Si ပေါင်းစပ်အလွှာများပေါ်တွင် တစ်ဝက်လျှပ်ကာ SiC

ဤပေါင်းစပ်မှုသည် အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်း ထုတ်လုပ်ရေးတွင် အားသာချက်များစွာကို ပေးစွမ်းသည်-

လိုက်ဖက်ညီမှု- ဆီလီကွန်အောက်ခံကိုအသုံးပြုခြင်းသည် စံဆီလီကွန်အခြေခံ လုပ်ငန်းစဉ်နည်းစနစ်များနှင့် တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်စေပြီး ရှိပြီးသား တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များနှင့် ပေါင်းစပ်နိုင်စေပါသည်။

အပူချိန်မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်- SiC သည် အပူစီးကူးမှုအလွန်ကောင်းမွန်ပြီး အပူချိန်မြင့်မားသောနေရာများတွင် လည်ပတ်နိုင်သောကြောင့် မြင့်မားသောပါဝါနှင့် မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းရှိသော အီလက်ထရွန်းနစ်အသုံးချမှုများအတွက် သင့်လျော်စေသည်။

မြင့်မားသော ပြိုကွဲဗို့အား- SiC ပစ္စည်းများသည် မြင့်မားသော ပြိုကွဲဗို့အားရှိပြီး လျှပ်စစ်ပြိုကွဲခြင်းမရှိဘဲ မြင့်မားသော လျှပ်စစ်စက်ကွင်းများကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။

ပါဝါဆုံးရှုံးမှု လျော့နည်းခြင်း- SiC အောက်ခံများသည် ရိုးရာဆီလီကွန်အခြေခံပစ္စည်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက အီလက်ထရွန်းနစ်ကိရိယာများတွင် ပိုမိုထိရောက်သော ပါဝါပြောင်းလဲမှုနှင့် ပါဝါဆုံးရှုံးမှု နည်းပါးစေပါသည်။

ကျယ်ပြန့်သော bandwidth: SiC တွင် ကျယ်ပြန့်သော bandwidth ရှိပြီး မြင့်မားသော အပူချိန်နှင့် မြင့်မားသော ပါဝါသိပ်သည်းဆများတွင် လည်ပတ်နိုင်သော အီလက်ထရွန်းနစ် ကိရိယာများ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်စေပါသည်။

ထို့ကြောင့် SiC ပေါင်းစပ်အလွှာများပေါ်ရှိ semi-insulating SiC သည် ဆီလီကွန်၏ တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်မှုကို SiC ၏ သာလွန်ကောင်းမွန်သော လျှပ်စစ်နှင့် အပူဂုဏ်သတ္တိများနှင့် ပေါင်းစပ်ပေးသောကြောင့် မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော အီလက်ထရွန်းနစ်အသုံးချမှုများအတွက် သင့်လျော်စေသည်။

ထုပ်ပိုးခြင်းနှင့် ပို့ဆောင်ခြင်း

၁။ ကျွန်ုပ်တို့သည် အကာအကွယ်ပလတ်စတစ်ကို အသုံးပြု၍ စိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်ထားသော ဘူးဖြင့်ထုပ်ပိုးပါမည်။ (ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် သဟဇာတဖြစ်သော ပစ္စည်း)

၂။ ကျွန်ုပ်တို့သည် ပမာဏအလိုက် စိတ်ကြိုက်ထုပ်ပိုးမှုကို လုပ်ဆောင်နိုင်ပါသည်။

၃။ DHL/Fedex/UPS Express သည် များသောအားဖြင့် ဦးတည်ရာသို့ ၃-၇ ရက်ခန့်ကြာပါသည်။