၂ လက်မ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် ဝေဖာ 6H-N အမျိုးအစား အဓိကအဆင့် သုတေသနအဆင့် Dummy အဆင့် 330μm 430μm အထူ

အကျဉ်းချုပ်ဖော်ပြချက်:

ဆီလီကွန်ကာဗိုက်တွင် မတူညီသော polymorph အများအပြားရှိပြီး 6H ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် polymorph ၂၀၀ နီးပါးထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။ 6H ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် စီးပွားဖြစ်အကျိုးစီးပွားများအတွက် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်များကို အများဆုံးပြုပြင်မွမ်းမံခြင်းဖြစ်သည်။ 6H ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဝေဖာများသည် အလွန်အရေးကြီးပါသည်။ ၎င်းတို့ကို တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများအဖြစ် အသုံးပြုနိုင်သည်။ ၎င်း၏ကြာရှည်ခံမှုနှင့် ပစ္စည်းကုန်ကျစရိတ်နည်းပါးမှုကြောင့် ဖြတ်တောက်သည့်ဒစ်များကဲ့သို့သော ပွတ်တိုက်ခြင်းနှင့် ဖြတ်တောက်သည့်ကိရိယာများတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုကြသည်။ ၎င်းကို ခေတ်မီပေါင်းစပ်ကိုယ်ထည်သံချပ်ကာများနှင့် ကျည်ကာအင်္ကျီများတွင် အသုံးပြုသည်။ ၎င်းကို ဘရိတ်ဒစ်များထုတ်လုပ်ရန်အသုံးပြုသည့် မော်တော်ကားလုပ်ငန်းတွင်လည်း အသုံးပြုသည်။ ကြီးမားသော သတ္တုပုံသွင်းလုပ်ငန်းတွင် ၎င်းကို အရည်ပျော်သတ္တုများကို ခွက်များတွင် သိမ်းဆည်းရန် အသုံးပြုသည်။ လျှပ်စစ်နှင့် အီလက်ထရွန်းနစ်အသုံးချမှုများတွင် ၎င်း၏အသုံးပြုမှုသည် အလွန်လူသိများသောကြောင့် အငြင်းပွားစရာမလိုအပ်ပါ။ ထို့အပြင်၊ ၎င်းကို ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ကိရိယာများ၊ LED များ၊ နက္ခတ္တဗေဒ၊ ပါးလွှာသော filament pyrometry၊ လက်ဝတ်ရတနာများ၊ graphene နှင့် သံမဏိထုတ်လုပ်မှုနှင့် ဓာတ်ကူပစ္စည်းအဖြစ် အသုံးပြုသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် ထူးခြားသောအရည်အသွေးနှင့် 99.99% အံ့မခန်းရှိသော 6H ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဝေဖာများကို ပေးဆောင်နေပါသည်။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ

အင်္ဂါရပ်များ

ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဝေဖာ၏ ဝိသေသလက္ခဏာများမှာ အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည်။

၁။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) ဝေဖာသည် လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိကောင်းပြီး အပူဂုဏ်သတ္တိကောင်းများရှိသည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) ဝေဖာသည် အပူချဲ့ထွင်မှုနည်းသည်။

၂။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) ဝေဖာသည် မာကျောမှုဂုဏ်သတ္တိများ သာလွန်ကောင်းမွန်သည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) ဝေဖာသည် မြင့်မားသောအပူချိန်များတွင် ကောင်းစွာအလုပ်လုပ်သည်။

၃။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) ဝေဖာသည် သံချေးတက်ခြင်း၊ တိုက်စားခြင်းနှင့် အောက်ဆီဒေးရှင်းဖြစ်ခြင်းတို့ကို မြင့်မားစွာခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ ထို့အပြင် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) ဝေဖာသည် စိန်များ သို့မဟုတ် ကုဗဇာကိုနီးယားများထက်လည်း ပိုမိုတောက်ပြောင်သည်။

