26 ရက်နေ့တွင် Power Cube Semi သည် တောင်ကိုရီးယားနိုင်ငံ၏ ပထမဆုံး 2300V SiC (Silicon Carbide) MOSFET semiconductor ကို အောင်မြင်စွာ တီထွင်နိုင်ခဲ့ကြောင်း ကြေညာခဲ့သည်။
လက်ရှိ Si (Silicon) အခြေပြု တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက SiC (Silicon Carbide) သည် ပိုမိုမြင့်မားသော ဗို့အားများကို ခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့် ပါဝါတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ အနာဂတ်ကို ဦးဆောင်မည့် မျိုးဆက်သစ်စက်ပစ္စည်းအဖြစ် ချီးကျူးခံရပါသည်။၎င်းသည် လျှပ်စစ်ကားများ ပြန့်ပွားမှုနှင့် ဉာဏ်ရည်တုဖြင့် မောင်းနှင်သည့် ဒေတာစင်တာများ တိုးချဲ့ခြင်းကဲ့သို့သော ခေတ်မီနည်းပညာများကို မိတ်ဆက်ရန်အတွက် လိုအပ်သော အရေးကြီးသော အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုအဖြစ် ဆောင်ရွက်ပါသည်။
Power Cube Semi သည် SiC (Silicon Carbide)၊ Si (Silicon) နှင့် Ga2O3 (Gallium Oxide) ဟူ၍ အမျိုးအစားသုံးမျိုးဖြင့် ပါဝါတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများကို တီထွင်ထုတ်လုပ်သည့် စိတ်ကူးယဉ်ဆန်သော ကုမ္ပဏီတစ်ခုဖြစ်သည်။မကြာသေးမီက ကုမ္ပဏီသည် စွမ်းရည်မြင့် Schottky Barrier Diodes (SBDs) ကို တရုတ်နိုင်ငံရှိ ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ လျှပ်စစ်ကားကုမ္ပဏီထံ လျှောက်ထားရောင်းချခဲ့ပြီး ၎င်း၏ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ဒီဇိုင်းနှင့် နည်းပညာအတွက် အသိအမှတ်ပြုမှု ရရှိခဲ့သည်။
2300V SiC MOSFET သည် တောင်ကိုရီးယားတွင် ပထမဆုံးသော ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကိစ္စရပ်အဖြစ် မှတ်သားဖွယ်ကောင်းသည်။ဂျာမနီအခြေစိုက် ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ ပါဝါတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကုမ္ပဏီ Infineon သည် ၎င်း၏ 2000V ထုတ်ကုန်ကို မတ်လတွင် စတင်မိတ်ဆက်ခဲ့ကြောင်း ကြေညာခဲ့သော်လည်း 2300V ထုတ်ကုန်အမျိုးအစားမရှိဘဲ၊
TO-247PLUS-4-HCC ပက်ကေ့ဂျ်ကို အသုံးပြု၍ Infineon ၏ 2000V CoolSiC MOSFET သည် ဒီဇိုင်နာများကြားတွင် ပါဝါသိပ်သည်းဆတိုးလာမှုအတွက် လိုအပ်ချက်နှင့် ကိုက်ညီပြီး တင်းကြပ်သော ဗို့အားမြင့်မှုနှင့် ကြိမ်နှုန်းပြောင်းသည့် ကြိမ်နှုန်းအခြေအနေများအောက်တွင်ပင် စနစ်၏ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို အာမခံပါသည်။
