တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း
-
SiC ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုမီးဖို SiC Ingot ကြီးထွားလာ 4 လက်မ 6 လက်မ 8inch PTV Lely TSSG LPE ကြီးထွားမှုနည်းလမ်း
-
သေးငယ်သော စားပွဲပေါ်တွင် လေဆာထိုးစက် 1000W-6000W အနိမ့်ဆုံး အလင်းဝင်ပေါက် 0.1MM သတ္တုဖန်ထည်ကြွေထည်ပစ္စည်းများအတွက် အသုံးပြုနိုင်သည်။
-
နီလာကြွေထည်ပစ္စည်း ကျောက်မျက်ရတနာ သယ်ဆောင်သော nozzle တူးဖော်ခြင်းအတွက် မြင့်မားသောတိကျသောလေဆာတူးဖော်ခြင်းစက်
-
နီလာ တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲ Al2O3 ကြီးထွားမှု မီးဖို KY နည်းလမ်း Kyropoulos အရည်အသွေးမြင့် နီလာပုံဆောင်ခဲ ထုတ်လုပ်ခြင်း
-
Monocrystalline silicon ကြီးထွားမှု မီးဖိုတွင် monocrystalline silicon ingot ကြီးထွားမှုစနစ် စက်ပစ္စည်း အပူချိန် 2100 ℃ အထိ
-
Czochralski တစ်ခုတည်းသောပုံဆောင်ခဲမီးဖို CZ အရည်အသွေးမြင့်နီလာ wafer ကြီးထွားစေရန် Sapphire crystal ကြီးထွားမှုမီးဖို