Sic Substrate Silicon Carbide Wafer 4H-N အမျိုးအစား High Hardness Corrosion Resistance Prime Grade Polishing

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

Silicon carbide wafers များသည် အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများ ထုတ်လုပ်ရာတွင် အသုံးပြုသည့် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းကို ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာဖြင့် ပြုလုပ်ထားပြီး ကွဲပြားခြားနားသောအဆင့်၊ အမျိုးအစားများနှင့် မျက်နှာပြင်အချောထည်များဖြင့် ရရှိနိုင်ပါသည်။ Wafer များတွင် Lambda/10 ၏ ညီညာမှုရှိပြီး wafers များမှပြုလုပ်သော အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများအတွက် အမြင့်ဆုံးအရည်အသွေးနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို သေချာစေသည်။ Silicon carbide wafers များသည် ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ၊ LED နည်းပညာနှင့် အဆင့်မြင့်အာရုံခံကိရိယာများတွင် အသုံးပြုရန်အတွက် စံပြဖြစ်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းနှင့် ဖိုနစ်စက်မှုလုပ်ငန်းများအတွက် အရည်အသွေးမြင့် ဆီလီကွန်ကာဘိုင်ဝေဖာများ (sic) ကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ။

ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

ကုန်ပစ္စည်း တံဆိပ်များ

အောက်ပါတို့သည် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် wafer ၏ ဝိသေသများဖြစ်သည်။

1. ပိုမိုမြင့်မားသောအပူစီးကူးမှု- SIC wafers များ၏အပူစီးကူးမှုသည် ဆီလီကွန်ထက် များစွာပိုမိုမြင့်မားသည်၊ ဆိုလိုသည်မှာ SIC wafers များသည် အပူကိုထိရောက်စွာသွေဖယ်နိုင်ပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်ပတ်ဝန်းကျင်တွင်လည်ပတ်ရန်အတွက်သင့်လျော်သည်။
2. ပိုမိုမြင့်မားသော အီလက်ထရွန် ရွေ့လျားနိုင်မှု- SIC wafer များသည် ဆီလီကွန်ထက် အီလက်ထရွန် ရွေ့လျားနိုင်မှု မြင့်မားသောကြောင့် SIC ကိရိယာများကို ပိုမိုမြန်နှုန်းမြင့်စွာ လည်ပတ်နိုင်စေပါသည်။
3. ပိုမိုမြင့်မားသောပြိုကွဲဗို့အား- SIC wafer ပစ္စည်းသည် ပိုမိုမြင့်မားသောပြိုကွဲဗို့အားရှိပြီး ဗို့အားမြင့်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများထုတ်လုပ်ရန်အတွက် သင့်လျော်စေသည်။
4. ပိုမိုမြင့်မားသောဓာတုဗေဒတည်ငြိမ်မှု- SIC wafer များသည် စက်ပစ္စည်း၏ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် ကြာရှည်ခံမှုကို တိုးတက်ကောင်းမွန်လာစေသော ဓာတုချေးခံနိုင်ရည်အား ပိုမိုအားကောင်းစေသည်။
5. ပိုကျယ်သော bandကွာဟမှု- SIC wafers များသည် ဆီလီကွန်ထက် ပိုကျယ်သော bandကွာဟချက်ရှိသောကြောင့် SIC စက်များကို အပူချိန်မြင့်မြင့်တွင် ပိုကောင်းစေပြီး ပိုမိုတည်ငြိမ်စေသည်။

Silicon carbide wafer တွင် အသုံးချမှုများစွာရှိသည်။

1.Mechanical field: ဖြတ်တောက်ခြင်းကိရိယာများနှင့်ကြိတ်ခွဲပစ္စည်းများ; ဝတ်ဆင်ခံနိုင်ရည်ရှိသောအစိတ်အပိုင်းများနှင့် bushings; စက်မှုအဆို့ရှင်များနှင့်ဖျံများ; ဝက်ဝံများနှင့်ဘောလုံးများ
2.Electronic power field: ပါဝါတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာများ; မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းမိုက်ခရိုဝေ့ဒြပ်စင်၊ မြင့်မားသောဗို့အားနှင့် အပူချိန်မြင့်မားသော ပါဝါလျှပ်စစ်ပစ္စည်း၊ အပူစီမံခန့်ခွဲမှုပစ္စည်း
3.Chemical စက်မှုလုပ်ငန်း- ဓာတုဓာတ်ပေါင်းဖိုနှင့် စက်ကိရိယာများ၊ တိုက်စားခံနိုင်ရည်ရှိသောပိုက်များနှင့်သိုလှောင်ကန်များ; ဓာတုဓာတ်ကူပစ္စည်းပံ့ပိုးမှု
4. စွမ်းအင်ကဏ္ဍ- ဓာတ်ငွေ့တာဘိုင်နှင့် တာဘိုအားသွင်းကိရိယာ အစိတ်အပိုင်းများ၊ Nuclear power core နှင့် structural components များသည် high temperature fuel cell အစိတ်အပိုင်းများဖြစ်သည်။
5.Aerospace- ဒုံးကျည်များနှင့် အာကာသယာဉ်များအတွက် အပူကာကွယ်ရေးစနစ်များ။ ဂျက်အင်ဂျင်တာဘိုင်ဓါးများ၊ အဆင့်မြင့်ပေါင်းစပ်
6.Other ဧရိယာများ- မြင့်မားသောအပူချိန်အာရုံခံကိရိယာများနှင့် thermopiles; သေဆုံးခြင်းနှင့် sintering လုပ်ငန်းစဉ်အတွက်ကိရိယာများ; ကြိတ်ခြင်း နှင့် ပေါလစ်ဖြတ်ခြင်း ၊
ZMKJ သည် အရည်အသွေးမြင့် တစ်ခုတည်းသော crystal SiC wafer (Silicon Carbide) ကို အီလက်ထရွန်းနစ်နှင့် optoelectronic လုပ်ငန်းအတွက် ပံ့ပိုးပေးနိုင်သည်။ SiC wafer သည် မျိုးဆက်သစ် ဆီလီကွန် wafer နှင့် GaAs wafer နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ထူးခြားသော လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများနှင့် အထူးကောင်းမွန်သော အပူဂုဏ်သတ္တိများရှိသော မျိုးဆက်သစ် ဆီလီကွန်ဒတ်တာ ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်ပြီး SiC wafer သည် အပူချိန်မြင့်မားပြီး ပါဝါမြင့်မားသော စက်အသုံးချမှုအတွက် ပိုမိုသင့်လျော်ပါသည်။ SiC wafer သည် အချင်း 2-6 လက်မ၊ 4H နှင့် 6H SiC ၊ N-type ၊ Nitrogen doped နှင့် semi-insulating type နှစ်မျိုးလုံး ရနိုင်ပါသည်။ နောက်ထပ်ထုတ်ကုန်အချက်အလက်အတွက် ကျေးဇူးပြု၍ ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ပါ။
ကျွန်ုပ်တို့၏စက်ရုံတွင် ဖောက်သည်များ၏ သီးခြားလိုအပ်ချက်များနှင့်အညီ SiC wafer ၏ အမျိုးမျိုးသော သတ်မှတ်ချက်များ၊ အထူများနှင့် ပုံသဏ္ဍာန်များကို စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်သော အဆင့်မြင့်ထုတ်လုပ်မှုစက်ပစ္စည်းများနှင့် နည်းပညာအဖွဲ့ရှိသည်။