၂၆ ရက်နေ့တွင် Power Cube Semi သည် တောင်ကိုရီးယား၏ ပထမဆုံး 2300V SiC (Silicon Carbide) MOSFET semiconductor ကို အောင်မြင်စွာ တီထွင်နိုင်ခဲ့ကြောင်း ကြေညာခဲ့သည်။
လက်ရှိ Si (Silicon) အခြေခံ semiconductors များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက SiC (Silicon Carbide) သည် ပိုမိုမြင့်မားသော ဗို့အားများကို ခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့် ပါဝါ semiconductors များ၏ အနာဂတ်ကို ဦးဆောင်နေသော နောက်မျိုးဆက် ကိရိယာအဖြစ် ချီးကျူးဂုဏ်ပြုခံရသည်။ ၎င်းသည် လျှပ်စစ်ယာဉ်များ ပေါများလာခြင်းနှင့် ဉာဏ်ရည်တုဖြင့် မောင်းနှင်သော ဒေတာစင်တာများ တိုးချဲ့ခြင်းကဲ့သို့သော ခေတ်မီနည်းပညာများကို မိတ်ဆက်ရာတွင် လိုအပ်သော အရေးကြီးသော အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုအဖြစ် ဆောင်ရွက်ပါသည်။
Power Cube Semi သည် SiC (Silicon Carbide)၊ Si (Silicon) နှင့် Ga2O3 (Gallium Oxide) ဟူ၍ အဓိကအမျိုးအစားသုံးမျိုးဖြင့် ပါဝါ semiconductor စက်ပစ္စည်းများကို ထုတ်လုပ်သည့် fabless ကုမ္ပဏီတစ်ခုဖြစ်သည်။ မကြာသေးမီက ကုမ္ပဏီသည် တရုတ်နိုင်ငံရှိ ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ လျှပ်စစ်ကားကုမ္ပဏီတစ်ခုသို့ မြင့်မားသောစွမ်းရည်ရှိသော Schottky Barrier Diodes (SBDs) များကို ရောင်းချခဲ့ပြီး ၎င်း၏ semiconductor ဒီဇိုင်းနှင့် နည်းပညာအတွက် အသိအမှတ်ပြုမှုရရှိခဲ့သည်။
2300V SiC MOSFET ထွက်ရှိလာခြင်းသည် တောင်ကိုရီးယားတွင် ပထမဆုံးသော ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုဖြစ်ရပ်အဖြစ် မှတ်သားဖွယ်ကောင်းပါသည်။ ဂျာမနီအခြေစိုက် ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ ပါဝါတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကုမ္ပဏီ Infineon သည်လည်း မတ်လတွင် ၎င်း၏ 2000V ထုတ်ကုန်ကို စတင်မိတ်ဆက်မည်ဟု ကြေညာခဲ့သော်လည်း 2300V ထုတ်ကုန်လိုင်းမပါဝင်ပါ။
TO-247PLUS-4-HCC package ကိုအသုံးပြုထားသော Infineon ၏ 2000V CoolSiC MOSFET သည် ဒီဇိုင်နာများကြားတွင် မြင့်မားသော ပါဝါသိပ်သည်းဆအတွက် လိုအပ်ချက်ကို ဖြည့်ဆည်းပေးပြီး တင်းကျပ်သော မြင့်မားသောဗို့အားနှင့် switching frequency အခြေအနေများအောက်တွင်ပင် စနစ်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို သေချာစေသည်။
CoolSiC MOSFET သည် ပိုမိုမြင့်မားသော direct current link voltage ကို ပေးစွမ်းပြီး current မတိုးစေဘဲ ပါဝါတိုးမြှင့်နိုင်စေပါသည်။ ၎င်းသည် creepage distance 14mm နှင့် clearance 5.4mm ရှိသော TO-247PLUS-4-HCC package ကိုအသုံးပြုထားသော 2000V breakdown voltage ရှိသော ဈေးကွက်တွင် ပထမဆုံးသော discrete silicon carbide device ဖြစ်သည်။ ဤ devices များသည် switching losses နည်းပါးပြီး solar string inverters၊ energy storage systems နှင့် electric vehicle charging ကဲ့သို့သော applications များအတွက် သင့်လျော်ပါသည်။
CoolSiC MOSFET 2000V ထုတ်ကုန်စီးရီးသည် 1500V DC အထိရှိသော မြင့်မားသောဗို့အား DC ဘတ်စ်ကားစနစ်များအတွက် သင့်လျော်ပါသည်။ 1700V SiC MOSFET နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ဤကိရိယာသည် 1500V DC စနစ်များအတွက် လုံလောက်သော overvoltage margin ကို ပေးစွမ်းသည်။ CoolSiC MOSFET သည် 4.5V threshold voltage ကို ပေးစွမ်းပြီး hard commutation အတွက် ခိုင်မာသော body diode များ တပ်ဆင်ထားပါသည်။ .XT ချိတ်ဆက်မှုနည်းပညာဖြင့် ဤအစိတ်အပိုင်းများသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် စိုထိုင်းဆကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။
2000V CoolSiC MOSFET အပြင်၊ Infineon သည် မကြာမီ ၂၀၂၄ ခုနှစ် တတိယသုံးလပတ်နှင့် ၂၀၂၄ ခုနှစ် နောက်ဆုံးသုံးလပတ်တွင် TO-247PLUS 4-pin နှင့် TO-247-2 package များဖြင့်ထုပ်ပိုးထားသော ဖြည့်စွက် CoolSiC diode များကို မိတ်ဆက်တော့မည်ဖြစ်သည်။ ဤ diode များသည် နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံး အသုံးချမှုများအတွက် အထူးသင့်လျော်ပါသည်။ ကိုက်ညီသော gate driver ထုတ်ကုန်ပေါင်းစပ်မှုများကိုလည်း ရရှိနိုင်ပါသည်။
CoolSiC MOSFET 2000V ထုတ်ကုန်စီးရီးကို ယခုဈေးကွက်တွင် ရရှိနိုင်ပါပြီ။ ထို့အပြင် Infineon သည် သင့်လျော်သော အကဲဖြတ်ဘုတ်များကို ပေးဆောင်သည်- EVAL-COOLSIC-2KVHCC။ ဆော့ဖ်ဝဲရေးသားသူများသည် ဤဘုတ်ကို တိကျသော အထွေထွေစမ်းသပ်မှုပလက်ဖောင်းအဖြစ် အသုံးပြု၍ CoolSiC MOSFETs နှင့် 2000V တွင် အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော diodes အားလုံးကို အကဲဖြတ်နိုင်သည့်အပြင် EiceDRIVER compact single-channel isolation gate driver 1ED31xx ထုတ်ကုန်စီးရီးကိုလည်း dual-pulse သို့မဟုတ် continuous PWM လုပ်ဆောင်ချက်မှတစ်ဆင့် အကဲဖြတ်နိုင်ပါသည်။
Power Cube Semi ၏ နည်းပညာအရာရှိချုပ် Gung Shin-soo က "ကျွန်ုပ်တို့သည် 1700V SiC MOSFETs များ တီထွင်ထုတ်လုပ်ခြင်းနှင့် အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် ကျွန်ုပ်တို့၏ လက်ရှိအတွေ့အကြုံကို 2300V အထိ တိုးချဲ့နိုင်ခဲ့ပါသည်။" ဟု ပြောကြားခဲ့သည်။
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၄ ခုနှစ်၊ ဧပြီလ ၈ ရက်