LiDAR အတွက် InGaAs epitaxial wafer substrate PD Array photodetector arrays များကို အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။

အကျဉ်းချုပ်ဖော်ပြချက်:

InGaAs epitaxial film ဆိုသည်မှာ သတ်မှတ်ထားသော substrate ပေါ်တွင် epitaxial ကြီးထွားမှုနည်းပညာဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားသော indium gallium arsenic (InGaAs) single crystal thin film ပစ္စည်းကို ရည်ညွှန်းသည်။ အသုံးများသော InGaAs epitaxial substrates များမှာ indium phosphide (InP) နှင့် gallium arsenide (GaAs) တို့ဖြစ်သည်။ ဤ substrate ပစ္စည်းများတွင် crystal quality ကောင်းမွန်သောနှင့် thermal stability ရှိပြီး InGaAs epitaxial အလွှာများ ကြီးထွားမှုအတွက် အလွန်ကောင်းမွန်သော substrate တစ်ခုကို ပေးစွမ်းနိုင်သည်။
PD Array (Photodetector Array) သည် တစ်ပြိုင်နက်တည်း optical signal များစွာကို ထောက်လှမ်းနိုင်သော photodetector များစွာပါဝင်သော array တစ်ခုဖြစ်သည်။ MOCVD မှ ပေါက်ဖွားလာသော epitaxial sheet ကို photodetection diode များတွင် အဓိကအသုံးပြုပြီး absorption layer ကို U-InGaAs များဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားပြီး background doping သည် <5E14 ဖြစ်ကာ diffused Zn ကို ဖောက်သည် သို့မဟုတ် Epihouse မှ ပြီးမြောက်အောင် လုပ်ဆောင်နိုင်သည်။ epitaxial tablets များကို PL၊ XRD နှင့် ECV တိုင်းတာမှုများဖြင့် ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာခဲ့သည်။


အင်္ဂါရပ်များ

InGaAs လေဆာ epitaxial စာရွက်၏ အဓိကအင်္ဂါရပ်များ ပါဝင်သည်

၁။ ကွက်တိကိုက်ညီမှု- InGaAs epitaxial အလွှာနှင့် InP သို့မဟုတ် GaAs အလွှာအကြားတွင် ကောင်းမွန်သော ကွက်တိကိုက်ညီမှုကို ရရှိနိုင်ပြီး၊ ထို့ကြောင့် epitaxial အလွှာ၏ ချို့ယွင်းချက်သိပ်သည်းဆကို လျှော့ချပေးပြီး စက်ပစ္စည်း၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုးတက်စေသည်။
၂။ ချိန်ညှိနိုင်သော band gap: InGaAs ပစ္စည်း၏ band gap ကို In နှင့် Ga အစိတ်အပိုင်းများ၏ အချိုးအစားကို ချိန်ညှိခြင်းဖြင့် ရရှိနိုင်ပြီး၊ ၎င်းသည် InGaAs epitaxial sheet သည် optoelectronic devices များတွင် အသုံးချမှု အလားအလာများစွာရှိစေသည်။
၃။ မြင့်မားသော photosensitivity: InGaAs epitaxial film သည် အလင်းအပေါ် မြင့်မားသော sensitivity ရှိပြီး photoelectric detection၊ optical communication နှင့် အခြားထူးခြားသော အားသာချက်များတွင် ပါဝင်စေသည်။
၄။ အပူချိန်မြင့်မားစွာ တည်ငြိမ်မှု- InGaAs/InP epitaxial ဖွဲ့စည်းပုံသည် အပူချိန်မြင့်မားစွာ တည်ငြိမ်မှု အလွန်ကောင်းမွန်ပြီး အပူချိန်မြင့်မားမှုများတွင် တည်ငြိမ်သော စက်ပစ္စည်းစွမ်းဆောင်ရည်ကို ထိန်းသိမ်းထားနိုင်သည်။

InGaAs လေဆာ epitaxial တက်ဘလက်များ၏ အဓိကအသုံးချမှုများတွင် အောက်ပါတို့ပါဝင်သည်-

၁။ Optoelectronic ကိရိယာများ- InGaAs epitaxial တက်ဘလက်များကို photodiodes၊ photodetectors နှင့် အခြား optoelectronic ကိရိယာများ ထုတ်လုပ်ရန် အသုံးပြုနိုင်ပြီး၊ ၎င်းတို့သည် optical ဆက်သွယ်ရေး၊ ညမြင်ကွင်းနှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင် ကျယ်ပြန့်သော အသုံးချမှုများရှိသည်။

၂။ လေဆာများ- InGaAs epitaxial စာရွက်များကို လေဆာများ၊ အထူးသဖြင့် ရှည်လျားသောလှိုင်းအလျားလေဆာများ ထုတ်လုပ်ရန်အတွက်လည်း အသုံးပြုနိုင်ပြီး ၎င်းသည် optical fiber ဆက်သွယ်ရေး၊ စက်မှုလုပ်ငန်းဆိုင်ရာ လုပ်ငန်းစဉ်များနှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင် အရေးကြီးသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။

