SiC
-
4H-N HPSI SiC wafer 6H-N 6H-P 3C-N SiC Epitaxial wafer MOS သို့မဟုတ် SBD
-
ပါဝါကိရိယာများအတွက် SiC Epitaxial Wafer - 4H-SiC၊ N-type၊ ချို့ယွင်းသိပ်သည်းမှု
-
4H-N Type SiC Epitaxial Wafer High Voltage High Frequency
-
3 လက်မ မြင့်မားသော သန့်စင်မှု (Undoped) Silicon Carbide Wafers semi-Insulating Sic Substrates (HPSl)
-
4H-N 8 လက်မ SiC အလွှာ wafer Silicon Carbide Dummy သုတေသနအဆင့် 500um အထူ
-
4H-N/6H-N SiC Wafer Reeasearch ထုတ်လုပ်မှု Dummy grade Dia150mm Silicon carbide substrate
-
Au coated wafer၊ sapphire wafer၊ silicon wafer၊ SiC wafer၊ 2လက်မ 4လက်မ 6လက်မ၊ ရွှေရောင် coated thickness 10nm 50nm 100nm
-
SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-Semi 6H-Semi 4H-P 6H-P 3C အမျိုးအစား 2 လက်မ 3 လက်မ 4 လက်မ 6 လက်မ 8 လက်မ
-
2 လက်မ Sic silicon carbide အလွှာ 6H-N အမျိုးအစား 0.33mm 0.43mm နှစ်ထပ် ပွတ်တိုက်မှု မြင့်မားသော အပူစီးကူးမှု ပါဝါသုံးစွဲမှု နည်းပါးသည်
-
SiC substrate 3inch 350um thickness HPSI type Prime Grade Dummy grade
-
Silicon Carbide SiC Ingot 6 လက်မ N အမျိုးအစား Dummy/prime grade အထူ စိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်နိုင်ပါသည်။
-
6 Silicon Carbide 4H-SiC Semi-Insulating Ingot၊ Dummy Grade