CoolSiC MOSFET သည် ပိုမိုမြင့်မားသော တိုက်ရိုက်လက်ရှိလင့်ခ်ဗို့အားကို ပေးဆောင်ကာ ပါဝါတိုးခြင်းကို တိုးမြှင့်ခြင်းမပြုဘဲ ပါဝါတိုးစေသည်။၎င်းသည် TO-247PLUS-4-HCC ပက်ကေ့ချ်ကို အသုံးပြု၍ 14mm အကွာအဝေးနှင့် 5.4mm အကွာအဝေးကို အသုံးပြု၍ ပြိုကွဲဗို့အား 2000V ဖြင့် ဈေးကွက်တွင် ပထမဆုံး သီးခြားစီလီကွန်ကာဗိုက်ကိရိယာဖြစ်သည်။ဤစက်ပစ္စည်းများသည် ကူးပြောင်းခြင်းဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးပြီး ဆိုလာကြိုးအင်ဗာတာများ၊ စွမ်းအင်သိုလှောင်မှုစနစ်များနှင့် လျှပ်စစ်ကားအားသွင်းခြင်းကဲ့သို့သော အပလီကေးရှင်းများအတွက် သင့်လျော်ပါသည်။
CoolSiC MOSFET 2000V ထုတ်ကုန်စီးရီးသည် 1500V DC အထိ ဗို့အားမြင့် DC ဘတ်စ်ကားစနစ်များအတွက် သင့်လျော်သည်။1700V SiC MOSFET နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက၊ ဤစက်ပစ္စည်းသည် 1500V DC စနစ်များအတွက် လုံလောက်သော overvoltage margin ကို ပေးပါသည်။CoolSiC MOSFET သည် 4.5V threshold ဗို့အားကို ပေးဆောင်ပြီး ခက်ခဲသော ကူးပြောင်းမှုအတွက် ကြံ့ခိုင်သော ခန္ဓာကိုယ်ဒိုင်အိုဒိတ်များ တပ်ဆင်ထားပါသည်။.XT ချိတ်ဆက်မှုနည်းပညာဖြင့်၊ ဤအစိတ်အပိုင်းများသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် စိုထိုင်းဆကို ခံနိုင်ရည်အားကောင်းစေသည်။
2000V CoolSiC MOSFET အပြင်၊ Infineon သည် TO-247PLUS 4-pin နှင့် TO-247-2 ပက်ကေ့ဂျ်များတွင် ထုပ်ပိုးထားသော CoolSiC diodes များကို မကြာမီ စတင်တော့မည်ဖြစ်သည်။ဤ diodes များသည် နေရောင်ခြည်သုံးအတွက် အထူးသင့်လျော်ပါသည်။ကိုက်ညီသော ဂိတ်မောင်း ထုတ်ကုန် ပေါင်းစပ်မှုများကိုလည်း ရရှိနိုင်သည်။
CoolSiC MOSFET 2000V ထုတ်ကုန်စီးရီးကို ယခုအခါ ဈေးကွက်တွင် ရရှိနေပြီဖြစ်သည်။ထို့အပြင်၊ Infineon သည် သင့်လျော်သော အကဲဖြတ်ဘုတ်များကို ပေးသည်- EVAL-COOLSIC-2KVHCC။Developer များသည် CoolSiC MOSFETs နှင့် diodes အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော 2000V နှင့် EiceDRIVER compact single-channel isolation gate driver 1ED31xx ထုတ်ကုန်စီးရီးများကို dual-pulse သို့မဟုတ် စဉ်ဆက်မပြတ် PWM လည်ပတ်မှုမှတစ်ဆင့် အကဲဖြတ်ရန် ဤဘုတ်အား တိကျသောအထွေထွေစမ်းသပ်ပလက်ဖောင်းတစ်ခုအဖြစ် အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။
Power Cube Semi ၏ Chief Technology Officer ဖြစ်သူ Gung Shin-soo က "ကျွန်ုပ်တို့သည် 1700V SiC MOSFETs များကို 2300V သို့ 2300V ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးနှင့် ထုတ်လုပ်မှုတွင် ကျွန်ုပ်တို့၏ လက်ရှိအတွေ့အကြုံကို တိုးချဲ့နိုင်ခဲ့ပါသည်။
ပို့စ်အချိန်- ဧပြီလ 08-2024