SiC
-
2 လက်မ Sic silicon carbide အလွှာ 6H-N အမျိုးအစား 0.33mm 0.43mm နှစ်ထပ် ပွတ်တိုက်မှု မြင့်မားသော အပူစီးကူးမှု ပါဝါသုံးစွဲမှု နည်းပါးသည်
-
SiC substrate 3inch 350um thickness HPSI type Prime Grade Dummy grade
-
Silicon Carbide SiC Ingot 6 လက်မ N အမျိုးအစား Dummy/prime grade အထူ စိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်နိုင်ပါသည်။
-
6 Silicon Carbide 4H-SiC Semi-Insulating Ingot၊ Dummy Grade
-
SiC Ingot 4H အမျိုးအစား Dia 4 လက်မ 6 လက်မ အထူ 5-10mm သုတေသန/Dummy အဆင့်
-
Sic Substrate Silicon Carbide Wafer 4H-N အမျိုးအစား High Hardness Corrosion Resistance Prime Grade Polishing
-
2inch Silicon Carbide Wafer 6H-N အမျိုးအစား Prime Grade Research Grade Dummy Grade 330μm 430μm အထူ
-
2 လက်မ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာ 6H-N နှစ်ထပ်ပွတ်လုံးပတ် 50.8mm ထုတ်လုပ်မှုအဆင့် သုတေသနအဆင့်
-
N-Type SiC Composite Substrates Dia6inch အရည်အသွေးမြင့် monocrystaline နှင့် အရည်အသွေးနိမ့်အလွှာ
-
Semi-Insulating SiC Composite Substrates Dia2inch 4inch 6inch 8inch HPSI
-
Si Composite Substrates Dia6inch ရှိ N-Type SiC
-
SiC အလွှာ Dia200mm 4H-N နှင့် HPSI ဆီလီကွန်ကာဗိုက်