3လက်မ 76.2mm 4H-Semi SiC အလွှာ wafer Silicon Carbide Semi-sulting SiC wafers

3inch 76.2mm 4H-Semi SiC အလွှာ wafer Silicon Carbide Semi-sulting SiC wafers အထူးအသားပေးပုံ

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

အရည်အသွေးမြင့် တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲ SiC wafer ( Silicon Carbide ) သည် အီလက်ထရွန်းနစ်နှင့် optoelectronic လုပ်ငန်းအတွက် ဖြစ်သည်။3inch SiC wafer သည် မျိုးဆက်သစ် ဆီလီကွန်-ကာဘိုင် wafers များ၊ semi-insulating silicon-carbide wafers များဖြစ်သည်။wafers များသည် ပါဝါ၊ RF နှင့် optoelectronics ကိရိယာများ ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် ရည်ရွယ်ပါသည်။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ။

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

ကုန်ပစ္စည်းသတ်မှတ်ချက်

3 လက်မ 4H တစ်ပိုင်းလျှပ်ကာ SiC (ဆီလီကွန်ကာဗိုက်) ဆပ်စထရိတ် wafers များသည် အသုံးများသော semiconductor ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။4H သည် tetrahexahedral ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံကို ညွှန်ပြသည်။Semi- insulation ဆိုသည်မှာ အလွှာသည် မြင့်မားသော ခုခံမှုလက္ခဏာများရှိပြီး လက်ရှိစီးဆင်းမှုမှ အနည်းငယ်ခွဲထုတ်နိုင်သည်ဟု ဆိုလိုသည်။

ထိုကဲ့သို့သော ဆပ်ပြာမှုန့်များသည် အောက်ပါလက္ခဏာများ ရှိသည်- မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှု၊ လျှပ်ကူးမှုနည်းသောဆုံးရှုံးမှု၊ အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူချိန်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး အလွန်ကောင်းမွန်သော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတုဗေဒတည်ငြိမ်မှုတို့ ဖြစ်သည်။ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် ကျယ်ပြန့်သောစွမ်းအင်ကွာဟချက်ရှိပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်နှင့် မြင့်မားသောလျှပ်စစ်စက်ကွင်းအခြေအနေများကို ခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့် 4H-SiC တစ်ပိုင်းလျှပ်ကာဝေဖာများကို ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်နှင့် ရေဒီယိုကြိမ်နှုန်း (RF) စက်များတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုကြသည်။

4H-SiC semi-insulated wafers များ၏ အဓိက အသုံးချမှုများတွင်-

1--ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ- 4H-SiC wafers များကို MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors), IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) နှင့် Schottky diodes ကဲ့သို့သော ပါဝါကူးပြောင်းကိရိယာများ ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။ဤစက်ပစ္စည်းများသည် မြင့်မားသောဗို့အားနှင့် အပူချိန်မြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်များတွင် လျှပ်ကူးမှုနှင့် ကူးပြောင်းမှုဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးပြီး ပိုမိုထိရောက်မှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို ပေးဆောင်သည်။

2--Radio Frequency (RF) ကိရိယာများ- 4H-SiC semi- insulated wafers များကို စွမ်းအားမြင့်၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့် RF ပါဝါအမ်ပလီယာများ၊ ချစ်ပ်ခံကိရိယာများ၊ စစ်ထုတ်ကိရိယာများနှင့် အခြားစက်ပစ္စည်းများကို ဖန်တီးရန်အတွက် အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။Silicon carbide သည် ၎င်း၏ ပိုကြီးသော အီလက်ထရွန် ရွှဲပျံမှုနှုန်းနှင့် အပူစီးကူးနိုင်မှု မြင့်မားခြင်းကြောင့် ကြိမ်နှုန်းမြင့်သော စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် အပူတည်ငြိမ်မှု ပိုမိုကောင်းမွန်သည်။

3--Optoelectronic ကိရိယာများ- 4H-SiC တစ်ပိုင်းလျှပ်ကာ wafers များကို ပါဝါမြင့်သော လေဆာဒိုင်အိုဒိတ်များ၊ UV light detectors များနှင့် optoelectronic ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များ ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။

စျေးကွက်ဦးတည်ချက်အရ 4H-SiC တစ်ပိုင်းလျှပ်ကာဝေဖာများအတွက် ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်း၊ RF နှင့် optoelectronics နယ်ပယ်များနှင့်အတူ တိုးပွားလာနေသည်။ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် စွမ်းအင်ထိရောက်မှု၊ လျှပ်စစ်ကားများ၊ ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်နှင့် ဆက်သွယ်ရေးများအပါအဝင် ကျယ်ပြန့်သောအသုံးချပရိုဂရမ်များပါရှိသောကြောင့်ဖြစ်သည်။အနာဂတ်တွင် 4H-SiC semi- insulated wafers စျေးကွက်သည် အလွန်အလားအလာကောင်းပြီး သမားရိုးကျ ဆီလီကွန်ပစ္စည်းများကို အသုံးချမှုအမျိုးမျိုးတွင် အစားထိုးရန် မျှော်လင့်ပါသည်။