စက်မှုလုပ်ငန်းသတင်း
-
ယုံကြည်စိတ်ချရသော ဆီလီကွန်ဝေဖာ ပေးသွင်းသူကို ရှာဖွေရန် လျှို့ဝှက်ချက်များကို ဖော်ထုတ်ခြင်း
သင့်အိတ်ကပ်ထဲက စမတ်ဖုန်းကနေ အလိုအလျောက်ယာဉ်တွေမှာ ရှိတဲ့ အာရုံခံကိရိယာတွေအထိ၊ ဆီလီကွန်ဝေဖာတွေဟာ ခေတ်မီနည်းပညာရဲ့ အဓိကကျောရိုးဖြစ်ပါတယ်။ နေရာတိုင်းမှာ ရှိနေပေမယ့်လည်း၊ ဒီအရေးကြီးတဲ့ အစိတ်အပိုင်းတွေရဲ့ ယုံကြည်စိတ်ချရတဲ့ ပေးသွင်းသူကို ရှာဖွေဖို့ဆိုတာ အံ့သြစရာကောင်းလောက်အောင် ရှုပ်ထွေးနိုင်ပါတယ်။ ဒီဆောင်းပါးက အဓိကအချက်အပေါ် လတ်ဆတ်တဲ့ ရှုထောင့်တစ်ခုကို ပေးစွမ်းပါတယ်...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
ဖန်သည် ထုပ်ပိုးမှုပလက်ဖောင်းအသစ်ဖြစ်လာသည်
ဒေတာစင်တာများနှင့် ဆက်သွယ်ရေးလုပ်ငန်းများ ဦးဆောင်သော terminal ဈေးကွက်များအတွက် ဖန်သားသည် ပလက်ဖောင်းပစ္စည်းတစ်ခု အလျင်အမြန်ဖြစ်လာနေသည်။ ဒေတာစင်တာများအတွင်းတွင် ၎င်းသည် အဓိကထုပ်ပိုးမှုသယ်ဆောင်သူနှစ်ခုဖြစ်သည့် ချစ်ပ်ဗိသုကာလက်ရာများနှင့် optical input/output (I/O) ကို အခြေခံထားသည်။ ၎င်း၏ အပူချိန်ချဲ့ထွင်မှုကိန်းဂဏန်း (CTE) နည်းပါးပြီး ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်နက်ရှိုင်းမှု (DUV)...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
Chiplet က ချစ်ပ်တွေကို ပြောင်းလဲပစ်လိုက်တယ်
၁၉၆၅ ခုနှစ်တွင် Intel ပူးတွဲတည်ထောင်သူ Gordon Moore သည် “Moore's Law” ဖြစ်လာသည့်အရာကို ရှင်းလင်းစွာဖော်ပြခဲ့သည်။ ၎င်းသည် ရာစုနှစ်ဝက်ကျော်ကြာ integrated-circuit (IC) စွမ်းဆောင်ရည်တွင် တည်ငြိမ်သောတိုးတက်မှုများနှင့် ကုန်ကျစရိတ်များကျဆင်းလာခြင်း—ခေတ်မီဒစ်ဂျစ်တယ်နည်းပညာ၏ အခြေခံအုတ်မြစ်—ကို အခြေခံခဲ့သည်။ အတိုချုပ်ပြောရလျှင်- ချစ်ပ်ပေါ်ရှိ ထရန်စစ္စတာအရေအတွက်သည် e ထက်နှစ်ဆခန့်ပိုများသည်...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုအတွက် အဓိကကုန်ကြမ်းပစ္စည်းများ- ဝေဖာအလွှာအမျိုးအစားများ
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများတွင် အဓိကပစ္စည်းများအဖြစ် Wafer Substrates များ Wafer Substrates များသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများ၏ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ သယ်ဆောင်သူများဖြစ်ပြီး ၎င်းတို့၏ ပစ္စည်းဂုဏ်သတ္တိများသည် စက်ပစ္စည်းစွမ်းဆောင်ရည်၊ ကုန်ကျစရိတ်နှင့် အသုံးချမှုနယ်ပယ်များကို တိုက်ရိုက်ဆုံးဖြတ်ပေးသည်။ အောက်တွင် wafer Substrates အမျိုးအစားများနှင့်အတူ ၎င်းတို့၏ အားသာချက်များကို ဖော်ပြထားပါသည်။ပိုပြီးဖတ်ပါ -
ခေတ်တစ်ခုရဲ့အဆုံးလား။ Wolfspeed ဒေဝါလီခံမှုက SiC ရှုခင်းကို ပြန်လည်ပုံဖော်ပေးသည်
