သတင်း
-
လျှပ်ကူးမှုနှင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကာ ဆီလီကွန်ကာဘိုင်အလွှာ အသုံးချမှု
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာကို semi- insulating type နှင့် conductive type ဟူ၍ ခွဲခြားထားသည်။ လက်ရှိတွင်၊ semi- insulated silicon carbide substrate ထုတ်ကုန်များ၏ အဓိက သတ်မှတ်ချက်မှာ 4 လက်မဖြစ်သည်။ လျှပ်ကူးဆီလီကွန်ကာဗိုက်တွင်...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
ကွဲပြားသော crystal orientations များဖြင့် နီလာဝေဖာများကို အသုံးချရာတွင်လည်း ကွဲပြားမှုရှိပါသလား။
နီလာသည် အလူမီနာ၏ တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲတစ်ခုဖြစ်ပြီး၊ သုံးပွင့်ဆိုင်ပုံဆောင်ခဲစနစ်၊ ဆဋ္ဌဂံပုံသဏ္ဍာန်၊ ၎င်း၏ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံသည် အောက်ဆီဂျင်အက်တမ်သုံးလုံးနှင့် covalent နှောင်ကြိုးအမျိုးအစားတွင် အလူမီနီယမ်အက်တမ်နှစ်ခုဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားပြီး၊ ခိုင်ခံ့သောနှောင်ကြိုးကွင်းဆက်နှင့် ကွက်တိပ်စွမ်းအင်တို့ဖြင့် နီးကပ်စွာဖွဲ့စည်းထားပြီး၊ပိုပြီးဖတ်ပါ -
SiC conductive substrate နှင့် semi-insulated substrate အကြား ကွာခြားချက်ကား အဘယ်နည်း။
SiC ဆီလီကွန်ကာဗိုက် ကိရိယာသည် ကုန်ကြမ်းအဖြစ် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားသည့် စက်ပစ္စည်းကို ရည်ညွှန်းသည်။ မတူညီသော ခံနိုင်ရည်ဂုဏ်သတ္တိများ အရ ၎င်းအား conductive silicon carbide power devices နှင့် semi- insulated silicon carbide RF devices များအဖြစ် ပိုင်းခြားထားသည်။ အဓိကစက်ပစ္စည်းပုံစံများနှင့်...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
ဆောင်းပါးတစ်ပုဒ်သည် သင့်အား TGV ၏ သခင်တစ်ဦးကို ဦးဆောင်စေသည်။
TGV ဆိုတာဘာလဲ။ TGV၊ (Through-Glass via) ဖန်သားမျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ အပေါက်များဖန်တီးသည့်နည်းပညာ၊ ရိုးရိုးရှင်းရှင်းပြောရလျှင် TGV သည် ဖန်သားပြင်ပေါ်တွင် ပေါင်းစည်းထားသော ဆားကစ်များတည်ဆောက်ရန်အတွက် အထပ်မြင့်အဆောက်အအုံတစ်ခုဖြစ်သည်။ပိုပြီးဖတ်ပါ -
wafer မျက်နှာပြင် အရည်အသွေး အကဲဖြတ်ခြင်း၏ အညွှန်းများသည် အဘယ်နည်း။
ဆီမီးကွန်ဒတ်တာနည်းပညာများ စဉ်ဆက်မပြတ် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာသည်နှင့်အမျှ၊ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာလုပ်ငန်းနှင့် photovoltaic လုပ်ငန်းများတွင်ပင် wafer substrate သို့မဟုတ် epitaxial sheet ၏ မျက်နှာပြင်အရည်အသွေး လိုအပ်ချက်များသည်လည်း အလွန်တင်းကျပ်ပါသည်။ ဒါဆို အရည်အသွေးလိုအပ်ချက်တွေက ဘာတွေလဲ...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
SiC တစ်ခုတည်းသော crystal ကြီးထွားမှုဖြစ်စဉ်ကို သင်ဘယ်လောက်သိလဲ။
Silicon carbide (SiC) သည် ကျယ်ပြန့်သော band gap တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းတစ်မျိုးအဖြစ်၊ ခေတ်မီသိပ္ပံနှင့်နည်းပညာကိုအသုံးချရာတွင် ပို၍အရေးကြီးသောအခန်းကဏ္ဍမှပါဝင်ပါသည်။ Silicon carbide သည် အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူတည်ငြိမ်မှု၊ မြင့်မားသော လျှပ်စစ်စက်ကွင်းကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ရည်ရွယ်ချက်ရှိရှိ လျှပ်ကူးနိုင်မှု နှင့်...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
