ထုတ်ကုန်များ
-
GaAs ပါဝါမြင့်မားသော epitaxial wafer အလွှာ Galium arsenide wafer ပါဝါလေဆာလှိုင်းအလျား 905nm လေဆာဆေးကုသမှုအတွက်
-
GaAs လေဆာ epitaxial wafer 4 လက်မ 6 လက်မ VCSEL ဒေါင်လိုက်အပေါက် မျက်နှာပြင် ထုတ်လွှတ်မှု လေဆာလှိုင်းအလျား 940nm တစ်ခုတည်းသော လမ်းဆုံ
-
InGaAs epitaxial wafer substrate PD Array photodetector arrays ကို LiDAR အတွက် သုံးနိုင်သည်
-
2 လက်မ 3 လက်မ 4 လက်မ InP epitaxial wafer အလွှာ APD အလင်းရှာဖွေစက် သို့မဟုတ် LiDAR အတွက်
-
Sapphire ဆံပင်အစားထိုးဓါးကို မြင့်မားသော မာကျောမှုဒဏ်ခံနိုင်ရည်ရှိသော ဆေးဘက်ဆိုင်ရာကိရိယာ စိတ်ကြိုက်ပြုပြင်ခြင်းအတွက် ဆေးဘက်ဆိုင်ရာ အလှအပအတွက် အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။
-
ဆံပင်အစားထိုးခြင်းအတွက် Sapphire blade 0.8mm 1.0mm 1.2mm မြင့်မားသော မာကျောမှု ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ချေးခံနိုင်ရည်
-
နီလာအလင်းဖိုက်ဘာ Al2O3 တစ်ခုတည်းသော crystal ဖောက်ထွင်းမြင်ရသော crystal cable Optical fiber ဆက်သွယ်ရေးလိုင်း 25-500um
-
နီလာပြွန် မြင့်မားသော ပွင့်လင်းမြင်သာမှု 1 လက်မ 2 လက်မ 3 လက်မ စိတ်ကြိုက်ဖန်ပြွန် အရှည် 10-800 မီလီမီတာ 99.999% AL2O3 မြင့်မားသော သန့်စင်မှု
-
Sapphire Prism Sapphire Lens မြင့်မားသော ပွင့်လင်းမြင်သာမှု Al2O3 BK7 JGS1 JGS2 Material Optical Instrument
-
Sapphire ingot dia 4inch × 80mm Monocrystalline Al2O3 99.999% Single Crystal
-
နီလာလက်စွပ် All-sapphire လက်စွပ်ကို နီလာဖြင့်ပြုလုပ်ထားပြီး ဖောက်ထွင်းဓာတ်ခွဲခန်းလုပ် နီလာပစ္စည်း၊
-
SiC substrate 3inch 350um thickness HPSI type Prime Grade Dummy grade