Wolfspeed ဒေဝါလီခံမှုသည် SiC Semiconductor လုပ်ငန်းအတွက် အဓိကအလှည့်အပြောင်းအချိန်ကို အချက်ပြသည် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) နည်းပညာတွင် ရေရှည်ဦးဆောင်နေသော Wolfspeed သည် ယခုအပတ်တွင် ဒေဝါလီခံရန် တင်သွင်းခဲ့ပြီး ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ SiC Semiconductor ရှုခင်းတွင် သိသာထင်ရှားသော အပြောင်းအလဲတစ်ခုကို အမှတ်အသားပြုသည်။ ကုမ္ပဏီ...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
MOCVD၊ မဂ္ဂနက်ထရွန် စပတာရင်းနှင့် PECVD ပါးလွှာသော ဖလင်များ စုပုံခြင်း နည်းစနစ်များ၏ ပြည့်စုံသော ခြုံငုံသုံးသပ်ချက်
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်ရေးတွင်၊ ဖိုတိုလစ်သိုဂရပ်ဖီနှင့် ထွင်းထုခြင်းတို့သည် အများဆုံးဖော်ပြလေ့ရှိသော လုပ်ငန်းစဉ်များဖြစ်သော်လည်း၊ epitaxial သို့မဟုတ် thin film deposition နည်းစနစ်များသည်လည်း အရေးကြီးပါသည်။ ဤဆောင်းပါးသည် MOCVD၊ magnetr အပါအဝင် ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်ရာတွင် အသုံးပြုသော thin film deposition နည်းလမ်းများစွာဖြင့် မိတ်ဆက်ပေးထားပါသည်။ပိုပြီးဖတ်ပါ -
Sapphire Thermocouple Protection Tubes: ကြမ်းတမ်းသော စက်မှုလုပ်ငန်းပတ်ဝန်းကျင်များတွင် တိကျသော အပူချိန်အာရုံခံမှုကို မြှင့်တင်ခြင်း
၁။ အပူချိန်တိုင်းတာခြင်း – စက်မှုထိန်းချုပ်မှု၏ အဓိကအချက် ခေတ်မီစက်မှုလုပ်ငန်းများသည် ပိုမိုရှုပ်ထွေးပြီး အစွန်းရောက်သောအခြေအနေများအောက်တွင် လည်ပတ်နေသောကြောင့်၊ တိကျပြီး ယုံကြည်စိတ်ချရသော အပူချိန်စောင့်ကြည့်ခြင်းသည် မရှိမဖြစ်လိုအပ်လာပါသည်။ အာရုံခံနည်းပညာအမျိုးမျိုးထဲတွင် သာမိုကာပယ်များကို ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် လက်ခံအသုံးပြုကြသည်...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဒ်သည် AR မျက်မှန်များကို အလင်းပေးကာ အကန့်အသတ်မရှိသော အမြင်အာရုံအတွေ့အကြုံအသစ်များကို ဖွင့်လှစ်ပေးသည်
လူသားနည်းပညာသမိုင်းကို သဘာဝစွမ်းရည်များကို မြှင့်တင်ပေးသည့် ပြင်ပကိရိယာများဖြစ်သည့် “မြှင့်တင်မှုများ” ကို အဆက်မပြတ်လိုက်စားခြင်းအဖြစ် မကြာခဏ ရှုမြင်နိုင်သည်။ ဥပမာအားဖြင့် မီးသည် ဦးနှောက်ဖွံ့ဖြိုးမှုအတွက် စွမ်းအင်ပိုမိုရရှိစေသည့် “အပို” အစာခြေစနစ်အဖြစ် ဆောင်ရွက်ခဲ့သည်။ ၁၉ ရာစုနှောင်းပိုင်းတွင် မွေးဖွားခဲ့သော ရေဒီယိုသည်...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
အနာဂတ်တွင် ၈ လက်မအရွယ် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် ဖြတ်တောက်ရန်အတွက် လေဆာဖြတ်တောက်ခြင်းသည် အဓိကနည်းပညာဖြစ်လာလိမ့်မည်။ မေး-ဖြေ စုစည်းမှု
