တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း လေဆာ မြှင့်တင်သည့် ပစ္စည်းကိရိယာများသည် အင်္ဂတေပါးလွှာခြင်းကို တော်လှန်ပြောင်းလဲစေသည်
အသေးစိတ်ပုံကြမ်း
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း လေဆာ မြှင့်တင်ရေး ပစ္စည်းကိရိယာ ထုတ်ကုန်မိတ်ဆက်
Semiconductor Laser Lift-Off Equipment သည် လေဆာဖြင့် မြှင့်တင်သည့် နည်းစနစ်များမှတစ်ဆင့် semiconductor ingots များကို တိကျစွာနှင့် ထိတွေ့မှုမရှိ ပါးလွှာစေရန်အတွက် အင်ဂျင်နီယာပြုလုပ်ထားသော အလွန်အထူးပြု စက်မှုလုပ်ငန်းဆိုင်ရာ ဖြေရှင်းချက်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤအဆင့်မြင့်စနစ်သည် ခေတ်မီ semiconductor wafering လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် အထူးသဖြင့် မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော power electronics၊ LEDs နှင့် RF devices များအတွက် အလွန်ပါးလွှာသော wafer များ ထုတ်လုပ်ရာတွင် အဓိကအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်သည်။ အစုလိုက် ingots သို့မဟုတ် donor substrates မှ အလွှာပါးများကို ခွဲထုတ်နိုင်ခြင်းဖြင့် Semiconductor Laser Lift-Off Equipment သည် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ လွှစက်၊ ကြိတ်ခွဲခြင်းနှင့် ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ ထွင်းထုခြင်းအဆင့်များကို ဖယ်ရှားခြင်းဖြင့် ingot ပါးလွှာခြင်းကို တော်လှန်ပြောင်းလဲစေသည်။
ဂယ်လီယမ် နိုက်ထရိုက် (GaN)၊ ဆီလီကွန် ကာဗိုက် (SiC) နှင့် နီလာကဲ့သို့သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း အချောင်းများကို ရိုးရာနည်းဖြင့် ပါးလွှာစေခြင်းသည် လုပ်အားများစွာ အသုံးပြုရပြီး အလဟဿဖြစ်ကာ အက်ကွဲကြောင်းများ သို့မဟုတ် မျက်နှာပြင်ပျက်စီးမှုများ ဖြစ်လွယ်သည်။ ဆန့်ကျင်ဘက်အားဖြင့်၊ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း လေဆာ မြှင့်တင်သည့် ပစ္စည်းကိရိယာသည် ပစ္စည်းဆုံးရှုံးမှုနှင့် မျက်နှာပြင်ဖိစီးမှုကို လျှော့ချပေးသည့်အပြင် ထုတ်လုပ်မှုကိုလည်း မြှင့်တင်ပေးသည့် ပျက်စီးမှုမရှိသော၊ တိကျသော ရွေးချယ်မှုတစ်ခုကို ပေးဆောင်သည်။ ၎င်းသည် ပုံဆောင်ခဲနှင့် ဒြပ်ပေါင်းပစ္စည်းအမျိုးမျိုးကို ပံ့ပိုးပေးပြီး ရှေ့ဆုံး သို့မဟုတ် အလယ်အလတ်တန်းစား တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းများတွင် ချောမွေ့စွာ ပေါင်းစပ်နိုင်သည်။
