2inch Silicon Carbide Wafer 6H-N အမျိုးအစား Prime Grade Research Grade Dummy Grade 330μm 430μm အထူ

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏ မတူညီသော polymorph များစွာရှိပြီး 6H silicon carbide သည် 200 polymorphs နီးပါးထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။ 6H ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် စီးပွားရေးအကျိုးအမြတ်အတွက် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်များကို အတွေ့ရများဆုံး ပြုပြင်ပြောင်းလဲမှုများဖြစ်သည်။ 6H silicon carbide wafers များသည် အရေးအကြီးဆုံးဖြစ်သည်။ ၎င်းတို့ကို semiconductors အဖြစ် အသုံးပြုနိုင်သည်။ ၎င်း၏ တာရှည်ခံမှုနှင့် ပစ္စည်းကုန်ကျစရိတ် နည်းပါးခြင်းကြောင့် ဖြတ်တောက်ထားသော discs များကဲ့သို့သော အညစ်အကြေးများနှင့် ဖြတ်တောက်သည့်ကိရိယာများတွင် တွင်ကျယ်စွာ အသုံးပြုလျက်ရှိသည်။ ခေတ်မီပေါင်းစပ်ကိုယ်ထည် သံချပ်ကာများနှင့် ကျည်ကာအင်္ကျီများတွင် အသုံးပြုသည်။ ဘရိတ်ဒစ်များထုတ်လုပ်ရာတွင်လည်း မော်တော်ကားလုပ်ငန်းတွင် အသုံးပြုသည်။ ကြီးမားသော တူးဖော်ရေး လုပ်ငန်းများတွင်၊ ၎င်းကို Crucible များတွင် အရည်ပျော်သော သတ္တုများကို ကိုင်ဆောင်ရန် အသုံးပြုသည်။ လျှပ်စစ်နှင့် အီလက်ထရွန်းနစ် အပလီကေးရှင်းများတွင် ၎င်း၏အသုံးပြုမှုကို ကောင်းစွာသိသောကြောင့် ၎င်းသည် ငြင်းခုံရန်မလိုအပ်ပါ။ ထို့အပြင်၊ ၎င်းအား ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများ၊ LEDs၊ နက္ခတ္တဗေဒ၊ ပါးလွှာသော ချည်မျှင် pyrometry၊ လက်ဝတ်ရတနာများ၊ graphene နှင့် သံမဏိထုတ်လုပ်မှုနှင့် ဓာတ်ကူပစ္စည်းအဖြစ် အသုံးပြုသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် ထူးခြားသောအရည်အသွေးနှင့် 99.99% ထိတ်လန့်တုန်လှုပ်ဖွယ်ကောင်းသော 6H ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဝေဖာများကို ပေးဆောင်နေပါသည်။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ။

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

ကုန်ပစ္စည်း တံဆိပ်များ

အောက်ဖော်ပြပါများသည် ဆီလီကွန်ကာဘိုင်ဝေဖာ၏ ဝိသေသများဖြစ်သည်။

1.Silicon carbide (SiC) wafer သည် ကောင်းမွန်သော လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများ နှင့် အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူဓာတ်သတ္တိများ ရှိပါသည်။ ဆီလီကွန်ကာဘိုင် (SiC) wafer တွင် အပူချဲ့မှုနည်းသည်။

2.Silicon carbide (SiC) wafer တွင် သာလွန်မာကျောသော ဂုဏ်သတ္တိများရှိသည်။ Silicon carbide (SiC) wafer သည် မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် ကောင်းမွန်စွာလုပ်ဆောင်သည်။

3.Silicon carbide (SiC) wafer သည် သံချေးတက်ခြင်း၊ တိုက်စားခြင်းနှင့် ဓာတ်တိုးခြင်းတို့ကို ခံနိုင်ရည်မြင့်မားသည်။ ထို့အပြင်၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) wafer သည် စိန် သို့မဟုတ် ကုဗ zirconia များထက် ပိုမိုတောက်ပသည်။

4. ပိုမိုကောင်းမွန်သော ရောင်ခြည်ဒဏ်ခံနိုင်ရည်- SIC wafer များသည် ပိုမိုအားကောင်းသော ဓာတ်ရောင်ခြည်ဒဏ်ခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့် ၎င်းတို့ကို ဓာတ်ရောင်ခြည်ပတ်ဝန်းကျင်တွင် အသုံးပြုရန် သင့်လျော်စေသည်။ ဥပမာများတွင် အာကာသယာဉ်နှင့် နျူကလီးယား စက်ရုံများ ပါဝင်သည်။
5. ပိုမိုမာကျောမှု- SIC wafers များသည် စီလီကွန်ထက် ပိုမာကြောပြီး ပြုပြင်နေစဉ်အတွင်း wafers များ၏ ကြာရှည်ခံမှုကို မြှင့်တင်ပေးသည်။

6.Lower dielectric constant- SIC wafers ၏ dielectric constant သည် စက်အတွင်းရှိ parasitic capacitance ကို လျှော့ချရန်နှင့် ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားသော စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးသည့် ဆီလီကွန်ထက် နိမ့်ပါသည်။

