၂ လက်မ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် အောက်ခံ 6H-N နှစ်ဖက်ပွတ်တိုက်ထားသော အချင်း ၅၀.၈ မီလီမီတာ ထုတ်လုပ်မှုအဆင့် သုတေသနအဆင့်

၁။ ဓါတ်ရောင်ခြည်ဒဏ်ခံနိုင်ရည်ပိုမိုကောင်းမွန်ခြင်း- SIC ဝေဖာများသည် ဓါတ်ရောင်ခြည်ဒဏ်ခံနိုင်ရည်ပိုမိုအားကောင်းသောကြောင့် ဓါတ်ရောင်ခြည်ပတ်ဝန်းကျင်တွင် အသုံးပြုရန်သင့်လျော်ပါသည်။ ဥပမာအားဖြင့် အာကာသယာဉ်များနှင့် နျူကလီးယားစက်ရုံများ ပါဝင်သည်။

၂။ မာကျောမှုပိုမိုမြင့်မားခြင်း- SIC ဝေဖာများသည် ဆီလီကွန်ထက် ပိုမိုမာကျောသောကြောင့် လုပ်ဆောင်နေစဉ်အတွင်း ဝေဖာများ၏ ကြံ့ခိုင်မှုကို မြှင့်တင်ပေးသည်။

၃။ dielectric constant နိမ့်ခြင်း- SIC wafers များ၏ dielectric constant သည် silicon ထက် နိမ့်ကျပြီး ၎င်းသည် device ရှိ parasitic capacitance ကို လျှော့ချရန်နှင့် မြင့်မားသော frequency စွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုးတက်စေရန် ကူညီပေးသည်။

၄။ ပိုမိုမြင့်မားသော saturated electron drift speed: SIC wafers များသည် silicon ထက် ပိုမိုမြင့်မားသော saturated electron drift speed ရှိပြီး SIC devices များအား မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းအသုံးချမှုများတွင် အားသာချက်ရရှိစေသည်။

၅။ ပါဝါသိပ်သည်းဆမြင့်မားခြင်း- အထက်ပါဝိသေသလက္ခဏာများဖြင့် SIC wafer စက်ပစ္စည်းများသည် အရွယ်အစားသေးငယ်သော်လည်း ပါဝါအထွက်ပိုမိုမြင့်မားနိုင်သည်။

၂ လက်မ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဝေဖာသည် အသုံးချမှုများစွာရှိသည်။
၁။ ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ- SiC ဝေဖာများကို ၎င်းတို့၏ မြင့်မားသော ပြိုကွဲနိုင်သော ဗို့အားနှင့် ပါဝါဆုံးရှုံးမှု နည်းပါးသော ဝိသေသလက္ခဏာများကြောင့် ပါဝါပြောင်းစက်များ၊ အင်ဗာတာများနှင့် ဗို့အားမြင့်ခလုတ်များကဲ့သို့သော ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် အသုံးပြုကြသည်။

၂။ လျှပ်စစ်ယာဉ်များ- ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဒ်ဝေဖာများကို လျှပ်စစ်ယာဉ်ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများတွင် စွမ်းဆောင်ရည်တိုးတက်စေရန်နှင့် အလေးချိန်လျှော့ချရန်အတွက် အသုံးပြုကြပြီး၊ ပိုမိုမြန်ဆန်စွာအားသွင်းနိုင်စေပြီး မောင်းနှင်နိုင်သည့်အကွာအဝေးကို ပိုမိုရှည်လျားစေသည်။

၃။ ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်- ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဝေဖာများသည် နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်အင်ဗာတာများနှင့် လေစွမ်းအင်စနစ်များကဲ့သို့သော ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်အသုံးချမှုများတွင် အရေးပါသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်သောကြောင့် စွမ်းအင်ပြောင်းလဲမှုထိရောက်မှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို တိုးတက်စေသည်။

၄။ လေကြောင်းနှင့်ကာကွယ်ရေး- SiC ဝေဖာများသည် လေယာဉ်စွမ်းအင်စနစ်များနှင့် ရေဒါစနစ်များ အပါအဝင် အပူချိန်မြင့်မားခြင်း၊ မြင့်မားသောပါဝါနှင့် ရောင်ခြည်ဒဏ်ခံနိုင်ရည်ရှိသော အသုံးချမှုများအတွက် အာကာသနှင့်ကာကွယ်ရေးလုပ်ငန်းတွင် မရှိမဖြစ်လိုအပ်ပါသည်။

ZMSH သည် ကျွန်ုပ်တို့၏ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဝေဖာများအတွက် ထုတ်ကုန်စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်ခြင်းဝန်ဆောင်မှုများကို ပေးပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ ဝေဖာများကို တာရှည်ခံမှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို သေချာစေရန် တရုတ်နိုင်ငံမှ ရရှိသော အရည်အသွေးမြင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာများဖြင့် ပြုလုပ်ထားပါသည်။ ဝယ်ယူသူများသည် ၎င်းတို့၏ သီးခြားလိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီစေရန် ကျွန်ုပ်တို့၏ ဝေဖာအရွယ်အစားနှင့် သတ်မှတ်ချက်များထဲမှ ရွေးချယ်နိုင်ပါသည်။

ကျွန်ုပ်တို့ရဲ့ Silicon Carbide wafers တွေဟာ မော်ဒယ်နဲ့ အရွယ်အစား အမျိုးမျိုးနဲ့ လာပါတယ်၊ မော်ဒယ်ကတော့ Silicon Carbide ပါ။

မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းမှု ≤1.2nm နှင့် ပြားချပ်ချပ် Lambda/10 ပါသော တစ်ဖက်/နှစ်ဖက် ඔප දැමීම အပါအဝင် မျက်နှာပြင်ကုသမှုအမျိုးမျိုးကို ကျွန်ုပ်တို့ ပေးဆောင်ပါသည်။ သင့်လိုအပ်ချက်များအတိုင်း စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်သော မြင့်မားသော/နိမ့်သော ခုခံမှု ရွေးချယ်မှုများကိုလည်း ကျွန်ုပ်တို့ ပေးဆောင်ပါသည်။ ≤1E10/cm2 ၏ ကျွန်ုပ်တို့၏ EPD သည် ကျွန်ုပ်တို့၏ ဝေဖာများသည် အမြင့်ဆုံးစက်မှုလုပ်ငန်းစံနှုန်းများနှင့် ကိုက်ညီကြောင်း သေချာစေသည်။

ကျွန်ုပ်တို့သည် ထုပ်ပိုးမှုအသေးစိတ်၊ သန့်ရှင်းရေး၊ လျှပ်ကူးပစ္စည်းဒဏ်ခံနိုင်ခြင်း၊ ရှော့ခ်ကုသမှုတို့ကို အလေးထားပါသည်။ ထုတ်ကုန်၏ ပမာဏနှင့်ပုံသဏ္ဍာန်ပေါ် မူတည်၍ ကျွန်ုပ်တို့သည် ထုပ်ပိုးမှုလုပ်ငန်းစဉ်ကို မတူညီစွာ လုပ်ဆောင်ပါမည်။ အဆင့် ၁၀၀ သန့်ရှင်းရေးခန်းတွင် တစ်ခုတည်းသော wafer cassette သို့မဟုတ် ၂၅ ခု cassette ဖြင့် ပြုလုပ်ပါသည်။