၃။ ဆိုလာဆဲလ်များ- InGaAs ပစ္စည်းတွင် ကျယ်ပြန့်သော band gap ချိန်ညှိမှုအပိုင်းအခြားရှိပြီး အပူ photovoltaic ဆဲလ်များမှ လိုအပ်သော band gap လိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်သောကြောင့် InGaAs epitaxial sheet သည် ဆိုလာဆဲလ်နယ်ပယ်တွင်လည်း အသုံးချမှုအလားအလာအချို့ရှိသည်။

၄။ ဆေးဘက်ဆိုင်ရာ ရုပ်ပုံဖော်ခြင်း- ဆေးဘက်ဆိုင်ရာ ရုပ်ပုံဖော်ကိရိယာများ (CT၊ MRI စသည်ဖြင့်) တွင်၊ ထောက်လှမ်းခြင်းနှင့် ရုပ်ပုံဖော်ခြင်း။

၅။ အာရုံခံကွန်ရက်- ပတ်ဝန်းကျင်စောင့်ကြည့်ခြင်းနှင့် ဓာတ်ငွေ့ထောက်လှမ်းခြင်းတွင်၊ များစွာသော parameters များကို တစ်ပြိုင်နက်တည်း စောင့်ကြည့်နိုင်သည်။

၆။ စက်မှုလုပ်ငန်းအလိုအလျောက်လုပ်ဆောင်ခြင်း- ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းပေါ်ရှိ အရာဝတ္ထုများ၏ အခြေအနေနှင့် အရည်အသွေးကို စောင့်ကြည့်ရန် စက်အမြင်အာရုံစနစ်များတွင် အသုံးပြုသည်။

အနာဂတ်တွင်၊ InGaAs epitaxial substrate ၏ ပစ္စည်းဂုဏ်သတ္တိများသည် photoelectric conversion efficiency တိုးတက်ကောင်းမွန်လာခြင်းနှင့် noise level လျှော့ချခြင်းအပါအဝင် ဆက်လက်တိုးတက်ကောင်းမွန်လာမည်ဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် InGaAs epitaxial substrate ကို optoelectronic devices များတွင် ပိုမိုကျယ်ပြန့်စွာအသုံးပြုလာစေပြီး စွမ်းဆောင်ရည်ကိုလည်း ပိုမိုကောင်းမွန်စေမည်ဖြစ်သည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ ပြင်ဆင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်ကိုလည်း ကုန်ကျစရိတ်များလျှော့ချရန်နှင့် စွမ်းဆောင်ရည်တိုးတက်စေရန် စဉ်ဆက်မပြတ် အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် လုပ်ဆောင်သွားမည်ဖြစ်ပြီး ပိုမိုကြီးမားသော ဈေးကွက်၏ လိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးမည်ဖြစ်သည်။

ယေဘုယျအားဖြင့် InGaAs epitaxial substrate သည် ၎င်း၏ထူးခြားသောဝိသေသလက္ခဏာများနှင့် ကျယ်ပြန့်သောအသုံးချမှုအလားအလာများဖြင့် semiconductor ပစ္စည်းနယ်ပယ်တွင် အရေးကြီးသောရာထူးကို ရယူထားသည်။

XKH သည် optoelectronic devices များ၊ lasers များနှင့် solar cells များအတွက် အသုံးချမှုအမျိုးမျိုးကို လွှမ်းခြုံထားသည့် မတူညီသောဖွဲ့စည်းပုံနှင့် အထူရှိသော InGaAs epitaxial sheets များကို စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်ပေးပါသည်။ XKH ၏ ထုတ်ကုန်များကို မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုရှိစေရန် အဆင့်မြင့် MOCVD ပစ္စည်းကိရိယာများဖြင့် ထုတ်လုပ်ထားပါသည်။ ထောက်ပံ့ပို့ဆောင်ရေးအရ XKH တွင် မှာယူမှုအရေအတွက်ကို ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ကိုင်တွယ်နိုင်ပြီး ပြုပြင်မွမ်းမံခြင်းနှင့် အပိုင်းခွဲခြင်းကဲ့သို့သော တန်ဖိုးမြှင့်ဝန်ဆောင်မှုများကို ပေးဆောင်နိုင်သည့် နိုင်ငံတကာရင်းမြစ်လမ်းကြောင်းများစွာရှိသည်။ ထိရောက်သော ပို့ဆောင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များသည် အချိန်မီပို့ဆောင်ပေးပြီး အရည်အသွေးနှင့် ပို့ဆောင်ချိန်များအတွက် ဖောက်သည်လိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးပါသည်။

အသေးစိတ်ပုံကြမ်း

၁ (၁)
၁ (၁)
၁ (၂)

  • ယခင်:
  • နောက်တစ်ခု:

  • ဆက်စပ်ထုတ်ကုန်များ

    သင့်စာကို ဤနေရာတွင် ရေးပြီး ကျွန်ုပ်တို့ထံ ပေးပို့ပါ။