ပြည်တွင်း SiC အလွှာများ၏ အောင်မြင်မှုတိုက်ပွဲ
မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း၊ စွမ်းအင်သုံးယာဉ်အသစ်များ၊ photovoltaic ဓာတ်အားထုတ်လုပ်ခြင်းနှင့် စွမ်းအင်သိုလှောင်ခြင်းကဲ့သို့သော ရေအောက်ပိုင်းအသုံးချပရိုဂရမ်များကို စဉ်ဆက်မပြတ်ထိုးဖောက်ဝင်ရောက်ခြင်းဖြင့် SiC သည် အဆိုပါနယ်ပယ်များတွင် အရေးပါသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်လျက်ရှိသည်။ အရ...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
SiC MOSFET, 2300 ဗို့။
26 ရက်နေ့တွင် Power Cube Semi သည် တောင်ကိုရီးယားနိုင်ငံ၏ ပထမဆုံး 2300V SiC (Silicon Carbide) MOSFET semiconductor ကို အောင်မြင်စွာ တီထွင်နိုင်ခဲ့ကြောင်း ကြေညာခဲ့သည်။ လက်ရှိ Si (Silicon) အခြေပြု တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက SiC (Silicon Carbide) သည် ပိုမိုမြင့်မားသော ဗို့အားများကို ခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့် t...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ပြန်လည်ရယူခြင်းသည် ထင်ယောင်ထင်မှားတစ်ခုသာလား။
2021 ခုနှစ်မှ 2022 ခုနှစ်အတွင်း COVID-19 ဖြစ်ပွားမှုကြောင့် အထူးတောင်းဆိုမှုများ ပေါ်ပေါက်လာခြင်းကြောင့် ကမ္ဘာ့တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဈေးကွက်တွင် အရှိန်အဟုန်ဖြင့် တိုးတက်လာခဲ့ပါသည်။ သို့သော် COVID-19 ကပ်ရောဂါကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော အထူးတောင်းဆိုချက်များသည် 2022 ခုနှစ်နှောင်းပိုင်းတွင် ပြီးဆုံးသွားခဲ့ပြီး ...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
2024 ခုနှစ်တွင် semiconductor အရင်းအနှီးအသုံးစရိတ် ကျဆင်းသွားသည်။
ဗုဒ္ဓဟူးနေ့တွင် သမ္မတ Biden က Intel ကို တိုက်ရိုက်ရန်ပုံငွေ ဒေါ်လာ 8.5 ဘီလီယံနှင့် CHIPS နှင့် Science Act အရ ချေးငွေ $11 ဘီလီယံကို ပံ့ပိုးပေးမည့် သဘောတူညီချက်ကို ကြေညာခဲ့သည်။ Intel သည် Arizona၊ Ohio၊ New Mexico နှင့် Oregon ရှိ ၎င်း၏ wafer Fabs အတွက် ဤရန်ပုံငွေကို အသုံးပြုမည်ဖြစ်သည်။ ကျွန်တော်တို့ရဲ့ ဖော်ပြချက်အရ...ပိုပြီးဖတ်ပါ -
SiC wafer ဆိုတာဘာလဲ။
SiC wafers များသည် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဖြင့်ပြုလုပ်ထားသော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဖြစ်သည်။ ဤပစ္စည်းကို 1893 ခုနှစ်တွင် တီထွင်ခဲ့ပြီး အသုံးပြုမှုအမျိုးမျိုးအတွက် စံပြဖြစ်သည်။ Schottky diodes၊ လမ်းဆုံအတားအဆီး Schottky diodes၊ ခလုတ်များနှင့် metal-oxide-semiconductor field-effect transis အတွက် အထူးသင့်လျော်သည်။ပိုပြီးဖတ်ပါ -
တတိယမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာ - ဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏ နက်ရှိုင်းသော အဓိပ္ပာယ်ဖွင့်ဆိုချက်
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကို နိဒါန်းပျိုးခြင်း Silicon carbide (SiC) သည် ကာဗွန်နှင့် ဆီလီကွန်တို့ ပေါင်းစပ်ထားသော ဒြပ်ပေါင်းတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဖြစ်ပြီး အပူချိန်မြင့်မားခြင်း၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားခြင်း၊ ပါဝါမြင့်ခြင်းနှင့် ဗို့အားမြင့်စက်ပစ္စည်းများပြုလုပ်ရန် စံပြပစ္စည်းများထဲမှတစ်ခုဖြစ်သည်။ မိရိုးဖလာနဲ့ ယှဉ်ပြီး...ပိုပြီးဖတ်ပါ