2 လက်မ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာ 6H-N နှစ်ထပ် ပွတ်လုံးပတ် 50.8mm ထုတ်လုပ်မှုအဆင့် သုတေသနအဆင့်

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) သည် ကာဘိုရွန်ဒမ်ဟုလည်း ခေါ်သော၊ ဓာတုဖော်မြူလာ SiC ပါရှိသော ဆီလီကွန်နှင့် ကာဗွန်ပါဝင်သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဖြစ်သည်။ SiC ကို မြင့်မားသော အပူချိန် သို့မဟုတ် ဗို့အားမြင့်သည့်နေရာတွင် လည်ပတ်သည့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း အီလက်ထရွန်နစ် စက်ပစ္စည်းများတွင် အသုံးပြုသည်။ သို့မဟုတ် နှစ်ခုစလုံးတွင် SiC သည် အရေးကြီးသော LED အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်ပြီး GaN ကိရိယာများ ကြီးထွားလာမှုအတွက် ရေပန်းစားသော အလွှာတစ်ခုဖြစ်ပြီး ၎င်းသည် မြင့်မားသော အပူပြန့်ပွားမှုတစ်ခုအဖြစ်လည်း ဆောင်ရွက်ပါသည်။ ပါဝါ LEDs များ။
Silicon carbide wafers များသည် အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများ ထုတ်လုပ်ရာတွင် အသုံးပြုသည့် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းကို ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး ကွဲပြားခြားနားသောအဆင့်၊ အမျိုးအစားများနှင့် မျက်နှာပြင်အချောထည်များဖြင့် ရရှိနိုင်ပါသည်။ Wafer များတွင် Lambda/10 ၏ ညီညာမှုရှိပြီး wafers များမှပြုလုပ်သော အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများအတွက် အမြင့်ဆုံးအရည်အသွေးနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို သေချာစေသည်။ Silicon carbide wafers များသည် ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ၊ LED နည်းပညာနှင့် အဆင့်မြင့်အာရုံခံကိရိယာများတွင် အသုံးပြုရန်အတွက် စံပြဖြစ်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းနှင့် ဖိုနစ်စက်မှုလုပ်ငန်းများအတွက် အရည်အသွေးမြင့် ဆီလီကွန်ကာဘိုင်ဝေဖာများ (sic) ကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ။

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

ကုန်ပစ္စည်း တံဆိပ်များ

အောက်ပါတို့သည် 2 လက်မစီလီကွန်ကာဘိုင်ဝေဖာ၏ဝိသေသလက္ခဏာများဖြစ်သည်-

1. ပိုမိုကောင်းမွန်သော ရောင်ခြည်ဒဏ်ခံနိုင်ရည်- SIC wafer များသည် ပိုမိုအားကောင်းသော ဓာတ်ရောင်ခြည်ဒဏ်ခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့် ၎င်းတို့ကို ဓာတ်ရောင်ခြည်ပတ်ဝန်းကျင်တွင် အသုံးပြုရန် သင့်လျော်စေသည်။ ဥပမာများတွင် အာကာသယာဉ်နှင့် နျူကလီးယား စက်ရုံများ ပါဝင်သည်။

2. ပိုမိုမာကျောခြင်း- SIC wafers များသည် စီလီကွန်ထက် ပိုမာကြောပြီး ပြုပြင်နေစဉ်အတွင်း wafers များ၏ ကြာရှည်ခံမှုကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။

3. Lower dielectric constant- SIC wafers ၏ dielectric constant သည် စက်အတွင်းရှိ parasitic capacitance ကို လျှော့ချရန်နှင့် ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားသော စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးသည့် ဆီလီကွန်ထက် နိမ့်ပါသည်။

4. ပိုမိုပြည့်ဝသော အီလက်ထရွန် ပျံ့နှုန်း မြင့်မားခြင်း- SIC wafer များသည် ဆီလီကွန်ထက် ပိုမိုပြည့်ဝသော အီလက်ထရွန် ပျံတက်နှုန်း မြင့်မားသောကြောင့် SIC စက်များအား ကြိမ်နှုန်းမြင့်သော အသုံးချမှုများတွင် အားသာချက် ဖြစ်စေသည်။

5. ပိုမိုမြင့်မားသောပါဝါသိပ်သည်းဆ- အထက်ဖော်ပြပါလက္ခဏာများနှင့်အတူ SIC wafer ကိရိယာများသည် သေးငယ်သောအရွယ်အစားတွင် ပါဝါထွက်ရှိမှုကို ပိုမိုမြင့်မားစွာရရှိနိုင်ပါသည်။

