၆ လက်မ-၈ လက်မ LN-on-Si ပေါင်းစပ်အလွှာ အထူ 0.3-50 μm Si/SiC/Sapphire ပစ္စည်းများ၏

၆ လက်မ-၈ လက်မ LN-on-Si ပေါင်းစပ်အလွှာ အထူ ၀.၃-၅၀ μm Si/SiC/Sapphire ပစ္စည်းများ၏ ထူးခြားသောပုံ

အကျဉ်းချုပ်ဖော်ပြချက်:

၆ လက်မမှ ၈ လက်မအထိရှိသော LN-on-Si ပေါင်းစပ်အလွှာသည် single-crystal lithium niobate (LN) thin film များကို silicon (Si) substrate များနှင့် ပေါင်းစပ်ထားသော မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်ပြီး အထူ 0.3 μm မှ 50 μm အထိရှိသည်။ ၎င်းကို အဆင့်မြင့် semiconductor နှင့် optoelectronic device ထုတ်လုပ်မှုအတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ အဆင့်မြင့် bonding သို့မဟုတ် epitaxial growth နည်းပညာများကို အသုံးပြုထားသော ဤအလွှာသည် ထုတ်လုပ်မှုထိရောက်မှုနှင့် ကုန်ကျစရိတ်သက်သာမှုကို မြှင့်တင်ရန် silicon substrate ၏ wafer အရွယ်အစားကြီး (၆ လက်မမှ ၈ လက်မ) ကို အသုံးပြုထားသည်။
ရိုးရာအစုလိုက် LN ပစ္စည်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ၆ လက်မမှ ၈ လက်မအထိရှိသော LN-on-Si ပေါင်းစပ်အလွှာသည် သာလွန်ကောင်းမွန်သော အပူချိန်ကိုက်ညီမှုနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာတည်ငြိမ်မှုကို ပေးစွမ်းသောကြောင့် ကြီးမားသော wafer-level လုပ်ငန်းစဉ်အတွက် သင့်လျော်ပါသည်။ ထို့အပြင် SiC သို့မဟုတ် sapphire ကဲ့သို့သော အခြားအခြေခံပစ္စည်းများကို မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်း RF ကိရိယာများ၊ ပေါင်းစပ်ဖိုတွန်နစ်များနှင့် MEMS အာရုံခံကိရိယာများ အပါအဝင် သီးခြားအသုံးချမှုလိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီစေရန် ရွေးချယ်နိုင်ပါသည်။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ

အင်္ဂါရပ်များ

နည်းပညာဆိုင်ရာ ကန့်သတ်ချက်များ

လျှပ်ကာပစ္စည်းများပေါ်တွင် 0.3-50μm LN/LT
အပေါ်ဆုံးအလွှာ
အချင်း	၆-၈ လက်မ
ဦးတည်ချက်	X၊ Z၊ Y-၄၂ စသည်ဖြင့်။
ပစ္စည်းများ	LT, LN
အထူ	၀.၃-၅၀ မိုက်ခရိုမီတာ
အောက်ခံအလွှာ (စိတ်ကြိုက်)
ပစ္စည်း	Si, SiC, နီလာ, စပင်နယ်, ကွာ့ဇ်

အဓိကအင်္ဂါရပ်များ

၆ လက်မမှ ၈ လက်မအထိရှိသော LN-on-Si ပေါင်းစပ်အလွှာသည် ၎င်း၏ထူးခြားသောပစ္စည်းဂုဏ်သတ္တိများနှင့် ချိန်ညှိနိုင်သော ကန့်သတ်ချက်များဖြင့် ခွဲခြားထားပြီး၊ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် အော့ပတိုအီလက်ထရွန်းနစ်လုပ်ငန်းများတွင် ကျယ်ပြန့်စွာအသုံးချနိုင်စေသည်-

၁။ ဝေဖာအကြီး တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်မှု- ၆ လက်မမှ ၈ လက်မအထိရှိသော ဝေဖာအရွယ်အစားသည် ရှိပြီးသား တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုလိုင်းများ (ဥပမာ၊ CMOS လုပ်ငန်းစဉ်များ) နှင့် ချောမွေ့စွာပေါင်းစပ်နိုင်စေပြီး ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်များကို လျှော့ချပေးပြီး အစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်မှုကို ဖြစ်စေသည်။

၂။ မြင့်မားသော ပုံဆောင်ခဲအရည်အသွေး- အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် ပြုလုပ်ထားသော epitaxial သို့မဟုတ် bonding နည်းပညာများသည် LN ပါးလွှာသောဖလင်တွင် ချို့ယွင်းချက်သိပ်သည်းဆနည်းပါးစေရန် သေချာစေပြီး၊ မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော optical modulators၊ surface acoustic wave (SAW) filters များနှင့် အခြားတိကျသော devices များအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်စေသည်။

