SiC
-
4H-N 8 လက်မ SiC အလွှာ wafer Silicon Carbide Dummy သုတေသနအဆင့် 500um အထူ
-
4H-N/6H-N SiC Wafer Reeasearch ထုတ်လုပ်မှု Dummy grade Dia150mm Silicon carbide substrate
-
12 လက်မ SIC အလွှာ စီလီကွန်ကာဘိုင် အချင်း 300 မီလီမီတာ အရွယ်အစား ကြီးမားသော 4H-N ပါဝါ မြင့်မားသော ကိရိယာ အပူကို စွန့်ထုတ်ရန် သင့်လျော်သည်။
-
8 လက်မ SiC ဆီလီကွန်ကာဘိုင် wafer 4H-N အမျိုးအစား 0.5mm ထုတ်လုပ်မှုအဆင့် သုတေသနအဆင့် စိတ်ကြိုက်ပွတ်အလွှာ
-
HPSI SiC wafer dia: 3 လက်မအထူ- 350um ± 25 µm ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်အတွက်
-
3inch High purity Semi-Insulating (HPSI)SiC wafer 350um Dummy grade Prime grade
-
P-type SiC substrate SiC wafer Dia2inch ထုတ်ကုန်အသစ်
-
8လက်မ 200mm Silicon Carbide SiC Wafers 4H-N အမျိုးအစား ထုတ်လုပ်မှုအဆင့် 500um အထူ
-
2 လက်မ 6H-N ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာ Sic Wafer နှစ်ချက်ပွတ်ဆွဲ လျှပ်ကူးနိုင်သော Prime Grade Mos Grade
-
wafer သယ်ဆောင်ခြင်းအတွက် SiC ကြွေထည်အဆုံး effector လွှဲပြောင်းပေးခြင်း
-
ICP အတွက် 4 လက်မ 6 လက်မ wafer ကိုင်ဆောင်သူအတွက် SiC ကြွေပြား/ဗန်း
-
3 လက်မ မြင့်မားသော သန့်စင်မှု (Undoped) Silicon Carbide Wafers semi-Insulating Sic Substrates (HPSl)