2inch silicon carbide wafer တွင် applications အများအပြားရှိသည်။
1. ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများ- SiC wafers များသည် ၎င်းတို့၏ မြင့်မားသောပြိုကွဲဗို့အားနှင့် ပါဝါဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးသောလက္ခဏာများကြောင့် ပါဝါ converters၊ အင်ဗာတာများနှင့် ဗို့အားမြင့်ခလုတ်များကဲ့သို့သော ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုကြသည်။

2. လျှပ်စစ်ကားများ- ဆီလီကွန်ကာဘိုင် wafer များကို စွမ်းဆောင်ရည်မြှင့်တင်ရန်နှင့် အလေးချိန်ကို လျှော့ချရန်အတွက် လျှပ်စစ်မော်တော်ယာဥ်များအတွင်း ဆီလီကွန်ကာဘိုင် wafers များကို အသုံးပြုပြီး အားသွင်းခြင်းကို ပိုမိုမြန်ဆန်စေပြီး ပိုမိုကြာရှည်စွာမောင်းနှင်နိုင်စေပါသည်။

3. ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်- Silicon carbide wafers များသည် နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံး အင်ဗာတာများနှင့် လေစွမ်းအင်စနစ်များကဲ့သို့သော ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်အသုံးချမှုများတွင် အရေးပါသောအခန်းကဏ္ဍမှပါဝင်ပြီး စွမ်းအင်ပြောင်းလဲခြင်းထိရောက်မှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို တိုးတက်စေသည်။

4.Aerospace and Defense- လေယာဉ်ပါဝါစနစ်များနှင့် ရေဒါစနစ်များအပါအဝင် မြင့်မားသောအပူချိန်၊ ပါဝါမြင့်မားမှုနှင့် ဓာတ်ရောင်ခြည်ဒဏ်ခံနိုင်သော အသုံးချပရိုဂရမ်များအတွက် SiC wafers များသည် လေကြောင်းနှင့် ကာကွယ်ရေးစက်မှုလုပ်ငန်းတွင် မရှိမဖြစ်လိုအပ်ပါသည်။

ZMSH သည် ကျွန်ုပ်တို့၏ ဆီလီကွန်ကာဘိုင်ဝေဖာများအတွက် ထုတ်ကုန်စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်ခြင်းဝန်ဆောင်မှုများကို ဆောင်ရွက်ပေးပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ wafer များကို တာရှည်ခံမှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုသေချာစေရန်အတွက် တရုတ်နိုင်ငံမှထုတ်သော အရည်အသွေးမြင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာများမှ ပြုလုပ်ထားသည်။ ဝယ်ယူသူများသည် ၎င်းတို့၏ သီးခြားလိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီရန် ကျွန်ုပ်တို့၏ wafer အရွယ်အစားနှင့် သတ်မှတ်ချက်များကို ရွေးချယ်နိုင်ပါသည်။

ကျွန်ုပ်တို့၏ Silicon Carbide wafers များသည် မတူညီသော မော်ဒယ်များနှင့် အရွယ်အစားများဖြင့် ရောက်ရှိလာကြပြီး မော်ဒယ်မှာ Silicon Carbide ဖြစ်သည်။

ကျွန်ုပ်တို့သည် မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းခြင်း ≤1.2nm နှင့် ပြားချပ်ချပ်ဖြစ်နေသော Lambda/10 အပါအဝင် တစ်ဖက်/နှစ်ထပ် ပွတ်တိုက်ခြင်း အပါအဝင် မျက်နှာပြင် ကုသမှုများစွာကို ပေးဆောင်ထားပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် သင့်လိုအပ်ချက်များအတွက် စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်သော ခံနိုင်ရည်အား မြင့်မား/နိမ့်သော ရွေးချယ်မှုများကိုလည်း ပေးပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ EPD ၏ ≤1E10/cm2 သည် ကျွန်ုပ်တို့၏ wafer များသည် အမြင့်ဆုံးစက်မှုလုပ်ငန်းစံနှုန်းများနှင့်ကိုက်ညီကြောင်း သေချာစေသည်။

အထုပ်၏အသေးစိတ်အချက်အလက်များ၊ သန့်ရှင်းရေး၊ တည်ငြိမ်မှု ၊ ရှော့တိုက်ခြင်း ကုသမှုတို့ကို အလေးထားပါသည်။ ထုတ်ကုန်၏ ပမာဏနှင့် ပုံသဏ္ဍာန်အရ၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် မတူညီသော ထုပ်ပိုးမှုလုပ်ငန်းစဉ်ကို လုပ်ဆောင်ပါမည်။ 100 တန်း သန့်ရှင်းရေးအခန်းတွင် wafer ကက်ဆက်တစ်ခု သို့မဟုတ် 25pcs ကက်ဆက်ဖြင့်နီးပါး။