ပြင်ဆင်သတ်မှတ်နိုင်သော လေဆာလှိုင်းအလျားများ၊ လိုက်လျောညီထွေဖြစ်အောင် အာရုံစူးစိုက်မှုစနစ်များနှင့် vacuum-compatible wafer chucks များဖြင့် ဤပစ္စည်းကိရိယာသည် ingot slicing၊ lamella ဖန်တီးခြင်းနှင့် vertical device structures သို့မဟုတ် heteroepitaxial layer transfer အတွက် ultra-thin film detachment အတွက် အထူးသင့်လျော်ပါသည်။
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း လေဆာ မြှင့်တင်ရေး ပစ္စည်းကိရိယာ၏ ကန့်သတ်ချက်
| လှိုင်းအလျား | IR/SHG/THG/FHG |
|---|---|
| လှိုင်းနှုန်းအကျယ် | နာနိုစက္ကန့်၊ ပီကိုစက္ကန့်၊ ဖမ်တိုစက္ကန့် |
| အလင်းစနစ် | ပုံသေအလင်းစနစ် သို့မဟုတ် Galvano-အလင်းစနစ် |
| XY အဆင့် | ၅၀၀ မီလီမီတာ × ၅၀၀ မီလီမီတာ |
| လုပ်ဆောင်ရမည့်အပိုင်းအခြား | ၁၆၀ မီလီမီတာ |
| ရွေ့လျားမှုအမြန်နှုန်း | အများဆုံး ၁၀၀၀ မီလီမီတာ/စက္ကန့် |
| ထပ်ခါတလဲလဲလုပ်ဆောင်နိုင်မှု | ±၁ မိုက်ခရိုမီတာ သို့မဟုတ် ထို့ထက်နည်းသော |
| ပကတိ အနေအထား တိကျမှု- | ±၅ မိုက်ခရိုမီတာ သို့မဟုတ် ထို့ထက်နည်းသော |
| ဝေဖာအရွယ်အစား | ၂-၆ လက်မ သို့မဟုတ် စိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်ထားသည် |
| ထိန်းချုပ်ခြင်း | Windows 10, 11 နှင့် PLC |
| ပါဝါထောက်ပံ့မှုဗို့အား | AC 200 V ±20 V၊ တစ်ဆင့်၊ 50/60 kHz |
| ပြင်ပအတိုင်းအတာ | ၂၄၀၀ မီလီမီတာ (အနံ) × ၁၇၀၀ မီလီမီတာ (အနက်) × ၂၀၀၀ မီလီမီတာ (အမြင့်) |
| အလေးချိန် | ၁၀၀၀ ကီလိုဂရမ် |
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း လေဆာ မြှင့်တင်သည့် ပစ္စည်းကိရိယာ၏ အလုပ်လုပ်ပုံ အခြေခံမူ
Semiconductor Laser Lift-Off Equipment ၏ အဓိကယန္တရားသည် donor ingot နှင့် epitaxial သို့မဟုတ် target layer အကြားရှိ interface တွင် selective photothermal decomposition သို့မဟုတ် ablation ပေါ်တွင် မူတည်သည်။ မြင့်မားသောစွမ်းအင် UV laser (ပုံမှန်အားဖြင့် 248 nm ရှိ KrF သို့မဟုတ် 355 nm ဝန်းကျင်ရှိ solid-state UV lasers) ကို ပွင့်လင်းမြင်သာသော သို့မဟုတ် တစ်ဝက်ပွင့်လင်းမြင်သာသော donor ပစ္စည်းမှတစ်ဆင့် အာရုံစူးစိုက်ပြီး စွမ်းအင်ကို ကြိုတင်သတ်မှတ်ထားသော အနက်တွင် ရွေးချယ်၍ စုပ်ယူသည်။
