6 လက်မ-8 လက်မ LN-on-Si ပေါင်းစပ်အလွှာအထူ 0.3-50 μm Si/SiC/Sapphire ပစ္စည်းများ၊

6 လက်မ-8 လက်မ LN-on-Si ပေါင်းစပ်အလွှာအထူ 0.3-50 μm Si/SiC/Sapphire of Materials အထူးအသားပေးပုံ

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

6 လက်မမှ 8 လက်မအရွယ် LN-on-Si ပေါင်းစပ်အလွှာသည် အထူ 0.3 μm မှ 50 μm မှ single-crystal lithium niobate (LN) ပါးလွှာသောရုပ်ရှင်များကို ဆီလီကွန် (Si) အလွှာများနှင့် ပေါင်းစပ်ထားသည့် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်ပစ္စည်းဖြစ်သည်။ ၎င်းကို အဆင့်မြင့် semiconductor နှင့် optoelectronic device fabrication အတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ အဆင့်မြင့်ချည်နှောင်ခြင်း သို့မဟုတ် epitaxial ကြီးထွားမှုနည်းပညာများကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့်၊ ဤအလွှာသည် ထုတ်လုပ်မှုထိရောက်မှုနှင့် ကုန်ကျစရိတ်သက်သာမှုကို မြှင့်တင်ရန် ဆီလီကွန်အလွှာ၏ကြီးမားသော wafer အရွယ်အစား (6 လက်မမှ 8 လက်မ) ကို အသုံးပြုနေစဉ် LN ပါးလွှာသောဖလင်၏ ပုံဆောင်ခဲအရည်အသွေးကို အာမခံပါသည်။
သမားရိုးကျ အစုလိုက် LN ပစ္စည်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက 6 လက်မမှ 8 လက်မအရွယ် LN-on-Si ပေါင်းစပ်အလွှာသည် သာလွန်ကောင်းမွန်သော အပူနှင့် ကိုက်ညီမှုနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ တည်ငြိမ်မှုကို ပေးစွမ်းသောကြောင့် ၎င်းသည် ကြီးမားသော wafer အဆင့်လုပ်ဆောင်မှုအတွက် သင့်လျော်ပါသည်။ ထို့အပြင်၊ SiC သို့မဟုတ် နီလာကဲ့သို့သော အစားထိုးအခြေခံပစ္စည်းများဖြစ်သည့် ကြိမ်နှုန်းမြင့် RF စက်များ၊ ပေါင်းစပ်ဓာတ်ပုံနစ်များနှင့် MEMS အာရုံခံကိရိယာများအပါအဝင် သီးခြားလျှောက်လွှာလိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီရန် ရွေးချယ်နိုင်သည်။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ။

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

ကုန်ပစ္စည်း တံဆိပ်များ

နည်းပညာဆိုင်ရာ ကန့်သတ်ချက်များ

Insulator များတွင် 0.3-50μm LN/LT
အပေါ်ဆုံးအလွှာ
လုံးပတ်	၆-၈ လက်မ
တိမ်းညွှတ်မှု	X၊ Z၊ Y-42 စသဖြင့်
ပစ္စည်းများ	LT, LN
အထူ	0.3-50μm
အလွှာ (စိတ်ကြိုက်)
ပစ္စည်း	Si, SiC, Sapphire, Spinel, Quartz

အဓိကအင်္ဂါရပ်များ

6 လက်မမှ 8 လက်မအရွယ် LN-on-Si ပေါင်းစပ်အလွှာသည် ၎င်း၏ထူးခြားသော ပစ္စည်းဂုဏ်သတ္တိများနှင့် ညှိနိုင်သော ကန့်သတ်ချက်များဖြင့် ခွဲခြားထားပြီး၊ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် optoelectronic လုပ်ငန်းများတွင် ကျယ်ပြန့်စွာ အသုံးချနိုင်စေသည်-

1.Large Wafer လိုက်ဖက်နိုင်မှု- 6-လက်မမှ 8-လက်မ wafer အရွယ်အစားသည် ရှိပြီးသား semiconductor fabrication လိုင်းများ (ဥပမာ၊ CMOS လုပ်ငန်းစဉ်များ) နှင့် ချောမွေ့စွာ ပေါင်းစပ်မှုကို သေချာစေသည်၊ ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်ကို လျှော့ချပေးပြီး အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှုကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။