၄။ ဓါတ်ရောင်ခြည်ဒဏ်ခံနိုင်ရည်ပိုမိုကောင်းမွန်ခြင်း- SIC ဝေဖာများသည် ဓါတ်ရောင်ခြည်ဒဏ်ခံနိုင်ရည်ပိုမိုအားကောင်းသောကြောင့် ဓါတ်ရောင်ခြည်ပတ်ဝန်းကျင်တွင် အသုံးပြုရန်သင့်လျော်ပါသည်။ ဥပမာအားဖြင့် အာကာသယာဉ်များနှင့် နျူကလီးယားစက်ရုံများ ပါဝင်သည်။
၅။ မာကျောမှုပိုမိုမြင့်မားခြင်း- SIC ဝေဖာများသည် ဆီလီကွန်ထက် ပိုမိုမာကျောသောကြောင့် လုပ်ဆောင်နေစဉ်အတွင်း ဝေဖာများ၏ ကြံ့ခိုင်မှုကို မြှင့်တင်ပေးသည်။

၆။ dielectric constant နိမ့်ခြင်း- SIC wafers များ၏ dielectric constant သည် silicon ထက် နိမ့်ကျပြီး ၎င်းသည် device ရှိ parasitic capacitance ကို လျှော့ချရန်နှင့် high-frequency performance ကို တိုးတက်စေရန် ကူညီပေးသည်။

ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဝေဖာသည် အသုံးချမှုများစွာရှိသည်

