အဆင့်မြင့်ပစ္စည်းများအတွက် Microjet ရေလမ်းညွှန်လေဆာဖြတ်တောက်ခြင်းစနစ်

အကျဉ်းချုပ်ဖော်ပြချက်:

ခြုံငုံသုံးသပ်ချက်-

စက်မှုလုပ်ငန်းများသည် ပိုမိုအဆင့်မြင့်သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများနှင့် ဘက်စုံသုံးပစ္စည်းများဆီသို့ ရွေ့လျားလာသည်နှင့်အမျှ တိကျသော်လည်း ညင်သာသော စက်ယန္တရားဖြေရှင်းချက်များသည် အရေးကြီးလာသည်။ ဤ microjet ရေလမ်းညွှန်လေဆာ လုပ်ငန်းစဉ်စနစ်ကို ထိုကဲ့သို့သော အလုပ်များအတွက် အထူးဒီဇိုင်းထုတ်ထားပြီး solid-state Nd:YAG လေဆာနည်းပညာကို မြင့်မားသောဖိအား microjet ရေပြွန်နှင့် ပေါင်းစပ်ထားပြီး အလွန်တိကျပြီး အပူဖိစီးမှု အနည်းဆုံးဖြင့် စွမ်းအင်ကို ပို့ဆောင်ပေးပါသည်။

50W၊ 100W သို့မဟုတ် 200W ပါဝါဖွဲ့စည်းပုံများဖြင့် 532nm နှင့် 1064nm လှိုင်းအလျားနှစ်မျိုးလုံးကို ပံ့ပိုးပေးသည့် ဤစနစ်သည် SiC၊ GaN၊ စိန်နှင့် ကြွေထည်ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများကဲ့သို့သော ပစ္စည်းများဖြင့် အလုပ်လုပ်သော ထုတ်လုပ်သူများအတွက် 획기적인 ဖြေရှင်းချက်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် အီလက်ထရွန်းနစ်၊ အာကာသ၊ optoelectronics နှင့် သန့်ရှင်းသောစွမ်းအင်ကဏ္ဍများတွင် ထုတ်လုပ်ရေးလုပ်ငန်းများအတွက် အထူးသင့်လျော်ပါသည်။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ

အင်္ဂါရပ်များ

ထိပ်တန်းအားသာချက်များ

၁။ ရေလမ်းညွှန်မှုမှတစ်ဆင့် ယှဉ်နိုင်စရာမရှိသော စွမ်းအင်အာရုံစိုက်မှု
အလွန်ဖိအားပေးထားသော ရေဂျက်ကို လေဆာလှိုင်းလမ်းညွှန်အဖြစ် အသုံးပြုခြင်းဖြင့် စနစ်သည် လေဝင်လေထွက်ကို ဖယ်ရှားပေးပြီး လေဆာအာရုံစူးစိုက်မှု အပြည့်အဝရရှိစေသည်။ ရလဒ်အနေဖြင့် 20μm ကဲ့သို့သေးငယ်သော ဖြတ်တောက်မှုအကျယ်ဖြင့် အလွန်ကျဉ်းမြောင်းသော ဖြတ်တောက်မှုအကျယ်ကို ရရှိစေပြီး ထက်မြက်ပြီး သန့်ရှင်းသော အနားသတ်များကို ပေးစွမ်းသည်။

၂။ အနည်းဆုံး အပူခြေရာ
စနစ်၏ အချိန်နှင့်တပြေးညီ အပူချိန်ထိန်းညှိမှုသည် အပူဒဏ်ခံရသောဇုန်သည် 5μm ထက် ဘယ်တော့မှ မကျော်လွန်ကြောင်း သေချာစေပြီး ပစ္စည်းစွမ်းဆောင်ရည်ကို ထိန်းသိမ်းရန်နှင့် အက်ကွဲကြောင်းငယ်များကို ရှောင်ရှားရန်အတွက် အလွန်အရေးကြီးပါသည်။

၃။ ပစ္စည်းနှင့် လိုက်ဖက်ညီမှု ကျယ်ပြန့်ခြင်း
နှစ်ထပ်လှိုင်းအလျားထွက်ရှိမှု (532nm/1064nm) သည် စုပ်ယူမှုချိန်ညှိမှုကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေပြီး စက်ကို အလင်းဖြင့်ဖောက်ထွင်းမြင်ရသော ပုံဆောင်ခဲများမှသည် မှုန်ဝါးသောကြွေထည်များအထိ အမျိုးမျိုးသော အောက်ခံများနှင့် လိုက်လျောညီထွေဖြစ်အောင် ပြုလုပ်ပေးပါသည်။

