GaAs လေဆာ epitaxial wafer ၄ လက်မ ၆ လက်မ VCSEL ဒေါင်လိုက်အခေါင်းပေါက်မျက်နှာပြင်ထုတ်လွှတ်မှုလေဆာလှိုင်းအလျား 940nm တစ်ခုတည်းသောချိတ်ဆက်မှု

အကျဉ်းချုပ်ဖော်ပြချက်:

ဖောက်သည်သတ်မှတ်ထားသော ဒီဇိုင်း Gigabit Ethernet လေဆာအစုအဝေးများသည် မြင့်မားသော တသမတ်တည်းရှိသော ၆ လက်မဝေဖာများ၊ 850/940nm အလယ်ဗဟိုအလင်းလှိုင်းအလျား၊ အောက်ဆိုဒ်ကန့်သတ်ထားသော သို့မဟုတ် ပရိုတွန်ထည့်သွင်းထားသော VCSEL ဒစ်ဂျစ်တယ်ဒေတာလင့်ခ်ဆက်သွယ်ရေး၊ လေဆာမောက်စ်၊ လျှပ်စစ်နှင့်အလင်းဆိုင်ရာဝိသေသလက္ခဏာများ၊ အပူချိန်အပေါ် အာရုံခံနိုင်စွမ်းနည်းပါးသည်။ VCSEL-940 Single Junction သည် ပုံမှန်အားဖြင့် 940 နာနိုမီတာခန့်ရှိသော ထုတ်လွှတ်မှုလှိုင်းအလျားရှိသော ဒေါင်လိုက်အခေါင်းပေါက်မျက်နှာပြင်ထုတ်လွှတ်သည့်လေဆာ (VCSEL) တစ်ခုဖြစ်သည်။ ထိုကဲ့သို့သောလေဆာများသည် ပုံမှန်အားဖြင့် တစ်ခုတည်းသော ကွမ်တမ်တွင်းတစ်ခုဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားပြီး ထိရောက်သောအလင်းထုတ်လွှတ်မှုကို ပေးစွမ်းနိုင်သည်။ 940 နာနိုမီတာ၏ လှိုင်းအလျားသည် အနီအောက်ရောင်ခြည်ရောင်စဉ်တွင် ပါဝင်ပြီး အသုံးချမှုအမျိုးမျိုးအတွက် သင့်လျော်စေသည်။ အခြားလေဆာအမျိုးအစားများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက VCsels များတွင် ပိုမိုမြင့်မားသော electro-optical conversion efficiency ရှိသည်။ VCSEL package သည် နှိုင်းယှဉ်လျှင် သေးငယ်ပြီး ပေါင်းစပ်ရန်လွယ်ကူသည်။ VCSEL-940 ၏ ကျယ်ပြန့်သောအသုံးချမှုသည် ခေတ်မီနည်းပညာတွင် အရေးကြီးသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်စေခဲ့သည်။


အင်္ဂါရပ်များ

GaAs လေဆာ epitaxial စာရွက်၏ အဓိကဝိသေသလက္ခဏာများတွင် ပါဝင်သည်

၁။ တစ်ခုတည်းသော ချိတ်ဆက်ဖွဲ့စည်းပုံ- ဤလေဆာကို များသောအားဖြင့် တစ်ခုတည်းသော ကွမ်တမ်တွင်းဖြင့် ဖွဲ့စည်းထားပြီး ထိရောက်သော အလင်းထုတ်လွှတ်မှုကို ပေးစွမ်းနိုင်သည်။
၂။ လှိုင်းအလျား: 940 nm ၏ လှိုင်းအလျားသည် အနီအောက်ရောင်ခြည်ရောင်စဉ်အကွာအဝေးတွင် ရှိပြီး အသုံးချမှုအမျိုးမျိုးအတွက် သင့်လျော်စေသည်။
၃။ မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်- အခြားလေဆာအမျိုးအစားများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက VCSEL တွင် electro-optical conversion efficiency မြင့်မားသည်။
၄။ သေးငယ်မှု- VCSEL package သည် အရွယ်အစား သေးငယ်ပြီး ပေါင်းစပ်ရလွယ်ကူသည်။