၃။ ချိန်ညှိနိုင်သော အထူ (၀.၃–၅၀ μm): အလွန်ပါးလွှာသော LN အလွှာများ (<1 μm) သည် ပေါင်းစပ်ထားသော ဖိုတွန်နစ်ချစ်ပ်များအတွက် သင့်လျော်ပြီး ပိုထူသောအလွှာများ (၁၀–၅၀ μm) သည် မြင့်မားသောပါဝါ RF ကိရိယာများ သို့မဟုတ် piezoelectric အာရုံခံကိရိယာများကို ပံ့ပိုးပေးသည်။

၄။ အလွှာများစွာ ရွေးချယ်နိုင်သည်- Si အပြင် SiC (အပူစီးကူးမှုမြင့်မားခြင်း) သို့မဟုတ် နီလာ (အပူလျှပ်ကာမှုမြင့်မားခြင်း) ကို မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်း၊ မြင့်မားသောအပူချိန် သို့မဟုတ် မြင့်မားသောပါဝါအသုံးချမှုများ၏ လိုအပ်ချက်များနှင့်ကိုက်ညီစေရန် အခြေခံပစ္စည်းများအဖြစ် ရွေးချယ်နိုင်သည်။

၅။ အပူနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ တည်ငြိမ်မှု- ဆီလီကွန်အောက်ခံသည် ခိုင်မာသော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ အထောက်အပံ့ကို ပေးစွမ်းပြီး လုပ်ဆောင်နေစဉ်အတွင်း ကောက်ကွေးခြင်း သို့မဟုတ် အက်ကွဲခြင်းကို အနည်းဆုံးဖြစ်စေပြီး စက်ပစ္စည်း၏ ထွက်နှုန်းကို တိုးတက်စေသည်။

ဤဂုဏ်သတ္တိများသည် ၆ လက်မမှ ၈ လက်မအထိရှိသော LN-on-Si ပေါင်းစပ်အလွှာကို 5G ဆက်သွယ်ရေး၊ LiDAR နှင့် quantum optics ကဲ့သို့သော ခေတ်မီနည်းပညာများအတွက် ဦးစားပေးပစ္စည်းတစ်ခုအဖြစ် နေရာယူထားသည်။

အဓိကအသုံးချမှုများ

၎င်း၏ ထူးခြားသော electro-optic၊ piezoelectric နှင့် acoustic ဂုဏ်သတ္တိများကြောင့် ၆ လက်မမှ ၈ လက်မအထိရှိသော LN-on-Si ပေါင်းစပ်အလွှာကို အဆင့်မြင့်စက်မှုလုပ်ငန်းများတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် အသုံးပြုလာကြသည်-

၁။ Optical Communications နှင့် Integrated Photonics: ဒေတာစင်တာများနှင့် fiber-optic ကွန်ရက်များ၏ bandwidth လိုအပ်ချက်များကို ဖြေရှင်းပေးသည့် မြန်နှုန်းမြင့် electro-optic modulators၊ waveguides နှင့် photonic integrated circuits (PICs) များကို ဖွင့်ပေးသည်။

2.5G/6G RF စက်ပစ္စည်းများ- LN ၏ မြင့်မားသော piezoelectric coefficient သည် surface acoustic wave (SAW) နှင့် bulk acoustic wave (BAW) filter များအတွက် အသင့်တော်ဆုံးဖြစ်စေပြီး 5G base station များနှင့် မိုဘိုင်းစက်ပစ္စည်းများတွင် signal processing ကို မြှင့်တင်ပေးသည်။

၃။MEMS နှင့် အာရုံခံကိရိယာများ- LN-on-Si ၏ piezoelectric effect သည် ဆေးဘက်ဆိုင်ရာနှင့် စက်မှုလုပ်ငန်းဆိုင်ရာ အသုံးချမှုများအတွက် မြင့်မားသော sensitivity accelerometers၊ biosensors နှင့် ultrasonic transducers များကို လွယ်ကူချောမွေ့စေသည်။

၄။ ကွမ်တမ်နည်းပညာများ- မျဉ်းမတော်သော အလင်းတန်းပစ္စည်းတစ်ခုအနေဖြင့် LN ပါးလွှာသောဖလင်များကို ကွမ်တမ်အလင်းရင်းမြစ်များ (ဥပမာ၊ ချိတ်ဆက်ထားသော ဖိုတွန်အတွဲများ) နှင့် ပေါင်းစပ်ထားသော ကွမ်တမ်ချစ်ပ်များတွင် အသုံးပြုသည်။

