3 လက်မ Dia76.2mm SiC အလွှာ HPSI Prime Research နှင့် Dummy အဆင့်

လျှပ်ကူးနိုင်သောအလွှာ- 15 ~ 30mΩ-cm ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာ၏ခံနိုင်ရည်အားရည်ညွှန်းသည်။ လျှပ်ကူးဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာမှ ပေါက်ဖွားလာသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက် epitaxial wafer အား စွမ်းအင်သုံးကားအသစ်များ၊ photovoltaics၊ smart grids နှင့် ရထားပို့ဆောင်ရေးတို့တွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုသည့် ပါဝါစက်ပစ္စည်းများအဖြစ် ထပ်မံပြုလုပ်နိုင်ပါသည်။

Semi- insulating substrate သည် 100000Ω-cm ထက်ပိုမိုမြင့်မားသော ခံနိုင်ရည်အား ရည်ညွှန်းသည် ၊ ဂယ်လီယမ်နိုက်ထရိတ် မိုက်ခရိုဝေ့ဖ် ရေဒီယိုကြိမ်နှုန်း ကိရိယာများ ထုတ်လုပ်ရာတွင် အဓိကအားဖြင့် အသုံးပြုသည့် 100000Ω-cm silicon carbide substrate သည် ကြိုးမဲ့ဆက်သွယ်ရေးနယ်ပယ်၏ အခြေခံဖြစ်သည်။

၎င်းသည် ကြိုးမဲ့ဆက်သွယ်ရေးနယ်ပယ်တွင် အခြေခံအစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။

Silicon carbide conductive နှင့် semi- insulating substrates များကို အောက်ပါ အကန့်အသတ်မရှိ အပါအဝင် အီလက်ထရွန်နစ် ကိရိယာများနှင့် ပါဝါစက်ပစ္စည်း အများအပြားတွင် အသုံးပြုသည်-

စွမ်းအားမြင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း (conductive)- ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာများသည် ပြိုကွဲနေသော အကွက်အားနှင့် အပူစီးကူးနိုင်မှု မြင့်မားပြီး ပါဝါမြင့်မားသော ပါဝါထရန်စစ္စတာများနှင့် ဒိုင်အိုဒက်များနှင့် အခြားစက်ပစ္စည်းများ ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် သင့်လျော်ပါသည်။

RF အီလက်ထရွန်နစ်ကိရိယာများ (တစ်ပိုင်းလျှပ်ကာ)- Silicon Carbide အလွှာများသည် RF ပါဝါအသံချဲ့စက်များ၊ မိုက်ခရိုဝေ့ဖ်ကိရိယာများနှင့် ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားသောခလုတ်များကဲ့သို့သော အပလီကေးရှင်းများအတွက် သင့်လျော်သော ကူးပြောင်းမှုအမြန်နှုန်းနှင့် ပါဝါခံနိုင်ရည်မြင့်မားပါသည်။

Optoelectronic ကိရိယာများ (တစ်ပိုင်းလျှပ်ကာများ)- ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာများသည် ကျယ်ပြန့်သောစွမ်းအင်ကွာဟချက်ရှိပြီး မြင့်မားသောအပူတည်ငြိမ်မှုရှိပြီး၊ photodiodes၊ ဆိုလာဆဲလ်များနှင့် လေဆာဒိုင်အိုဒများနှင့် အခြားကိရိယာများပြုလုပ်ရန်အတွက် သင့်လျော်သည်။

အပူချိန်အာရုံခံကိရိယာများ (လျှပ်ကူးမှု)- ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာများသည် မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှုနှင့် အပူတည်ငြိမ်မှုရှိပြီး အပူချိန်မြင့်အာရုံခံကိရိယာများနှင့် အပူချိန်တိုင်းတာခြင်းကိရိယာများထုတ်လုပ်ရန်အတွက် သင့်လျော်သည်။

ဆီလီကွန်ကာဗိုက်လျှပ်ကူးနှင့်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကာအလွှာများ၏ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်နှင့်အသုံးချမှုတွင်ကျယ်ပြန့်သောနယ်ပယ်များနှင့်အလားအလာများရှိပြီးအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများနှင့်ပါဝါကိရိယာများဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက်ဖြစ်နိုင်ခြေအသစ်များကိုပေးဆောင်သည်။