၅။ လျှပ်စီးကြောင်း နိမ့်ပြီး ထိရောက်မှု မြင့်မားခြင်း- မြှုပ်နှံထားသော heterostructure လေဆာများသည် အလွန်နိမ့်သော lasing threshold current density (ဥပမာ 4mA/cm²) နှင့် မြင့်မားသော external differential quantum efficiency (ဥပမာ 36%) ရှိပြီး linear output power 15mW ထက်ကျော်လွန်သည်။
၆။ Waveguide mode တည်ငြိမ်မှု- မြှုပ်နှံထားသော heterostructure laser သည် ၎င်း၏ refractive index guided waveguide ယန္တရားနှင့် ကျဉ်းမြောင်းသော active strip width (2μm ခန့်) ကြောင့် waveguide mode တည်ငြိမ်မှု၏ အားသာချက်ရှိသည်။
၇။ အလွန်ကောင်းမွန်သော photoelectric conversion စွမ်းဆောင်ရည်- epitaxial ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်ကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ခြင်းဖြင့်၊ အတွင်းပိုင်းဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချရန် မြင့်မားသော internal quantum စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် photoelectric conversion စွမ်းဆောင်ရည်ကို ရရှိနိုင်ပါသည်။
၈။ မြင့်မားသောယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့်သက်တမ်း- အရည်အသွေးမြင့် epitaxial ကြီးထွားမှုနည်းပညာသည် မျက်နှာပြင်ကောင်းမွန်သောအသွင်အပြင်နှင့် အပြစ်အနာအဆာသိပ်သည်းဆနည်းသော epitaxial စာရွက်များကို ပြင်ဆင်နိုင်ပြီး ထုတ်ကုန်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့်သက်တမ်းကို တိုးတက်စေသည်။
၉။ အသုံးချမှုအမျိုးမျိုးအတွက် သင့်လျော်သည်- GAAS-အခြေခံ လေဆာဒိုင်အိုဒိုက် epitaxial စာရွက်ကို optical fiber ဆက်သွယ်ရေး၊ စက်မှုလုပ်ငန်းအသုံးချမှုများ၊ အနီအောက်ရောင်ခြည်နှင့် photodetector များနှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုကြသည်။

GaAs လေဆာ epitaxial စာရွက်၏ အဓိကအသုံးချနည်းလမ်းများတွင် ပါဝင်သည်-

၁။ အလင်းဆက်သွယ်ရေးနှင့်ဒေတာဆက်သွယ်ရေး- GaAs epitaxial wafers များကို အလင်းဆက်သွယ်ရေးနယ်ပယ်တွင် အထူးသဖြင့် မြန်နှုန်းမြင့်အလင်းဆက်သွယ်ရေးစနစ်များတွင် လေဆာနှင့် ထောက်လှမ်းကိရိယာများကဲ့သို့သော optoelectronic ကိရိယာများ ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုကြသည်။

၂။ စက်မှုလုပ်ငန်းသုံး အသုံးချမှုများ- GaAs လေဆာ epitaxial စာရွက်များသည် လေဆာလုပ်ဆောင်ခြင်း၊ တိုင်းတာခြင်းနှင့် အာရုံခံခြင်းကဲ့သို့သော စက်မှုလုပ်ငန်းသုံး အသုံးချမှုများတွင်လည်း အရေးကြီးသော အသုံးပြုမှုများရှိသည်။

၃။ စားသုံးသူအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ- စားသုံးသူအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများတွင်၊ GaAs epitaxial wafers များကို VCsels (vertical cavity surface-emitting lasers) ထုတ်လုပ်ရန်အသုံးပြုပြီး ၎င်းတို့ကို စမတ်ဖုန်းများနှင့် အခြားစားသုံးသူအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုကြသည်။

