လက်ရှိတွင်၊ ကျွန်ုပ်တို့၏ကုမ္ပဏီသည် 8inchN အမျိုးအစား SiC wafers အသေးအသုတ်များကို ဆက်လက်ထောက်ပံ့ပေးနိုင်သည်၊ သင့်တွင်နမူနာလိုအပ်ချက်များရှိပါက၊ ကျွန်ုပ်အား ဆက်သွယ်နိုင်ပါသည်။ကျွန်ုပ်တို့တွင် သင်္ဘောနမူနာအချို့ အဆင်သင့်ရှိပါသည်။
ဆီမီးကွန်ဒတ်တာပစ္စည်းများ၏နယ်ပယ်တွင်၊ ကုမ္ပဏီသည် အရွယ်အစားကြီးမားသော SiC crystals များ၏ သုတေသနနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုတွင် အဓိက အောင်မြင်မှုတစ်ခုကို ပြုလုပ်ခဲ့သည်။အချင်းကို အကြိမ်ပေါင်းများစွာ ချဲ့ပြီးနောက် ၎င်း၏ကိုယ်ပိုင်မျိုးစေ့ပုံဆောင်ခဲများကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့် ကုမ္ပဏီသည် ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် မညီညာသောအပူချိန်၊ ပုံဆောင်ခဲကွဲအက်ခြင်းနှင့် ဓာတ်ငွေ့အဆင့် ကုန်ကြမ်းဖြန့်ဖြူးမှုစသည့် ခက်ခဲသောပြဿနာများကို ဖြေရှင်းပေးသည့် 8 လက်မ N-type SiC crystals ကို အောင်မြင်စွာ စိုက်ပျိုးနိုင်ခဲ့သည်။ 8 လက်မအရွယ် SIC ပုံဆောင်ခဲများနှင့် အရွယ်အစားကြီးမားသော SIC ပုံဆောင်ခဲများ၏ ကြီးထွားမှုကို အရှိန်မြှင့်ပေးပြီး အလိုအလျောက် ထိန်းချုပ်နိုင်သော စီမံဆောင်ရွက်ပေးသည့် နည်းပညာဖြစ်သည်။SiC single crystal substrate လုပ်ငန်းတွင် ကုမ္ပဏီ၏ အဓိက ယှဉ်ပြိုင်နိုင်စွမ်းကို လွန်စွာ မြှင့်တင်ပါ။တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ ကုမ္ပဏီသည် အရွယ်အစားကြီးမားသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာပြင်ဆင်မှု စမ်းသပ်လိုင်း၏ နည်းပညာနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်များ စုစည်းမှုအား တက်ကြွစွာ မြှင့်တင်ကာ၊ ရေဆန်နှင့် အောက်ပိုင်းနယ်ပယ်များတွင် နည်းပညာဆိုင်ရာ ဖလှယ်မှုနှင့် စက်မှုပူးပေါင်းဆောင်ရွက်မှုကို အားကောင်းစေကာ ထုတ်ကုန်စွမ်းဆောင်ရည်ကို အဆက်မပြတ် ထပ်လောင်းဖော်ပြရန်အတွက် သုံးစွဲသူများနှင့် ပူးပေါင်းဆောင်ရွက်ခြင်း၊ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပစ္စည်းများကို စက်မှုလုပ်ငန်းသုံး အရှိန်အဟုန်မြှင့်တင်ပေးသည်။
| 8 လက်မ N-type SiC DSP Specs | |||||
| နံပါတ် | ကုသိုလ်ကံ | ယူနစ် | ထုတ်လုပ်မှု | သုတေသန | Dummy |
| 1. ကန့်သတ်ချက်များ | |||||
| ၁.၁ | polytype | -- | 4H | 4H | 4H |
| ၁.၂ | မျက်နှာပြင်တိမ်းညွှတ် | ° | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 | <11-20>4±0.5 |
| 2. လျှပ်စစ်ပါရာမီတာ | |||||
| ၂.၁ | လိမ်းဆေး | -- | n-နိုက်ထရိုဂျင်အမျိုးအစား | n-နိုက်ထရိုဂျင်အမျိုးအစား | n-နိုက်ထရိုဂျင်အမျိုးအစား |
| ၂.၂ | ခုခံနိုင်စွမ်း | ohm · စင်တီမီတာ | 0.015~0.025 | 0.01~0.03 | NA |
| 3. စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ကန့်သတ်ချက် | |||||
