီလက်ထရို-အော့ပတစ် စွမ်းဆောင်ရည်
အလွန်မြင့်မားသော Electro-Optic Coefficient (r₃₃~30-32 pm/V): စီးပွားဖြစ် လီသီယမ် နိုင်အိုဘိတ် ဝေဖာများအတွက် စက်မှုလုပ်ငန်း စံနှုန်းကို ကိုယ်စားပြုပြီး ဆီလီကွန်အခြေခံ သို့မဟုတ် ပိုလီမာ ဖြေရှင်းချက်များ၏ စွမ်းဆောင်ရည် ကန့်သတ်ချက်များကို ကျော်လွန်သည့် 200Gbps+ မြန်နှုန်းမြင့် optical modulators များကို ဖြစ်စေသည်။

အလွန်နိမ့်သော ထည့်သွင်းမှုဆုံးရှုံးမှု (<0.1 dB/cm): နာနိုစကေး ඔප දැමීම (Ra<0.3 nm) နှင့် anti-reflection (AR) အပေါ်ယံလွှာများမှတစ်ဆင့် ရရှိပြီး optical communication module များ၏ စွမ်းအင်ထိရောက်မှုကို သိသိသာသာ မြှင့်တင်ပေးပါသည်။

၂။ သာလွန်ကောင်းမွန်သော Piezoelectric နှင့် Acoustic ဂုဏ်သတ္တိများ
ကြိမ်နှုန်းမြင့် SAW/BAW စက်ပစ္စည်းများအတွက် အသင့်တော်ဆုံး- 3500-3800 m/s အသံအလျင်များဖြင့် ဤဝေဖာများသည် ထည့်သွင်းမှုဆုံးရှုံးမှု <1.0 dB ပါရှိသော 6G mmWave (24-100 GHz) filter ဒီဇိုင်းများကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။

မြင့်မားသော Electromechanical Coupling Coefficient (K²~0.25%): RF ရှေ့ပိုင်းအစိတ်အပိုင်းများတွင် bandwidth နှင့် signal ရွေးချယ်မှုတို့ကို မြှင့်တင်ပေးသောကြောင့် 5G/6G အခြေစိုက်စခန်းများနှင့် ဂြိုလ်တုဆက်သွယ်ရေးများအတွက် သင့်လျော်စေသည်။

၃။ Broadband ပွင့်လင်းမြင်သာမှုနှင့် Nonlinear Optical Effects
Ultra-Wide Optical Transmission Window (350-5000 nm): UV မှ အလယ်အလတ် IR ရောင်စဉ်များကို ဖုံးအုပ်ပေးသောကြောင့် အောက်ပါကဲ့သို့သော အသုံးချမှုများကို ပြုလုပ်နိုင်သည်-

ကွမ်တမ်အလင်းပညာ- အခါအားလျော်စွာ ပိုလိတ် (PPLN) ဖွဲ့စည်းမှုများသည် ချိတ်ဆက်နေသော ဖိုတွန်အတွဲထုတ်လုပ်ရာတွင် >90% ထိရောက်မှုကို ရရှိစေပါသည်။

လေဆာစနစ်များ- Optical parametric oscillation (OPO) သည် ချိန်ညှိနိုင်သော wavelength output (1-10 μm) ကို ထုတ်ပေးပါသည်။

ထူးခြားသော လေဆာပျက်စီးမှု ကန့်သတ်ချက် (>1 GW/cm²): ပါဝါမြင့် လေဆာအသုံးချမှုများအတွက် တင်းကျပ်သော လိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီပါသည်။

၄။ ပတ်ဝန်းကျင်တည်ငြိမ်မှု အလွန်အမင်း
အပူချိန်မြင့်ခံနိုင်ရည်ရှိမှု (Curie point: 1140°C): -200°C မှ +500°C အတွင်း တည်ငြိမ်သောစွမ်းဆောင်ရည်ကို ထိန်းသိမ်းထားပြီး အောက်ပါတို့အတွက် အသင့်တော်ဆုံးဖြစ်သည်-

မော်တော်ကား အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ (အင်ဂျင်ခန်း အာရုံခံကိရိယာများ)

အာကာသယာဉ် (အာကာသအတွင်း အလင်းတန်းဆိုင်ရာ အစိတ်အပိုင်းများ)