၄။ Rf အသုံးချမှုများ- GaAs ပစ္စည်းများသည် RF နယ်ပယ်တွင် သိသာထင်ရှားသော အားသာချက်များရှိပြီး မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော RF စက်ပစ္စည်းများ ထုတ်လုပ်ရာတွင် အသုံးပြုသည်။

၅။ ကွမ်တမ်အစက်လေဆာများ- GAAS-အခြေခံ ကွမ်တမ်အစက်လေဆာများကို ဆက်သွယ်ရေး၊ ဆေးဘက်ဆိုင်ရာနှင့် စစ်ဘက်ဆိုင်ရာနယ်ပယ်များတွင် အထူးသဖြင့် 1.31µm အလင်းဆက်သွယ်ရေးလှိုင်းတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုကြသည်။

၆။ Passive Q switch: GaAs absorber ကို passive Q switch ပါရှိသော diode-pumped solid state laser များအတွက် အသုံးပြုပြီး၊ ၎င်းသည် micro-machining၊ rangeing နှင့် micro-surgery တို့အတွက် သင့်လျော်ပါသည်။

ဤအပလီကေးရှင်းများသည် GaAs လေဆာ epitaxial wafers များ၏ အဆင့်မြင့်နည်းပညာအသုံးချမှုအမျိုးမျိုးတွင် အလားအလာကို သရုပ်ပြသည်။

XKH သည် VCSEL/HCSEL၊ WLAN၊ 4G/5G အခြေစိုက်စခန်းများ စသည်တို့ကဲ့သို့သော ကျယ်ပြန့်သော အသုံးချမှုများကို လွှမ်းခြုံထားသည့် ကွဲပြားသောဖွဲ့စည်းပုံနှင့် အထူရှိသော GaAs epitaxial wafers များကို ဖောက်သည်များ၏ လိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီအောင် ပြုလုပ်ထားပြီး VCSEL/HCSEL၊ WLAN၊ 4G/5G အခြေစိုက်စခန်းများ စသည်တို့ကဲ့သို့သော ကျယ်ပြန့်သော အသုံးချမှုများကို လွှမ်းခြုံထားသည်။ XKH ၏ ထုတ်ကုန်များကို မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို သေချာစေရန် အဆင့်မြင့် MOCVD ပစ္စည်းကိရိယာများကို အသုံးပြု၍ ထုတ်လုပ်ထားသည်။ ထောက်ပံ့ပို့ဆောင်ရေးအရ၊ ကျွန်ုပ်တို့တွင် နိုင်ငံတကာရင်းမြစ်လမ်းကြောင်း အမျိုးမျိုးရှိပြီး မှာယူမှုအရေအတွက်ကို ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ် ကိုင်တွယ်နိုင်ပြီး ပါးလွှာစေခြင်း၊ အပိုင်းခွဲခြင်း စသည်တို့ကဲ့သို့သော တန်ဖိုးမြှင့်ဝန်ဆောင်မှုများကို ပေးဆောင်သည်။ ထိရောက်သော ပို့ဆောင်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များသည် အချိန်မီပို့ဆောင်ပေးပြီး အရည်အသွေးနှင့် ပို့ဆောင်ချိန်များအတွက် ဖောက်သည်များ၏ လိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးသည်။ ရောက်ရှိပြီးနောက်၊ ဖောက်သည်များသည် ထုတ်ကုန်ကို ချောမွေ့စွာအသုံးပြုကြောင်း သေချာစေရန်အတွက် ပြည့်စုံသော နည်းပညာပံ့ပိုးမှုနှင့် ရောင်းချပြီးနောက်ဝန်ဆောင်မှုကို ရရှိနိုင်ပါသည်။

အသေးစိတ်ပုံကြမ်း

၁ (၁)
၁ (၄)
၁ (၃)
၁ (၂)

  • ယခင်:
  • နောက်တစ်ခု:

  • ဆက်စပ်ထုတ်ကုန်များ

    သင့်စာကို ဤနေရာတွင် ရေးပြီး ကျွန်ုပ်တို့ထံ ပေးပို့ပါ။