မေး- SiC ဝေဖာ လှီးဖြတ်ခြင်းနှင့် ပြုပြင်ခြင်းတွင် အသုံးပြုသော အဓိကနည်းပညာများကား အဘယ်နည်း။ အဖြေ- ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) သည် စိန်ပြီးလျှင် ဒုတိယအမာကျောဆုံးဖြစ်ပြီး အလွန်မာကျောပြီး ကြွပ်ဆတ်သောပစ္စည်းအဖြစ် သတ်မှတ်ခံရသည်။ ကြီးထွားလာသော ပုံဆောင်ခဲများကို ပါးလွှာသော ဝေဖာများအဖြစ် ဖြတ်တောက်ခြင်းပါဝင်သည့် လှီးဖြတ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်သည်...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
SiC ဝေဖာ စီမံဆောင်ရွက်ရေးနည်းပညာ၏ လက်ရှိအခြေအနေနှင့် လမ်းကြောင်းများ
တတိယမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းတစ်ခုအနေဖြင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) single crystal သည် မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းနှင့် မြင့်မားသောပါဝါ အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ ထုတ်လုပ်ရာတွင် ကျယ်ပြန့်သောအသုံးချမှုအလားအလာများရှိသည်။ SiC ၏ လုပ်ဆောင်မှုနည်းပညာသည် အရည်အသွေးမြင့် အောက်ခံပစ္စည်း ထုတ်လုပ်ရာတွင် အဆုံးအဖြတ်ပေးသော အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်သည်...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
တတိယမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ ထွန်းတောက်လာသော ကြယ်ပွင့်- အနာဂတ်တွင် ဂယ်လီယမ် နိုက်ထရိုက်သည် တိုးတက်မှုအချက်အသစ်များစွာကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်စက်ပစ္စည်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ဂယ်လီယမ်နိုက်ထရိုက်ပါဝါစက်ပစ္စည်းများသည် ထိရောက်မှု၊ ကြိမ်နှုန်း၊ ထုထည်နှင့် အခြားပြည့်စုံသောရှုထောင့်များကို တစ်ပြိုင်နက်တည်းလိုအပ်သည့် အခြေအနေများတွင် အားသာချက်များပိုမိုရရှိမည်ဖြစ်ပြီး၊ ဥပမာ ဂယ်လီယမ်နိုက်ထရိုက်အခြေခံစက်ပစ္စည်းများကို အောင်မြင်စွာအသုံးချနိုင်ခဲ့ခြင်း...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
ပြည်တွင်း GaN စက်မှုလုပ်ငန်း ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကို အရှိန်မြှင့်တင်ခဲ့သည်။
တရုတ်စားသုံးသူအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများရောင်းချသူများက ဦးဆောင်သော ဂယ်လီယမ်နိုက်ထရိုက် (GaN) ပါဝါကိရိယာအသုံးပြုမှုသည် သိသိသာသာတိုးပွားလာနေပြီး ပါဝါ GaN ကိရိယာများအတွက် ဈေးကွက်သည် ၂၀၂၁ ခုနှစ်တွင် ဒေါ်လာ ၁၂၆ သန်းမှ ၂၀၂၇ ခုနှစ်တွင် ဒေါ်လာ ၂ ဘီလီယံအထိ ရောက်ရှိရန် မျှော်လင့်ရသည်။ လက်ရှိတွင် စားသုံးသူအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းကဏ္ဍသည် ဂယ်လီယမ်နိုက်ထရိုက်၏ အဓိကမောင်းနှင်အားဖြစ်သည်...ပိုပြီးဖတ်ပါ