SiC ကို ဒိုင်အိုဒ်များ၊ ပါဝါထရန်စစ္စတာများနှင့် ပါဝါမြင့်မိုက်ခရိုဝေ့ဖ်ကိရိယာများကဲ့သို့သော အလွန်မြင့်မားသောဗို့အားနှင့် မြင့်မားသောပါဝါကိရိယာများ ထုတ်လုပ်ရာတွင် အသုံးပြုသည်။ ရိုးရာ Si-ကိရိယာများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက SiC-အခြေခံ ပါဝါကိရိယာများသည် ပိုမိုမြန်ဆန်သော switching speed၊ မြင့်မားသောဗို့အားများ၊ ကပ်ပါးကောင်ခုခံမှုနည်းပါးခြင်း၊ အရွယ်အစားသေးငယ်ခြင်းနှင့် မြင့်မားသောအပူချိန်စွမ်းရည်ကြောင့် အအေးခံရန် နည်းပါးခြင်းတို့ရှိသည်။
ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC-6H) - 6H ဝေဖာသည် သာလွန်ကောင်းမွန်သော အီလက်ထရွန်းနစ်ဂုဏ်သတ္တိများရှိသော်လည်း၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC-6H) - 6H ဝေဖာသည် အလွယ်ကူဆုံးပြင်ဆင်ပြီး အကောင်းဆုံးလေ့လာထားပါသည်။
၁။ ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ- ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဒ်ဝေဖာများကို ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ ထုတ်လုပ်ရာတွင် အသုံးပြုကြပြီး လျှပ်စစ်ယာဉ်များ၊ ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်စနစ်များနှင့် စက်မှုလုပ်ငန်းသုံးပစ္စည်းများ အပါအဝင် ကျယ်ပြန့်သောအသုံးချမှုများတွင် အသုံးပြုကြသည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဒ်၏ အပူစီးကူးမှုမြင့်မားခြင်းနှင့် ပါဝါဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးခြင်းကြောင့် ဤအသုံးချမှုများအတွက် စံပြပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်စေသည်။
၂။ LED မီးအလင်းရောင်- ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဒ်ဝေဖာများကို LED မီးအလင်းရောင်ထုတ်လုပ်ရာတွင် အသုံးပြုသည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဒ်၏ မြင့်မားသောအစွမ်းသတ္တိကြောင့် ရိုးရာမီးအလင်းရောင်ရင်းမြစ်များထက် ပိုမိုခိုင်ခံ့ပြီး ကြာရှည်ခံသော LED မီးများကို ထုတ်လုပ်နိုင်စေပါသည်။
၃။ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများ- ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဒ်ဝေဖာများကို ဆက်သွယ်ရေး၊ ကွန်ပျူတာနှင့် စားသုံးသူအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ အပါအဝင် အသုံးချမှုအမျိုးမျိုးတွင် အသုံးပြုသည့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများ ထုတ်လုပ်ရာတွင် အသုံးပြုကြသည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဒ်၏ အပူစီးကူးမှုမြင့်မားခြင်းနှင့် ပါဝါဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးခြင်းကြောင့် ဤအသုံးချမှုများအတွက် အကောင်းဆုံးပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်စေသည်။
၄။ ဆိုလာဆဲလ်များ- ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဒ်ဝေဖာများကို ဆိုလာဆဲလ်များထုတ်လုပ်ရာတွင် အသုံးပြုသည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဒ်၏ မြင့်မားသောခိုင်ခံ့မှုကြောင့် ရိုးရာဆိုလာဆဲလ်များထက် ပိုမိုခိုင်ခံ့ပြီး ကြာရှည်ခံသော ဆိုလာဆဲလ်များကို ထုတ်လုပ်နိုင်စေပါသည်။
အလုံးစုံပြောရလျှင် ZMSH Silicon Carbide Wafer သည် အသုံးချမှုအမျိုးမျိုးတွင် အသုံးပြုနိုင်သော စွယ်စုံရနှင့် အရည်အသွေးမြင့် ထုတ်ကုန်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်း၏ အပူစီးကူးနိုင်စွမ်းမြင့်မားခြင်း၊ ပါဝါဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးခြင်းနှင့် ခိုင်ခံ့မှုမြင့်မားခြင်းတို့ကြောင့် အပူချိန်မြင့်မားပြီး ပါဝါမြင့်မားသော အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများအတွက် စံပြပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်စေသည်။ Bow/Warp ≤50um၊ Surface Roughness ≤1.2nm နှင့် Resistivity မြင့်မား/နိမ့်သော Resistivity တို့ဖြင့် Silicon Carbide Wafer သည် ပြားချပ်ပြီး ချောမွေ့သော မျက်နှာပြင်လိုအပ်သည့် မည်သည့်အသုံးချမှုအတွက်မဆို ယုံကြည်စိတ်ချရပြီး ထိရောက်သော ရွေးချယ်မှုတစ်ခုဖြစ်သည်။
ကျွန်ုပ်တို့၏ SiC Substrate ထုတ်ကုန်သည် အကောင်းဆုံးစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ဖောက်သည်ကျေနပ်မှုကို သေချာစေရန်အတွက် ပြည့်စုံသော နည်းပညာပံ့ပိုးမှုနှင့် ဝန်ဆောင်မှုများ ပါရှိပါသည်။
ကျွန်ုပ်တို့၏ ကျွမ်းကျင်သူအဖွဲ့သည် ထုတ်ကုန်ရွေးချယ်မှု၊ တပ်ဆင်မှုနှင့် ပြဿနာရှာဖွေဖြေရှင်းခြင်းတို့တွင် ကူညီပေးရန် အသင့်ရှိနေပါသည်။
ကျွန်ုပ်တို့၏ဖောက်သည်များ၏ ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုကို အများဆုံးရရှိစေရန် ကူညီရန်အတွက် ကျွန်ုပ်တို့၏ ထုတ်ကုန်များ အသုံးပြုခြင်းနှင့် ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းခြင်းဆိုင်ရာ လေ့ကျင့်မှုနှင့် ပညာပေးမှုများကို ပေးဆောင်ပါသည်။
ထို့အပြင်၊ ကျွန်ုပ်တို့၏ဖောက်သည်များသည် နောက်ဆုံးပေါ်နည်းပညာကို အမြဲရရှိနိုင်စေရန်အတွက် ကျွန်ုပ်တို့သည် စဉ်ဆက်မပြတ် ထုတ်ကုန်အပ်ဒိတ်များနှင့် မြှင့်တင်မှုများကို ပေးဆောင်ပါသည်။