Silicon carbide wafer တွင် အသုံးချမှုများစွာရှိသည်။

SiC ကို diodes၊ power transistor နှင့် high power microwave devices များကဲ့သို့ အလွန်ဗို့အားမြင့်ပြီး ပါဝါမြင့်သည့် စက်ပစ္စည်းများ ဖန်တီးရန်အတွက် အသုံးပြုပါသည်။ သမားရိုးကျ Si-devices များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက SiC-based power ကိရိယာများသည် မြင့်မားသောဗို့အားများ ကူးပြောင်းခြင်းအမြန်နှုန်း၊ ကပ်ပါးခုခံနိုင်မှု နည်းပါးခြင်း၊ အရွယ်အစားသေးငယ်ခြင်း၊ အပူချိန်မြင့်မားမှုကြောင့် အအေးခံရန် လိုအပ်ပါသည်။
Silicon carbide (SiC-6H) - 6H wafer တွင် သာလွန်ကောင်းမွန်သော အီလက်ထရွန်နစ် ဂုဏ်သတ္တိများ ရှိသော်လည်း၊ silicon carbide (SiC-6H) – 6H wafer သည် အလွယ်ကူဆုံး ပြင်ဆင်ပြီး အကောင်းဆုံး လေ့လာနိုင်ပါသည်။
1.Power Electronics- Silicon Carbide Wafers ကို လျှပ်စစ်ကားများ၊ ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်စနစ်များနှင့် စက်မှုလုပ်ငန်းသုံး စက်ကိရိယာများ အပါအဝင် အသုံးချပရိုဂရမ်များစွာတွင် အသုံးပြုသည့် ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ ထုတ်လုပ်ရာတွင် အသုံးပြုပါသည်။ မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှုနှင့် Silicon Carbide ၏ ပါဝါဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးခြင်းသည် ၎င်းကို ဤအပလီကေးရှင်းများအတွက် စံပြပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်စေသည်။
2.LED Lighting: Silicon Carbide Wafers ကို LED မီးထွန်းထုတ်လုပ်ရာတွင် အသုံးပြုပါသည်။ Silicon Carbide ၏ မြင့်မားသော ခိုင်ခံ့မှုသည် သမားရိုးကျ မီးချောင်းများထက် ပိုမိုကြာရှည်ခံပြီး အကြမ်းခံသော LED များကို ထုတ်လုပ်နိုင်စေသည်။
3.Semiconductor Devices- Silicon Carbide Wafers များကို တယ်လီဖုန်းဆက်သွယ်ရေး၊ ကွန်ပြူတာနှင့် လူသုံးအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများအပါအဝင် အသုံးချပရိုဂရမ်များစွာတွင် အသုံးပြုသည့် Semiconductor Devices များထုတ်လုပ်ရာတွင် အသုံးပြုပါသည်။ Silicon Carbide ၏ မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှုနှင့် ပါဝါဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးခြင်းသည် ၎င်းကို ဤအပလီကေးရှင်းများအတွက် စံပြပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်စေသည်။
4.Solar Cells- Silicon Carbide Wafers ကို ဆိုလာဆဲလ်များ ထုတ်လုပ်မှုတွင် အသုံးပြုပါသည်။ Silicon Carbide ၏ မြင့်မားသော စွမ်းအားသည် သမားရိုးကျ ဆိုလာဆဲလ်များထက် ပိုမိုကြာရှည်ခံသော ဆိုလာဆဲလ်များကို ထုတ်လုပ်နိုင်စေပါသည်။
ယေဘုယျအားဖြင့် ZMSH Silicon Carbide Wafer သည် စွယ်စုံရနှင့် အရည်အသွေးမြင့် ထုတ်ကုန်တစ်ခုဖြစ်ပြီး အသုံးချပရိုဂရမ်များစွာတွင် အသုံးပြုနိုင်သည်။ ၎င်း၏ မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှု၊ ပါဝါဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးမှုနှင့် မြင့်မားသော စွမ်းအားတို့သည် ၎င်းအား အပူချိန်မြင့်ပြီး ပါဝါမြင့်သော အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများအတွက် စံပြပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ Bow/Warp ၏ ≤50um၊ Surface Roughness ≤1.2nm နှင့် High/Low Resistivity တို့ဖြင့် Silicon Carbide Wafer သည် ချောမွေ့ပြီး ချောမွေ့သောမျက်နှာပြင်လိုအပ်သည့် မည်သည့် application အတွက်မဆို ယုံကြည်စိတ်ချရပြီး ထိရောက်သောရွေးချယ်မှုတစ်ခုဖြစ်သည်။
ကျွန်ုပ်တို့၏ SiC Substrate ထုတ်ကုန်သည် အကောင်းဆုံးစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် သုံးစွဲသူစိတ်ကျေနပ်မှုရရှိစေရန် ပြီးပြည့်စုံသော နည်းပညာပံ့ပိုးမှုနှင့် ဝန်ဆောင်မှုများပါရှိသည်။
ကျွန်ုပ်တို့၏ ကျွမ်းကျင်ပညာရှင်အဖွဲ့သည် ထုတ်ကုန်ရွေးချယ်ခြင်း၊ တပ်ဆင်ခြင်းနှင့် ပြဿနာဖြေရှင်းခြင်းတို့ကို ကူညီဆောင်ရွက်ပေးပါသည်။
ကျွန်ုပ်တို့သည် ကျွန်ုပ်တို့၏ဖောက်သည်များ၏ ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုကို အမြင့်ဆုံးဖြစ်စေရန်အတွက် ကျွန်ုပ်တို့၏ထုတ်ကုန်များကို အသုံးပြုခြင်းနှင့် ထိန်းသိမ်းခြင်းဆိုင်ရာ လေ့ကျင့်သင်ကြားခြင်းနှင့် ပညာပေးခြင်းတို့ကို ပေးပါသည်။
ထို့အပြင်၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် ကျွန်ုပ်တို့၏ဖောက်သည်များအား နောက်ဆုံးပေါ်နည်းပညာကို အမြဲဝင်ရောက်ကြည့်ရှုနိုင်စေရန် သေချာစေရန်အတွက် ကျွန်ုပ်တို့၏ ထုတ်ကုန်အပ်ဒိတ်များနှင့် အဆင့်မြှင့်တင်မှုများကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။