၅။ လေဆာများနှင့် Nonlinear Optics- အလွန်ပါးလွှာသော LN အလွှာများသည် လေဆာလုပ်ဆောင်ခြင်းနှင့် spectroscopic analysis အတွက် ထိရောက်သော second-harmonic generation (SHG) နှင့် optical parametric oscillation (OPO) ကိရိယာများကို ဖြစ်စေသည်။

စံသတ်မှတ်ထားသော ၆ လက်မမှ ၈ လက်မအထိ LN-on-Si ပေါင်းစပ်အလွှာသည် ဤစက်ပစ္စည်းများကို ကြီးမားသော wafer fabs များတွင် ထုတ်လုပ်နိုင်စေပြီး ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်များကို သိသိသာသာ လျှော့ချပေးပါသည်။

စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်ခြင်းနှင့် ဝန်ဆောင်မှုများ

ကျွန်ုပ်တို့သည် မတူညီသော R&D နှင့် ထုတ်လုပ်မှုလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းရန်အတွက် ၆ လက်မမှ ၈ လက်မအထိရှိသော LN-on-Si ပေါင်းစပ်အလွှာအတွက် ပြည့်စုံသော နည်းပညာပံ့ပိုးမှုနှင့် စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်မှုဝန်ဆောင်မှုများကို ပေးဆောင်ပါသည်-

၁။ စိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်ခြင်း- LN ဖလင်အထူ (0.3–50 μm)၊ ပုံဆောင်ခဲဦးတည်ချက် (X-cut/Y-cut) နှင့် အောက်ခံပစ္စည်း (Si/SiC/sapphire) တို့ကို စက်ပစ္စည်းစွမ်းဆောင်ရည်ကို အကောင်းဆုံးဖြစ်စေရန် စိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်နိုင်ပါသည်။

၂။ ဝေဖာအဆင့် ပြုပြင်ခြင်း- ၆ လက်မနှင့် ၈ လက်မ ဝေဖာများကို အမြောက်အမြား ထောက်ပံ့ပေးခြင်း၊ 깍둑썰기 လုပ်ခြင်း၊ ඔප දැමීමနှင့် အလွှာများ දැමී ...၊ දැමීමීමීමීම၊ දැමී�

၃။ နည်းပညာဆိုင်ရာ တိုင်ပင်ဆွေးနွေးခြင်းနှင့် စမ်းသပ်ခြင်း- ဒီဇိုင်းအတည်ပြုချက်ကို အရှိန်မြှင့်တင်ရန်အတွက် ပစ္စည်းလက္ခဏာရပ်ဖော်ထုတ်ခြင်း (ဥပမာ XRD၊ AFM)၊ အီလက်ထရို-အော့ပတစ် စွမ်းဆောင်ရည်စမ်းသပ်ခြင်းနှင့် စက်ပစ္စည်း သရုပ်ဖော်ခြင်း ပံ့ပိုးမှု။

ကျွန်ုပ်တို့၏ ရည်မှန်းချက်မှာ ၆ လက်မမှ ၈ လက်မအထိရှိသော LN-on-Si ပေါင်းစပ်အလွှာကို optoelectronic နှင့် semiconductor အသုံးချမှုများအတွက် အဓိကပစ္စည်းဖြေရှင်းချက်အဖြစ် တည်ထောင်ရန်ဖြစ်ပြီး၊ R&D မှ အစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်မှုအထိ အဆုံးမှအဆုံးပံ့ပိုးမှုကို ပေးဆောင်ရန်ဖြစ်သည်။

နိဂုံးချုပ်

၆ လက်မမှ ၈ လက်မအထိရှိသော LN-on-Si ပေါင်းစပ်အလွှာသည် ၎င်း၏ wafer အရွယ်အစားကြီးမားမှု၊ သာလွန်ကောင်းမွန်သော ပစ္စည်းအရည်အသွေးနှင့် ဘက်စုံအသုံးပြုနိုင်မှုတို့ဖြင့် optical ဆက်သွယ်ရေး၊ 5G RF နှင့် quantum နည်းပညာများတွင် တိုးတက်မှုများ ဖြစ်ပေါ်စေပါသည်။ ပမာဏများများ ထုတ်လုပ်ခြင်း သို့မဟုတ် စိတ်ကြိုက်ဖြေရှင်းချက်များအတွက်ဖြစ်စေ၊ နည်းပညာဆန်းသစ်တီထွင်မှုကို အားကောင်းစေရန်အတွက် ကျွန်ုပ်တို့သည် ယုံကြည်စိတ်ချရသော အလွှာများနှင့် ဖြည့်စွက်ဝန်ဆောင်မှုများကို ပေးဆောင်ပါသည်။