2.High Crystalline Quality- ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ထားသော epitaxial သို့မဟုတ် bonding နည်းပညာများသည် LN ပါးလွှာသောဖလင်တွင် ချို့ယွင်းချက်သိပ်သည်းဆနည်းပါးကြောင်း သေချာစေပြီး စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် optical modulators၊ surface acoustic wave (SAW) filters များနှင့် အခြားသောတိကျသောကိရိယာများအတွက် စံပြဖြစ်စေပါသည်။

3. ချိန်ညှိနိုင်သော အထူ (0.3-50 μm)- အလွန်ပါးလွှာသော LN အလွှာများ (<1 μm) သည် ပေါင်းစပ်ဓာတ်ပုံနစ်ချစ်ပ်များအတွက် သင့်လျော်ပြီး ပိုထူသောအလွှာများ (10-50 μm) သည် စွမ်းအားမြင့် RF စက်များ သို့မဟုတ် piezoelectric အာရုံခံကိရိယာများကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။

4.Multiple Substrate Options- Si အပြင် SiC (high thermal conductivity) သို့မဟုတ် sapphire (high insulation) ကို ကြိမ်နှုန်းမြင့်၊ အပူချိန်မြင့် သို့မဟုတ် ပါဝါမြင့်မားသော applications များ၏ လိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းရန်အတွက် အခြေခံပစ္စည်းများအဖြစ် ရွေးချယ်နိုင်ပါသည်။

5.Thermal and Mechanical Stability- ဆီလီကွန်အလွှာသည် ပြုပြင်နေစဉ်အတွင်း ကွဲထွက်ခြင်း သို့မဟုတ် ကွဲအက်ခြင်းများကို လျော့နည်းစေပြီး စက်ပစ္စည်းအထွက်နှုန်းကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေသည့် ခိုင်မာသောစက်ပိုင်းဆိုင်ရာပံ့ပိုးမှုကို ပေးပါသည်။

ဤအရည်အသွေးများသည် 6-လက်မမှ 8-လက်မ LN-on-Si ပေါင်းစပ်အလွှာကို 5G ဆက်သွယ်ရေး၊ LiDAR နှင့် ကွမ်တမ် optics ကဲ့သို့သော နောက်ဆုံးပေါ်နည်းပညာများအတွက် ဦးစားပေးပစ္စည်းများအဖြစ် နေရာချထားပါသည်။

အဓိက အသုံးချမှုများ

6 လက်မမှ 8 လက်မအရွယ် LN-on-Si ပေါင်းစပ်အလွှာအား ၎င်း၏ထူးခြားသောလျှပ်စစ်အလင်း၊ ပီဇိုလျှပ်စစ်နှင့် အသံပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများကြောင့် နည်းပညာမြင့်စက်မှုလုပ်ငန်းများတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုသည်-

1.Optical Communications နှင့် Integrated Photonics- မြန်နှုန်းမြင့် အီလက်ထရွန်းနစ် မော်ဂျူလတာများ၊ လှိုင်းလမ်းညွှန်များနှင့် ဖိုနစ်ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များ (PICs) ကို ဖွင့်ပေးသည်)၊ ဒေတာစင်တာများနှင့် ဖိုက်ဘာအော့ပတစ် ကွန်ရက်များ၏ bandwidth လိုအပ်ချက်များကို ဖြေရှင်းပေးသည်။

2.5G/6G RF စက်များ- LN ၏ မြင့်မားသော piezoelectric coefficient သည် မျက်နှာပြင် acoustic wave (SAW) နှင့် bulk acoustic wave (BAW) filters များအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်ပြီး 5G အခြေစိုက်စခန်းများနှင့် မိုဘိုင်းစက်ပစ္စည်းများတွင် အချက်ပြလုပ်ဆောင်မှုကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေသည်။

3.MEMS နှင့် အာရုံခံကိရိယာများ- LN-on-Si ၏ piezoelectric အကျိုးသက်ရောက်မှုသည် ဆေးဘက်ဆိုင်ရာနှင့် စက်မှုလုပ်ငန်းဆိုင်ရာ အသုံးချမှုများအတွက် မြင့်မားသော sensitivity accelerometers၊ biosensors နှင့် ultrasonic transducers တို့ကို လွယ်ကူချောမွေ့စေသည်။

4.Quantum Technologies- လိုင်းမဟုတ်သော optical ပစ္စည်းတစ်ခုအနေဖြင့် LN ပါးလွှာသောဖလင်များကို ကွမ်တမ်အလင်းရင်းမြစ်များ (ဥပမာ- ဖိုတွန်အတွဲများ) နှင့် ပေါင်းစပ်ထားသော ကွမ်တမ်ချစ်ပ်ပြားများတွင် အသုံးပြုပါသည်။

