Sic အောက်ခံ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် ဝေဖာ 4H-N အမျိုးအစား မာကျောမှုမြင့်မားခြင်း၊ ချေးခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း၊ အဓိကအဆင့် ඔප දැමීම
အောက်ပါတို့သည် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဝေဖာ၏ ဝိသေသလက္ခဏာများဖြစ်သည်
၁။ အပူစီးကူးနိုင်စွမ်းမြင့်မားခြင်း- SIC ဝေဖာများ၏ အပူစီးကူးနိုင်စွမ်းသည် ဆီလီကွန်ထက် များစွာပိုမိုမြင့်မားသောကြောင့် SIC ဝေဖာများသည် အပူကို ထိရောက်စွာ ပျံ့နှံ့စေပြီး အပူချိန်မြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်တွင် လည်ပတ်ရန် သင့်လျော်ပါသည်။
၂။ အီလက်ထရွန် ရွေ့လျားနိုင်မှု ပိုမိုမြင့်မားခြင်း- SIC ဝေဖာများတွင် ဆီလီကွန်ထက် အီလက်ထရွန် ရွေ့လျားနိုင်မှု ပိုမိုမြင့်မားသောကြောင့် SIC စက်ပစ္စည်းများကို ပိုမိုမြင့်မားသော အမြန်နှုန်းများဖြင့် လည်ပတ်နိုင်စေပါသည်။
၃။ ပြိုကွဲနိုင်သောဗို့အားမြင့်မားခြင်း- SIC wafer ပစ္စည်းတွင် ပြိုကွဲနိုင်သောဗို့အားပိုမိုမြင့်မားသောကြောင့် မြင့်မားသောဗို့အားရှိသော semiconductor စက်ပစ္စည်းများ ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် သင့်လျော်ပါသည်။
၄။ ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ တည်ငြိမ်မှု ပိုမိုမြင့်မားခြင်း- SIC ဝေဖာများသည် ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ ချေးခံနိုင်ရည် ပိုမိုအားကောင်းပြီး ၎င်းသည် စက်ပစ္စည်း၏ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် တာရှည်ခံမှုကို မြှင့်တင်ရန် ကူညီပေးသည်။
၅။ band gap ပိုကျယ်ခြင်း- SIC wafers များတွင် silicon ထက် band gap ပိုကျယ်သောကြောင့် SIC devices များသည် မြင့်မားသော အပူချိန်များတွင် ပိုမိုကောင်းမွန်ပြီး ပိုမိုတည်ငြိမ်စေသည်။
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဝေဖာသည် အသုံးချမှုများစွာရှိသည်
၁။ စက်မှုနယ်ပယ်- ဖြတ်တောက်ကိရိယာများနှင့် ကြိတ်ခွဲသည့်ပစ္စည်းများ၊ ဝတ်ဆင်မှုဒဏ်ခံနိုင်သော အစိတ်အပိုင်းများနှင့် ဘူးရှန်းများ၊ စက်မှုလုပ်ငန်းသုံး အဆို့ရှင်များနှင့် တံဆိပ်များ၊ ဝက်ဝံများနှင့် ဘောလုံးများ
၂။ အီလက်ထရွန်းနစ် ပါဝါစက်ကွင်း- ပါဝါ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများ၊ မြင့်မားသော ကြိမ်နှုန်း မိုက်ခရိုဝေ့ဖ် ဒြပ်စင်၊ မြင့်မားသော ဗို့အားနှင့် မြင့်မားသော အပူချိန် ပါဝါ အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ၊ အပူစီမံခန့်ခွဲမှု ပစ္စည်း
၃။ ဓာတုဗေဒလုပ်ငန်း- ဓာတုဓာတ်ပေါင်းဖိုနှင့် စက်ပစ္စည်းများ၊ ချေးခံနိုင်ရည်ရှိသော ပိုက်များနှင့် သိုလှောင်ကန်များ၊ ဓာတုဓာတ်ကူပစ္စည်း အထောက်အပံ့
၄။ စွမ်းအင်ကဏ္ဍ- ဓာတ်ငွေ့တာဘိုင်နှင့် တာဘိုချာဂျာ အစိတ်အပိုင်းများ၊ နျူကလီးယားစွမ်းအင် အဓိကအစိတ်အပိုင်းများနှင့် ဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာ အစိတ်အပိုင်းများ၊ အပူချိန်မြင့် လောင်စာဆဲလ် အစိတ်အပိုင်းများ
၅။ အာကာသယာဉ်များ- ဒုံးကျည်များနှင့် အာကာသယာဉ်များအတွက် အပူကာကွယ်ရေးစနစ်များ၊ ဂျက်အင်ဂျင်တာဘိုင်ဓါးများ၊ အဆင့်မြင့်ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများ
၆။ အခြားနယ်ပယ်များ- အပူချိန်မြင့်အာရုံခံကိရိယာများနှင့် သာမိုတိုင်များ၊ sintering လုပ်ငန်းစဉ်အတွက် ဒိုင်များနှင့်ကိရိယာများ၊ ကြိတ်ခွဲခြင်းနှင့် ඔප දැමීමနှင့် ဖြတ်တောက်ခြင်းနယ်ပယ်များ
ZMKJ သည် အီလက်ထရွန်းနစ်နှင့် အော်ပတိုအီလက်ထရွန်းနစ် လုပ်ငန်းများအတွက် အရည်အသွေးမြင့် single crystal SiC wafer (Silicon Carbide) ကို ပံ့ပိုးပေးနိုင်ပါသည်။ SiC wafer သည် ဆီလီကွန် wafer နှင့် GaAs wafer တို့နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ထူးခြားသော လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများနှင့် အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူဂုဏ်သတ္တိများရှိသည့် နောက်မျိုးဆက် semiconductor ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်ပြီး SiC wafer သည် အပူချိန်မြင့်မားခြင်းနှင့် ပါဝါမြင့်မားသော စက်ပစ္စည်းအသုံးချမှုအတွက် ပိုမိုသင့်လျော်ပါသည်။ SiC wafer ကို အချင်း ၂-၆ လက်မဖြင့် ထောက်ပံ့ပေးနိုင်ပြီး 4H နှင့် 6H SiC၊ N-type၊ Nitrogen doped နှင့် semi-insulating အမျိုးအစား နှစ်မျိုးလုံး ရရှိနိုင်ပါသည်။ ထုတ်ကုန်အချက်အလက်ပိုမိုသိရှိလိုပါက ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ပါ။
ကျွန်ုပ်တို့စက်ရုံတွင် အဆင့်မြင့်ထုတ်လုပ်မှုပစ္စည်းကိရိယာများနှင့် နည်းပညာအဖွဲ့ရှိပြီး ၎င်းတို့သည် ဖောက်သည်များ၏ သီးခြားလိုအပ်ချက်များအရ SiC wafer ၏ သတ်မှတ်ချက်များ၊ အထူနှင့် ပုံသဏ္ဍာန်အမျိုးမျိုးကို စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်ပါသည်။
အသေးစိတ်ပုံကြမ်း