| ၃.၁ | အချင်း | mm | 200±0.2 | 200±0.2 | 200±0.2 |
| ၃.၂ | အထူ | µm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| ၃.၃ | Notch တိမ်းညွှတ်မှု | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| ၃.၄ | Notch Depth | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| ၃.၅ | LTV | µm | ≤5(10mm*10mm) | ≤5(10mm*10mm) | ≤10(10mm*10mm) |
| ၃.၆ | TTV | µm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| ၃.၇ | ဦးညွှတ် | µm | -၂၅~၂၅ | -၄၅~၄၅ | -၆၅~၆၅ |
| ၃.၈ | ရုန်းသည်။ | µm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| ၃.၉ | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
| 4. ဖွဲ့စည်းပုံ | |||||
| ၄.၁ | micropipe သိပ်သည်းဆ | ea/cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| ၄.၂ | သတ္တုပါဝင်မှု | အက်တမ်/စင်တီမီတာ ၂ | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| ၄.၃ | TSD | ea/cm2 | ≤500 | ≤1000 | NA |
| ၄.၄ | BPD | ea/cm2 | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| ၄.၅ | TED | ea/cm2 | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. အပြုသဘောဆောင်သောအရည်အသွေး | |||||
| ၅.၁ | ရှေ့ | -- | Si | Si | Si |
| ၅.၂ | မျက်နှာပြင်ပြီးစီး | -- | Si-face CMP | Si-face CMP | Si-face CMP |
| ၅.၃ | အမှုန် | ea/wafer | ≤100(size≥0.3μm) | NA | NA |
| ၅.၄ | ခြစ် | ea/wafer | ≤5၊စုစုပေါင်းအရှည်≤200mm | NA | NA |
| ၅.၅ | အစွန်း chips/indents/cracks/stains/contamination | -- | တစ်ခုမှ | တစ်ခုမှ | NA |
| ၅.၆ | Polytype နေရာများ | -- | တစ်ခုမှ | ဧရိယာ ≤10% | ဧရိယာ ≤30% |
| ၅.၇ | ရှေ့အမှတ်အသား | -- | တစ်ခုမှ | တစ်ခုမှ | တစ်ခုမှ |
| 6. နောက်ကျောအရည်အသွေး | |||||
| ၆.၁ | ပြီးအောင် | -- | C-မျက်နှာအမတ် | C-မျက်နှာအမတ် | C-မျက်နှာအမတ် |
| ၆.၂ | ခြစ် | mm | NA | NA | NA |
| ၆.၃ | နောက်ကျော အနာအဆာ အစွန်း ချစ်ပ်များ/အင်တင်းများ | -- | တစ်ခုမှ | တစ်ခုမှ | NA |
| ၆.၄ | နောက်ကျောကြမ်းတမ်းခြင်း။ | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| ၆.၅ | နောက်ကြောင်းအမှတ်အသား | -- | ထစ် | ထစ် | ထစ် |
| 7. အစွန်း | |||||
| ၇.၁ | အစွန်း | -- | ချမ်ဖာ | ချမ်ဖာ | ချမ်ဖာ |
| 8. အထုပ် | |||||
| ၈.၁ | ထုပ်ပိုးမှု | -- | Epi-ဖုန်စုပ်စက် အဆင်သင့် ထုပ်ပိုးမှု | Epi-ဖုန်စုပ်စက် အဆင်သင့် ထုပ်ပိုးမှု | Epi-ဖုန်စုပ်စက် အဆင်သင့် ထုပ်ပိုးမှု |
| ၈.၂ | ထုပ်ပိုးမှု | -- | ဆပ်ပြာမျိုးစုံ ကက်ဆက်ထုပ်ပိုးမှု | ဆပ်ပြာမျိုးစုံ ကက်ဆက်ထုပ်ပိုးမှု | ဆပ်ပြာမျိုးစုံ ကက်ဆက်ထုပ်ပိုးမှု |
ပို့စ်အချိန်- ဧပြီလ 18-2023