ဤဒေသတွင်းစွမ်းအင်စုပ်ယူမှုသည် မျက်နှာပြင်တွင် မြင့်မားသောဖိအားရှိသောဓာတ်ငွေ့အဆင့် သို့မဟုတ် အပူချဲ့ထွင်မှုအလွှာကို ဖန်တီးပေးပြီး၊ ၎င်းသည် ingot အောက်ခြေမှ အပေါ်ပိုင်း wafer သို့မဟုတ် device အလွှာ၏ သန့်ရှင်းသော အလွှာကွာကျမှုကို စတင်ပေးသည်။ pulse width၊ laser fluence၊ scanning speed နှင့် z-axis focal depth ကဲ့သို့သော parameters များကို ချိန်ညှိခြင်းဖြင့် လုပ်ငန်းစဉ်ကို အသေးစိတ်ချိန်ညှိထားသည်။ ရလဒ်အနေဖြင့် အလွန်ပါးလွှာသော အချပ်တစ်ခု—မကြာခဏ 10 မှ 50 µm အတိုင်းအတာအတွင်း—ကို စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ပွတ်တိုက်မှုမရှိဘဲ မိခင် ingot မှ သန့်ရှင်းစွာ ခွဲထုတ်ထားသည်။
ဤ ingot ပါးလွှာစေရန်အတွက် laser lift-off နည်းလမ်းသည် စိန်ဝါယာကြိုးလွှခြင်း သို့မဟုတ် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ lapping များနှင့်ဆက်စပ်သော kerf ဆုံးရှုံးမှုနှင့် မျက်နှာပြင်ပျက်စီးမှုကို ရှောင်ရှားပေးသည်။ ၎င်းသည် crystal ၏ တည်တံ့မှုကိုလည်း ထိန်းသိမ်းပေးပြီး downstream polishing လိုအပ်ချက်များကို လျှော့ချပေးသောကြောင့် Semiconductor Laser Lift-Off Equipment ကို နောက်မျိုးဆက် wafer ထုတ်လုပ်မှုအတွက် ဂိမ်းပြောင်းလဲစေသောကိရိယာတစ်ခုဖြစ်လာစေသည်။

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း လေဆာ မြှင့်တင်သည့် ပစ္စည်းကိရိယာများ၏ အသုံးချမှုများ
Semiconductor Laser Lift-Off Equipment သည် အောက်ပါတို့အပါအဝင် အဆင့်မြင့်ပစ္စည်းများနှင့် စက်ပစ္စည်းအမျိုးအစားအမျိုးမျိုးတွင် ingot thinning တွင် ကျယ်ပြန့်စွာအသုံးချနိုင်သည်ကို တွေ့ရှိသည်-
-
ပါဝါစက်ပစ္စည်းများအတွက် GaN နှင့် GaAs အချောင်းပါးစေခြင်း
မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်၊ ခုခံမှုနည်းသော ပါဝါထရန်စစ္စတာများနှင့် ဒိုင်အိုဒ်များအတွက် ပါးလွှာသော ဝေဖာဖန်တီးခြင်းကို ဖြစ်စေသည်။
-
SiC အလွှာပြန်လည်ပြုပြင်ခြင်းနှင့် Lamella ခွဲထုတ်ခြင်း
ဒေါင်လိုက်ကိရိယာဖွဲ့စည်းပုံများနှင့် wafer ပြန်လည်အသုံးပြုခြင်းအတွက် အစုလိုက် SiC အောက်ခံများမှ wafer-scale မြှောက်တင်ခြင်းကို ခွင့်ပြုသည်။
-
LED ဝေဖာလှီးဖြတ်ခြင်း
အလွန်ပါးလွှာသော LED အောက်ခံများထုတ်လုပ်ရန် ထူထဲသော နီလာခဲများမှ GaN အလွှာများကို မြှောက်တင်ရန် လွယ်ကူစေသည်။
-
RF နှင့် မိုက်ခရိုဝေ့ဖ် စက်ပစ္စည်း ထုတ်လုပ်ခြင်း
5G နှင့် ရေဒါစနစ်များတွင် လိုအပ်သော အလွန်ပါးလွှာသော high-electron-mobility transistor (HEMT) တည်ဆောက်ပုံများကို ပံ့ပိုးပေးသည်။
-
Epitaxial Layer Transfer
ပြန်လည်အသုံးပြုရန် သို့မဟုတ် heterostructures များထဲသို့ ပေါင်းစည်းရန်အတွက် epitaxial အလွှာများကို crystalline ingots များမှ တိကျစွာ ခွဲထုတ်သည်။
