Silicon Epi-layer wafer ပေါ်ရှိ 150mm 200mm 6လက်မ 8လက်မ GaN GaN

Silicon Epi-layer wafer ရှိ 150mm 200mm 6လက်မ 8လက်မ GaN GaN အမျိုးအစား Gallium nitride epitaxial wafer အထူးအသားပေးပုံ

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

6 လက်မအရွယ် GaN Epi-layer wafer သည် ဆီလီကွန်အလွှာပေါ်တွင် စိုက်ပျိုးထားသော gallium nitride (GaN) အလွှာများပါ၀င်သော အရည်အသွေးမြင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဖြစ်သည်။ ပစ္စည်းသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော အီလက်ထရွန်းနစ် သယ်ယူပို့ဆောင်ရေး ဂုဏ်သတ္တိများ ရှိပြီး ပါဝါမြင့် နှင့် ကြိမ်နှုန်းမြင့် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ စက်ပစ္စည်းများကို ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် စံပြဖြစ်သည်။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ။

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

ကုန်ပစ္စည်း တံဆိပ်များ

ထုတ်လုပ်မှုနည်းလမ်း

ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် သတ္တု-အော်ဂဲနစ်ဓာတုအငွေ့ထုတ်ခြင်း (MOCVD) သို့မဟုတ် မော်လီကျူလာအလင်းတန်း epitaxy (MBE) ကဲ့သို့သော အဆင့်မြင့်နည်းပညာများကို အသုံးပြု၍ နီလာအလွှာတစ်ခုပေါ်တွင် GaN အလွှာများ ကြီးထွားလာခြင်းပါဝင်သည်။ အစစ်ခံခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်သည် မြင့်မားသောပုံဆောင်ခဲအရည်အသွေးနှင့် တစ်ပြေးညီဖလင်ဖြစ်ကြောင်း သေချာစေရန် ထိန်းချုပ်ထားသော အခြေအနေများအောက်တွင် လုပ်ဆောင်သည်။

6 လက်မ GaN-On-Sapphire အပလီကေးရှင်းများ- 6 လက်မ နီလာအလွှာ ချစ်ပ်များကို မိုက်ခရိုဝေ့ဖ်ဆက်သွယ်ရေး၊ ရေဒါစနစ်များ၊ ကြိုးမဲ့နည်းပညာနှင့် optoelectronics များတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုကြသည်။

အချို့သော အသုံးများသော အပလီကေးရှင်းများ ပါဝင်သည်။

1. Rf ပါဝါ အသံချဲ့စက်

2. LED အလင်းရောင်လုပ်ငန်း

3. ကြိုးမဲ့ကွန်ရက်ဆက်သွယ်ရေးကိရိယာ

4. မြင့်မားသောအပူချိန်ပတ်ဝန်းကျင်တွင် အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ

5. Optoelectronic စက်များ

ထုတ်ကုန်သတ်မှတ်ချက်များ

- အရွယ်အစား- အချင်းသည် 6 လက်မ (150 mm ခန့်) ဖြစ်သည်။

- မျက်နှာပြင်အရည်အသွေး- အထူးကောင်းမွန်သော မှန်အရည်အသွေးကို ပေးစွမ်းရန် မျက်နှာပြင်ကို သပ်ရပ်စွာ ပွတ်တိုက်ထားသည်။

- အထူ- GaN အလွှာ၏အထူကို သီးခြားလိုအပ်ချက်များနှင့်အညီ စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်ပါသည်။

- ထုပ်ပိုးခြင်း- သယ်ယူစဉ်အတွင်း ပျက်စီးခြင်းမှ ကာကွယ်ရန် အလွှာကို ဂရုတစိုက် ထုပ်ပိုးထားသည်။

- Positioning edges- ကိရိယာပြင်ဆင်မှုအတွင်း ချိန်ညှိမှုနှင့် လည်ပတ်မှုကို လွယ်ကူချောမွေ့စေသည့် သီးခြားနေရာချထားသော အစွန်းများရှိသည်။

- အခြားသော ကန့်သတ်ချက်များ- ပါးလွှာမှု၊ ခံနိုင်ရည်ရှိမှုနှင့် သုံးစွဲမှု လိုအပ်ချက်အရ သုံးစွဲသူ လိုအပ်ချက်အရ ချိန်ညှိနိုင်သည် ။

၎င်းတို့၏ သာလွန်ကောင်းမွန်သော ပစ္စည်းဂုဏ်သတ္တိများနှင့် ကွဲပြားသော အသုံးချမှုများဖြင့်၊ 6 လက်မ sapphire အလွှာလွှာ wafers များသည် လုပ်ငန်းအမျိုးမျိုးတွင် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် semiconductor ကိရိယာများ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် ယုံကြည်စိတ်ချရသော ရွေးချယ်မှုတစ်ခုဖြစ်သည်။

အလွှာ	6" 1mm <111> p-type Si	6" 1mm <111> p-type Si
Epi ThickAvg	~5um	~၇မ်
Epi ThickUnif	<2%	<2%
ဦးညွှတ်	+/-45um	+/-45um
အခုချက်ချင်း	< 5 မီလီမီတာ	< 5 မီလီမီတာ
ဒေါင်လိုက် BV	> 1000V	> 1400V
HEMT အယ်လ်%	25-35%	25-35%
HEMT ThickAvg	20-30nm	20-30nm
Insitu SiN Cap	5-60nm	5-60nm
2DEG conc	~၁၀¹³cm^-2	~၁၀¹³cm^-2
ရွေ့လျားနိုင်မှု	~ 2000 စင်တီမီတာ²/Vs (<2%)	~ 2000 စင်တီမီတာ²/Vs (<2%)
Rsh	<330ohm/sqq (<2%)	<330ohm/sqq (<2%)