8 လက်မ Lithium Niobate Wafer LiNbO3 LN wafer
အသေးစိတ်အချက်အလက်
လုံးပတ် | 200±0.2mm |
အဓိက ချောမွေ့မှု | 57.5mm၊ Notch |
တိမ်းညွှတ်မှု | 128Y-Cut၊ X-Cut၊ Z-Cut |
အထူ | 0.5±0.025mm၊ 1.0±0.025mm |
အပေါ်ယံ | DSP နှင့် SSP |
TTV | < 5µm |
ညွှတ် | ± (20µm ~ 40um) |
ရုန်းသည်။ | <= 20µm ~ 50µm |
LTV (5mmx5mm) | <1.5 အွမ် |
PLTV(<0.5um) | ≥98% (5mm*5mm) 2mm အစွန်းများကို ဖယ်ထုတ်ထားသည်။ |
Ra | Ra<=5A |
ခြစ်ခြင်းနှင့် တူးခြင်း (S/D) | 20/10၊ 40/20၊ 60/40 |
အစွန်း | SEMI M1.2@ GC800# ဖြင့် တွေ့ဆုံပါ။ ပုံမှန် C အမျိုးအစား |
တိကျသောသတ်မှတ်ချက်များ
အချင်း : 8 လက်မ (ခန့်မှန်းခြေ 200mm)
အထူ- သာမန်အထူသည် 0.5mm မှ 1mm အထိရှိသည်။ အခြားအထူများကို သီးခြားလိုအပ်ချက်များအလိုက် စိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်နိုင်ပါသည်။
Crystal orientation- အဓိက အသုံးများသော crystal orientation သည် 128Y-cut၊ Z-cut နှင့် X-cut crystal orientation ဖြစ်ပြီး သီးခြား application ပေါ်မူတည်၍ အခြားသော crystal orientation ကို ပံ့ပိုးပေးနိုင်ပါသည်။
အရွယ်အစား အားသာချက်များ- 8 လက်မ serrata ငါးကြင်း wafers များသည် သေးငယ်သော wafers များထက် အရွယ်အစား များစွာ အားသာချက်များ ရှိသည်-
ပိုကြီးသော ဧရိယာ- 6 လက်မ သို့မဟုတ် 4 လက်မ wafers များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက 8-inch wafers များသည် ပိုကြီးသော မျက်နှာပြင်ဧရိယာကို ပေးစွမ်းနိုင်ပြီး စက်ပစ္စည်းများနှင့် ပေါင်းစပ်ဆားကစ်များကို ပိုမိုထားရှိနိုင်ပြီး ထုတ်လုပ်မှု ထိရောက်မှုနှင့် အထွက်နှုန်းကို တိုးမြင့်စေပါသည်။
ပိုမြင့်သောသိပ်သည်းဆ- 8 လက်မအရွယ် wafers များကိုအသုံးပြုခြင်းဖြင့် ကိရိယာနှင့် အစိတ်အပိုင်းများကို တူညီသောဧရိယာတွင် ပိုမိုသိရှိနိုင်ပြီး ပေါင်းစပ်မှုနှင့် စက်ပစ္စည်းသိပ်သည်းဆကို တိုးမြင့်စေပြီး၊ ၎င်းသည် စက်စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။
ပိုမိုကောင်းမွန်သော လိုက်လျောညီထွေမှု- ပိုကြီးသော wafer များသည် ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် ပိုမိုကောင်းမွန်သော လိုက်လျောညီထွေရှိမှုရှိပြီး ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တွင် ကွဲပြားမှုကို လျှော့ချရန်နှင့် ထုတ်ကုန်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် လိုက်လျောညီထွေရှိမှုတို့ကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေပါသည်။
8 လက်မအရွယ် L နှင့် LN wafers များသည် mainstream silicon wafers များနှင့် တူညီပြီး ချည်နှောင်ရန်လွယ်ကူသည်။ မြင့်မားသော ကြိမ်နှုန်းလှိုင်းများကို ကိုင်တွယ်နိုင်သော " Jointed SAW Filter" စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။