ရောင်ခြည်မာကျောမှု (>1 Mrad TID): MIL-STD-883 စံနှုန်းများနှင့် ကိုက်ညီပြီး နျူကလီးယားနှင့် ကာကွယ်ရေး အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများအတွက် သင့်လျော်သည်။

၅။ စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်ခြင်းနှင့် ပေါင်းစပ်ခြင်း ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ရှိခြင်း
ပုံဆောင်ခဲ ဦးတည်ချက်နှင့် ဒိုပင်း အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် ပြုလုပ်ခြင်း-

X/Y/Z-ဖြတ်တောက်ထားသော ဝေဖာများ (±0.3° တိကျမှု)

အမြင်အာရုံပျက်စီးမှုကို ပိုမိုကောင်းမွန်စွာ ခံနိုင်ရည်ရှိစေရန်အတွက် MgO အစားထိုးခြင်း (5 mol%)

မတူညီသော ပေါင်းစည်းမှု ပံ့ပိုးမှု-

ဆီလီကွန်ဖိုတွန်နစ် (SiPh) နှင့် ပေါင်းစပ်ပေါင်းစပ်ရန်အတွက် thin-film LiNbO₃-on-Insulator (LNOI) နှင့် တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်သည်

ပူးတွဲထုပ်ပိုးထားသော မှန်ဘီလူးများ (CPO) အတွက် wafer-level bonding ကို ဖွင့်ပေးသည်

၆။ တိုးချဲ့နိုင်သော ထုတ်လုပ်မှုနှင့် ကုန်ကျစရိတ် ထိရောက်မှု
၆ လက်မ (၁၅၀ မီလီမီတာ) ဝေဖာ အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှု- ရိုးရာ ၄ လက်မ လုပ်ငန်းစဉ်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ယူနစ်ကုန်ကျစရိတ်ကို ၃၀% လျှော့ချပေးသည်။

အမြန်ပို့ဆောင်ခြင်း- စံထုတ်ကုန်များကို ၃ ပတ်အတွင်း ပို့ဆောင်ပေးပါသည်။ အသုတ်ငယ်ပုံစံငယ်များ (အနည်းဆုံး ဝေဖာ ၅ ခု) ကို ၁၀ ရက်အတွင်း ပို့ဆောင်ပေးပါသည်။

XKH ဝန်ဆောင်မှုများ

၁။ ပစ္စည်းဆန်းသစ်တီထွင်မှုဓာတ်ခွဲခန်း
ကျွန်ုပ်တို့၏ ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုကျွမ်းကျင်သူများသည် အောက်ပါတို့အပါအဝင် အသုံးချမှုအလိုက် LiNbO₃ ဝေဖာဖော်မြူလာများကို တီထွင်ရန် သုံးစွဲသူများနှင့် ပူးပေါင်းဆောင်ရွက်ကြသည်-

အလင်းဆုံးရှုံးမှု နည်းပါးသော မျိုးကွဲများ (<0.05dB/cm2)

ပါဝါမြင့် ကိုင်တွယ်မှု ပုံစံများ

ရောင်ခြည်ဒဏ်ခံနိုင်သော ပေါင်းစပ်ဖွဲ့စည်းမှုများ

၂။ အမြန်ပုံစံငယ်ထုတ်လုပ်ခြင်းပိုက်လိုင်း
ဒီဇိုင်းရေးဆွဲခြင်းမှ ပို့ဆောင်ခြင်းအထိ ၁၀ ရက်အတွင်း ပို့ဆောင်ပေးပါမည်-

စိတ်ကြိုက် ဦးတည်ချက် ဝေဖာများ

ပုံစံတူ အီလက်ထရုတ်များ

ကြိုတင်သတ်မှတ်ထားသော နမူနာများ

၃။ စွမ်းဆောင်ရည် အသိအမှတ်ပြုလက်မှတ်
LiNbO₃ ဝေဖာတင်ပို့မှုတိုင်းတွင် အောက်ပါတို့ပါဝင်သည်-

ရောင်စဉ်တန်း အပြည့်အစုံ ခွဲခြားသတ်မှတ်ခြင်း

ပုံဆောင်ခဲများ တိမ်းညွတ်မှု အတည်ပြုခြင်း

မျက်နှာပြင်အရည်အသွေးအသိအမှတ်ပြုလက်မှတ်

၄။ ထောက်ပံ့ရေးကွင်းဆက်အာမခံချက်