-
ပါးလွှာသော ဖလင် ဆိုလာဆဲလ်များနှင့် ဓာတ်အားပေး ನ್ಯಾನိုလ်တာများ
ပျော့ပြောင်းသော သို့မဟုတ် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ဆိုလာဆဲလ်များအတွက် ပါးလွှာသော စုပ်ယူသည့်အလွှာများကို ခွဲထုတ်ရန် အသုံးပြုသည်။
ဤနယ်ပယ်တစ်ခုစီတွင်၊ Semiconductor Laser Lift-Off Equipment သည် အထူတူညီမှု၊ မျက်နှာပြင်အရည်အသွေးနှင့် အလွှာတည်တံ့မှုအပေါ် ပြိုင်ဘက်ကင်းသော ထိန်းချုပ်မှုကို ပေးစွမ်းသည်။
လေဆာအခြေပြု Ingot Thinning ၏ အားသာချက်များ
-
သုည-Kerf ပစ္စည်းဆုံးရှုံးမှု
ရိုးရာ wafer slicing နည်းလမ်းများ နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက လေဆာလုပ်ငန်းစဉ်သည် ပစ္စည်းအသုံးပြုမှု 100% နီးပါး ရရှိစေပါသည်။
-
အနည်းဆုံးဖိစီးမှုနှင့်ကောက်ကွေးမှု
ထိတွေ့မှုမရှိသော မြှင့်တင်မှုသည် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာတုန်ခါမှုကို ဖယ်ရှားပေးပြီး wafer bow နှင့် microcrack ဖွဲ့စည်းမှုကို လျော့နည်းစေသည်။
-
မျက်နှာပြင်အရည်အသွေး ထိန်းသိမ်းခြင်း
လေဆာ မြှင့်တင်ခြင်းသည် မျက်နှာပြင်၏ တည်တံ့မှုကို ထိန်းသိမ်းပေးသောကြောင့် များစွာသောကိစ္စများတွင် ပါးလွှာပြီးနောက် ပွတ်တိုက်ခြင်း သို့မဟုတ် ඔප දැමීම မလိုအပ်ပါ။
-
မြင့်မားသော throughput နှင့် automation အသင့်ဖြစ်နေပါပြီ
အလိုအလျောက် တင်/ချခြင်းဖြင့် အဆိုင်းတစ်ခုလျှင် ရာပေါင်းများစွာသော အောက်ခံပစ္စည်းများကို စီမံဆောင်ရွက်နိုင်သည်။
-
ပစ္စည်းများစွာနှင့် လိုက်လျောညီထွေဖြစ်အောင် ပြုလုပ်နိုင်သည်
GaN၊ SiC၊ sapphire၊ GaAs နှင့် ပေါ်ထွက်လာသော III-V ပစ္စည်းများနှင့် တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။
-
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် ပိုမိုဘေးကင်းသော
အရည်ပျော်အခြေခံ ပါးလွှာစေသော လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် အဖြစ်များသော ပွတ်တိုက်ပစ္စည်းများနှင့် ပြင်းထန်သော ဓာတုပစ္စည်းများ အသုံးပြုမှုကို လျှော့ချပေးသည်။
-
အောက်ခံအလွှာပြန်လည်အသုံးပြုခြင်း
အလှူရှင်အချောင်းများကို မြှောက်တင်ခြင်း ዑደ့များအတွက် ပြန်လည်အသုံးပြုနိုင်ပြီး ပစ္စည်းကုန်ကျစရိတ်များကို သိသိသာသာ လျှော့ချပေးပါသည်။
Semiconductor Laser Lift-Off ပစ္စည်းကိရိယာများ၏ မကြာခဏမေးလေ့ရှိသော မေးခွန်းများ (FAQ)
-
Q1: wafer slices များအတွက် Semiconductor Laser Lift-Off Equipment သည် မည်သည့်အထူအတိုင်းအတာကို ရရှိနိုင်သနည်း။