5.Lasers နှင့် Nonlinear Optics- Ultrathin LN အလွှာများသည် လေဆာလုပ်ဆောင်ခြင်းနှင့် spectroscopic ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခြင်းအတွက် ထိရောက်သောဒုတိယသဟဇာတမျိုးဆက် (SHG) နှင့် optical parametric oscillation (OPO) ကိရိယာများကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။

စံပြုထားသော 6 လက်မမှ 8 လက်မအရွယ် LN-on-Si ပေါင်းစပ်အလွှာသည် ဤစက်ပစ္စည်းများကို ကြီးမားသော wafer Fabs များဖြင့် ထုတ်လုပ်နိုင်စေပြီး ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်ကို သိသိသာသာ လျှော့ချပေးသည်။

စိတ်ကြိုက်ပြုပြင်ခြင်းနှင့် ဝန်ဆောင်မှုများ

ကွဲပြားသော R&D နှင့် ထုတ်လုပ်မှုလိုအပ်ချက်များကိုဖြည့်ဆည်းရန် 6-လက်မမှ 8-လက်မ LN-on-Si ပေါင်းစပ်အလွှာအတွက် ပြီးပြည့်စုံသောနည်းပညာပံ့ပိုးမှုနှင့် စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်ခြင်းဝန်ဆောင်မှုများကို ပေးဆောင်ပါသည်-

1.Custom Fabrication- LN ဖလင်အထူ (0.3-50 μm)၊ crystal orientation (X-cut/Y-cut) နှင့် substrate material (Si/SiC/sapphire) တို့ကို စက်ပစ္စည်း၏စွမ်းဆောင်ရည်ကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် ချိန်ညှိနိုင်သည်။

2.Wafer-Level Processing- ဒိုင်ခွက်များ၊ ပွတ်တိုက်ခြင်းနှင့် အပေါ်ယံပိုင်း ကဲ့သို့သော နောက်ကျောဝန်ဆောင်မှုများ အပါအဝင် 6 လက်မနှင့် 8 လက်မ wafer များ အစုလိုက် ပံ့ပိုးပေးခြင်းဖြင့် ကိရိယာ ပေါင်းစပ်မှုအတွက် အဆင်သင့်ဖြစ်ပါစေ။

3.Technical Consultation and Testing- ဒီဇိုင်းအတည်ပြုမှုကို အရှိန်မြှင့်ရန်အတွက် ပစ္စည်းဆိုင်ရာ လက္ခဏာရပ်များ (ဥပမာ၊ XRD၊ AFM)၊ electro-optic စွမ်းဆောင်ရည်စမ်းသပ်ခြင်းနှင့် ဒီဇိုင်းအတည်ပြုခြင်းတို့ကို အရှိန်မြှင့်ရန် ပံ့ပိုးမှု။

ကျွန်ုပ်တို့၏တာဝန်မှာ 6-လက်မမှ 8-လက်မ LN-on-Si ပေါင်းစပ်အလွှာကို optoelectronic နှင့် semiconductor applications များအတွက် core material solution အဖြစ် R&D မှ အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှုအထိ အဆုံးမှအဆုံးထိ ပံ့ပိုးပေးနိုင်ရန်ဖြစ်သည်။

နိဂုံး

၎င်း၏ကြီးမားသော wafer အရွယ်အစား၊ သာလွန်ကောင်းမွန်သောပစ္စည်းအရည်အသွေးနှင့် ဘက်စုံအသုံးပြုနိုင်သော 6-လက်မမှ 8-လက်မ LN-on-Si ပေါင်းစပ်အလွှာသည် optical ဆက်သွယ်ရေး၊ 5G RF နှင့် ကွမ်တမ်နည်းပညာများတွင် တိုးတက်မှုကို မောင်းနှင်နေသည်။ ပမာဏမြင့်မားသောထုတ်လုပ်မှု သို့မဟုတ် စိတ်ကြိုက်ဖြေရှင်းချက်များအတွက်ဖြစ်စေ ကျွန်ုပ်တို့သည် နည်းပညာဆန်းသစ်တီထွင်မှုကို အားကောင်းစေရန် ယုံကြည်စိတ်ချရသော အလွှာများနှင့် ဖြည့်စွက်ဝန်ဆောင်မှုများကို ပေးဆောင်ပါသည်။