2 လက်မ Silicon Carbide Wafers 6H သို့မဟုတ် 4H N-type သို့မဟုတ် Semi-Insulating SiC အလွှာများ

4H SiC wafer N-အမျိုးအစား
အချင်း: 2 လက်မ 50.8mm |4 လက်မ 100mm |6 လက်မ 150mm
ဦးတည်ချက်- ဝင်ရိုးပိတ် 4.0˚ <1120> ± 0.5˚ဆီသို့
ခုခံနိုင်မှု- < 0.1 ohm.cm
ကြမ်းတမ်းမှု- Si-face CMP Ra <0.5nm၊ C-face optical polish Ra <1 nm

4H SiC wafer Semi-insulating
အချင်း: 2 လက်မ 50.8mm |4 လက်မ 100mm |6 လက်မ 150mm
ဦးတည်ချက်- ဝင်ရိုးပေါ်တွင် {0001} ± 0.25˚
ခုခံနိုင်မှု->1E5 ohm.cm
ကြမ်းတမ်းမှု- Si-face CMP Ra <0.5nm၊ C-face optical polish Ra <1 nm

1. 5G အခြေခံအဆောက်အအုံ- ဆက်သွယ်ရေး ပါဝါထောက်ပံ့မှု။
Communication power supply သည် server နှင့် base station ဆက်သွယ်မှုအတွက် စွမ်းအင်အခြေခံဖြစ်သည်။၎င်းသည် ဆက်သွယ်ရေးစနစ်၏ ပုံမှန်လည်ပတ်မှုကို သေချာစေရန် အမျိုးမျိုးသော သွယ်တန်းသော ပစ္စည်းများအတွက် လျှပ်စစ်စွမ်းအင်ကို ထောက်ပံ့ပေးသည်။

2. စွမ်းအင်သုံးကားအသစ်များ၏ အားသွင်းပုံ -- အားသွင်းပုံ၏ ပါဝါမော်ဂျူး။
အားသွင်းနှုန်းကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် အားသွင်းစရိတ်ကို လျှော့ချရန်အတွက် အားသွင်းပုံပါဝါ module တွင် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့် အားသွင်းပုံပါဝါ module ၏ မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် စွမ်းအားမြင့်မားမှုကို သိရှိနိုင်သည်။

3. ဒေတာစင်တာကြီး၊ စက်မှုအင်တာနက် -- ဆာဗာပါဝါထောက်ပံ့မှု။
ဆာဗာပါဝါထောက်ပံ့မှုသည် ဆာဗာစွမ်းအင်စာကြည့်တိုက်ဖြစ်သည်။ဆာဗာသည် ဆာဗာစနစ်၏ ပုံမှန်လည်ပတ်မှုကို သေချာစေရန် ပါဝါပေးပါသည်။ဆာဗာပါဝါထောက်ပံ့မှုတွင် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပါဝါအစိတ်အပိုင်းများကို အသုံးပြုခြင်းသည် ဆာဗာပါဝါပေးဝေမှု၏ ပါဝါသိပ်သည်းမှုနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်နိုင်ပြီး ဒေတာစင်တာတစ်ခုလုံး၏ ထုထည်ပမာဏကို လျှော့ချနိုင်ကာ ဒေတာစင်တာ၏ အလုံးစုံဆောက်လုပ်ရေးကုန်ကျစရိတ်ကို လျှော့ချနိုင်ပြီး ပိုမိုမြင့်မားသော ပတ်ဝန်းကျင်ရရှိစေရန်၊ လုပ်ရည်ကိုင်ရည်။

4. Uhv - ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ် ကူးပြောင်းနိုင်သော DC circuit breakers များကို အသုံးပြုခြင်း။

5. အဝေးပြေးရထားလမ်းနှင့် အဝေးပြေးရထားလိုင်းများ - ဆွဲငင်အားပြောင်းစက်များ၊ ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ထရန်စဖော်မာများ၊ အရန်ပြောင်းစက်များ၊ အရန်ဓာတ်အားပေးပစ္စည်းများ။