၄။ မြန်နှုန်းမြင့်၊ တိကျမှုမြင့်မားသော ရွေ့လျားမှုထိန်းချုပ်မှု
linear နှင့် direct-drive မော်တာများအတွက် ရွေးချယ်စရာများဖြင့် စနစ်သည် တိကျမှုကို မထိခိုက်စေဘဲ မြင့်မားသော throughput လိုအပ်ချက်များကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ Five-axis motion သည် ရှုပ်ထွေးသော ပုံစံထုတ်လုပ်ခြင်းနှင့် ဘက်ပေါင်းစုံ ဖြတ်တောက်မှုများကို ထပ်မံပြုလုပ်နိုင်စေပါသည်။

၅။ မော်ဂျူလာနှင့် တိုးချဲ့နိုင်သော ဒီဇိုင်း
အသုံးပြုသူများသည် ဓာတ်ခွဲခန်းအခြေပြု ပုံစံငယ်တည်ဆောက်ခြင်းမှသည် ထုတ်လုပ်မှုအတိုင်းအတာ ဖြန့်ကျက်မှုများအထိ အပလီကေးရှင်းလိုအပ်ချက်များအပေါ် အခြေခံ၍ စနစ်ဖွဲ့စည်းမှုများကို စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်ပြီး R&D နှင့် စက်မှုလုပ်ငန်းနယ်ပယ်များတွင် သင့်လျော်စေပါသည်။

အသုံးချနယ်ပယ်များ

တတိယမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများ
SiC နှင့် GaN ဝေဖာများအတွက် ပြီးပြည့်စုံသော ဤစနစ်သည် 깍둑썰기ခြင်း၊ တူးဖောက်ခြင်းနှင့် လှီးဖြတ်ခြင်းတို့ကို အနားသတ်များ အလွန်ကောင်းမွန်စွာ လုပ်ဆောင်ပါသည်။

စိန်နှင့်အောက်ဆိုဒ် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း စက်ပစ္စည်းပြုလုပ်ခြင်း-
ကာဗွန်ဓာတ်ပြုမှု သို့မဟုတ် အပူပုံပျက်ခြင်းမရှိဘဲ single-crystal diamond နှင့် Ga₂O₃ ကဲ့သို့သော မြင့်မားသောမာကျောမှုရှိသောပစ္စည်းများကို ဖြတ်တောက်ခြင်းနှင့် တူးဖော်ခြင်းအတွက် အသုံးပြုသည်။

အဆင့်မြင့် အာကာသယာဉ် အစိတ်အပိုင်းများ-
ဂျက်အင်ဂျင်နှင့် ဂြိုလ်တုအစိတ်အပိုင်းများအတွက် မြင့်မားသောဆွဲအားရှိသော ကြွေထည်ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများနှင့် စူပါသတ္တုစပ်များ၏ ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံပုံသွင်းခြင်းကို ပံ့ပိုးပေးသည်။

ဓာတ်အားပေးစနစ်နှင့် ကြွေထည်အောက်ခံများ-
through-hole များနှင့် interconnects များအတွက် slot milling အပါအဝင် ပါးလွှာသော wafers များနှင့် LTCC substrates များကို burr မပါဘဲ ဖြတ်တောက်နိုင်စေပါသည်။

စကင်တီလေတာများနှင့် အလင်းဆိုင်ရာ အစိတ်အပိုင်းများ-
Ce:YAG၊ LSO နှင့် အခြားကဲ့သို့ ပျက်စီးလွယ်သော အလင်းတန်းပစ္စည်းများတွင် မျက်နှာပြင်ချောမွေ့မှုနှင့် ထုတ်လွှင့်မှုကို ထိန်းသိမ်းပေးသည်။