A1:ပုံမှန်အချပ်အထူသည် ပစ္စည်းနှင့် ပုံစံပေါ် မူတည်၍ 10 µm မှ 100 µm အထိ ရှိသည်။မေးခွန်း ၂: ဤပစ္စည်းကို SiC ကဲ့သို့သော မှုန်ဝါးသောပစ္စည်းများဖြင့် ပြုလုပ်ထားသော အချောင်းများကို ပါးလွှာစေရန် အသုံးပြုနိုင်ပါသလား။
A2:ဟုတ်ကဲ့။ လေဆာလှိုင်းအလျားကို ချိန်ညှိခြင်းနှင့် interface engineering (ဥပမာ၊ sacrificial interlayers) ကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ခြင်းဖြင့်၊ တစ်စိတ်တစ်ပိုင်းမှုန်ဝါးနေသော ပစ္စည်းများကိုပင် စီမံဆောင်ရွက်နိုင်ပါသည်။Q3: လေဆာ မတင်မီ donor substrate ကို မည်သို့ ချိန်ညှိထားသနည်း။
A3:စနစ်သည် fiducial marks များနှင့် surface reflectivity scans မှ feedback ဖြင့် sub-micron vision-based alignment modules များကို အသုံးပြုသည်။Q4: လေဆာ lift-off လုပ်ဆောင်ချက်တစ်ခုအတွက် မျှော်လင့်ထားသည့် cycle time က ဘယ်လောက်လဲ။
A4:ဝေဖာအရွယ်အစားနှင့် အထူပေါ် မူတည်၍ ပုံမှန်စက်ဝန်းများသည် ၂ မိနစ်မှ ၁၀ မိနစ်အထိ ကြာမြင့်သည်။မေးခွန်း ၅: လုပ်ငန်းစဉ်အတွက် သန့်ရှင်းသောအခန်းပတ်ဝန်းကျင် လိုအပ်ပါသလား။
A5:မဖြစ်မနေလုပ်ဆောင်ရမည့်အရာမဟုတ်သော်လည်း၊ မြင့်မားသောတိကျမှုရှိသောလည်ပတ်မှုများအတွင်း အောက်ခံအလွှာသန့်ရှင်းမှုနှင့် စက်ပစ္စည်းအထွက်နှုန်းကို ထိန်းသိမ်းရန်အတွက် cleanroom integration ကို အကြံပြုထားသည်။
ကြှနျုပျတို့အကွောငျး
XKH သည် အထူးအလင်းတန်းမှန်နှင့် ပုံဆောင်ခဲပစ္စည်းများ၏ အဆင့်မြင့်နည်းပညာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှု၊ ထုတ်လုပ်မှုနှင့် ရောင်းချမှုတွင် အထူးပြုပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ထုတ်ကုန်များသည် အလင်းတန်းအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ၊ စားသုံးသူအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများနှင့် စစ်တပ်အတွက် ဝန်ဆောင်မှုပေးပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် Sapphire အလင်းတန်းအစိတ်အပိုင်းများ၊ မိုဘိုင်းဖုန်းမှန်ဘီလူးအဖုံးများ၊ ကြွေထည်များ၊ LT၊ Silicon Carbide SIC၊ Quartz နှင့် semiconductor crystal wafers များကို ပေးဆောင်ပါသည်။ ကျွမ်းကျင်သောကျွမ်းကျင်မှုနှင့် ခေတ်မီသောပစ္စည်းကိရိယာများဖြင့် ကျွန်ုပ်တို့သည် စံမမီသောထုတ်ကုန်ပြုပြင်ထုတ်လုပ်မှုတွင် ထူးချွန်ပြီး ဦးဆောင် optoelectronic ပစ္စည်းများ၏ အဆင့်မြင့်နည်းပညာလုပ်ငန်းတစ်ခုဖြစ်ရန် ရည်ရွယ်ပါသည်။