သတ်မှတ်ချက်

အင်္ဂါရပ်	သတ်မှတ်ချက်
လေဆာရင်းမြစ်	DPSS Nd:YAG
လှိုင်းအလျား ရွေးချယ်စရာများ	၅၃၂ နာနိုမီတာ / ၁၀၆၄ နာနိုမီတာ
ပါဝါအဆင့်များ	၅၀ / ၁၀၀ / ၂၀၀ ဝပ်
တိကျမှု	±၅ မိုက်ခရိုမီတာ
ဖြတ်တောက်မှု အကျယ်	20μm လောက် ကျဉ်းမြောင်းတယ်
အပူဒဏ်ခံရသောဇုန်	≤၅ မိုက်ခရိုမီတာ
ရွေ့လျားမှုအမျိုးအစား	လိုင်းနာ / တိုက်ရိုက်မောင်းနှင်မှု
ပံ့ပိုးပေးထားသော ပစ္စည်းများ	SiC၊ GaN၊ Diamond၊ Ga₂O₃ စသည်တို့။

ဘာကြောင့် ဒီစနစ်ကို ရွေးချယ်သင့်တာလဲ။

● အပူအက်ကွဲခြင်းနှင့် အနားစွန်းအစင်းများကဲ့သို့သော ပုံမှန်လေဆာစက်ဖြင့်ပြုလုပ်ခြင်းပြဿနာများကို ဖယ်ရှားပေးသည်
● ကုန်ကျစရိတ်များသော ပစ္စည်းများအတွက် အထွက်နှုန်းနှင့် တသမတ်တည်းရှိမှုကို မြှင့်တင်ပေးသည်
● လေယာဉ်မှူးအဆင့်နှင့် စက်မှုလုပ်ငန်းသုံး နှစ်မျိုးလုံးအတွက် လိုက်လျောညီထွေဖြစ်အောင် ပြုလုပ်နိုင်သည်
● တိုးတက်ပြောင်းလဲနေသော ပစ္စည်းသိပ္ပံအတွက် အနာဂတ်အတွက် စိတ်ချရသော ပလက်ဖောင်း

မေး-ဖြေ

မေးခွန်း ၁: ဒီစနစ်က ဘယ်လိုပစ္စည်းတွေကို စီမံဆောင်ရွက်နိုင်ပါသလဲ။
A: ဤစနစ်ကို မာကျောပြီး ကြွပ်ဆတ်သော တန်ဖိုးမြင့်ပစ္စည်းများအတွက် အထူးဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ ၎င်းသည် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC)၊ ဂယ်လီယမ်နိုက်ထရိုက် (GaN)၊ စိန်၊ ဂယ်လီယမ်အောက်ဆိုဒ် (Ga₂O₃)၊ LTCC အောက်ခံများ၊ အာကာသယာဉ်ပေါင်းစပ်ပစ္စည်းများ၊ photovoltaic wafers နှင့် Ce:YAG သို့မဟုတ် LSO ကဲ့သို့သော scintillator ပုံဆောင်ခဲများကို ထိရောက်စွာ စီမံဆောင်ရွက်နိုင်သည်။

Q2: ရေလမ်းညွှန်လေဆာနည်းပညာက ဘယ်လိုအလုပ်လုပ်သလဲ။
A: လေဆာရောင်ခြည်ကို အတွင်းပိုင်းရောင်ပြန်ဟပ်မှုမှတစ်ဆင့် လမ်းညွှန်ရန် ရေဖိအားမြင့်မိုက်ခရိုဂျက်ကို အသုံးပြုပြီး လေဆာစွမ်းအင်ကို ပြန့်ကျဲမှုအနည်းဆုံးဖြင့် ထိရောက်စွာ လမ်းကြောင်းပြောင်းပေးသည်။ ၎င်းသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော အာရုံစူးစိုက်မှု၊ အပူဝန်နည်းပါးမှုနှင့် မျဉ်းအကျယ် 20μm အထိ တိကျစွာ ဖြတ်တောက်မှုများကို သေချာစေသည်။

Q3: ရရှိနိုင်သော လေဆာပါဝါဖွဲ့စည်းပုံများကား အဘယ်နည်း။
A: ဖောက်သည်များသည် ၎င်းတို့၏ လုပ်ဆောင်မှုအမြန်နှုန်းနှင့် ရုပ်ထွက်အရည်အသွေး လိုအပ်ချက်များပေါ် မူတည်၍ 50W၊ 100W နှင့် 200W လေဆာပါဝါရွေးချယ်မှုများမှ ရွေးချယ်နိုင်ပါသည်။ ရွေးချယ်မှုအားလုံးသည် မြင့်မားသောရောင်ခြည်တည်ငြိမ်မှုနှင့် ထပ်ခါတလဲလဲလုပ်ဆောင်နိုင်စွမ်းကို ထိန်းသိမ်းထားသည်။