4H-N ၈ လက်မ SiC အောက်ခံ wafer ဆီလီကွန်ကာဗိုက် Dummy သုတေသနအဆင့် 500um အထူ

အကျဉ်းချုပ်ဖော်ပြချက်:

ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဝေဖာများကို ပါဝါဒိုင်အိုဒိုက်များ၊ MOSFETs၊ မြင့်မားသောပါဝါမိုက်ခရိုဝေ့ဖ်ကိရိယာများနှင့် RF ထရန်စစ္စတာများကဲ့သို့သော အီလက်ထရွန်းနစ်ကိရိယာများတွင် အသုံးပြုကြပြီး ထိရောက်သောစွမ်းအင်ပြောင်းလဲမှုနှင့် ပါဝါစီမံခန့်ခွဲမှုကို ဖြစ်စေသည်။ SiC ဝေဖာများနှင့် အောက်ခံများကို မော်တော်ကားအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ၊ အာကာသစနစ်များနှင့် ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်နည်းပညာများတွင်လည်း အသုံးပြုကြသည်။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ

အင်္ဂါရပ်များ

ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဝေဖာများနှင့် SiC အောက်ခံများကို မည်သို့ရွေးချယ်ရမည်နည်း။

ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) ဝေဖာများနှင့် အောက်ခံများကို ရွေးချယ်ရာတွင် ထည့်သွင်းစဉ်းစားရမည့် အချက်များစွာရှိပါသည်။ အရေးကြီးသော စံနှုန်းအချို့ကို ဖော်ပြလိုက်ပါသည်။

ပစ္စည်းအမျိုးအစား- 4H-SiC သို့မဟုတ် 6H-SiC ကဲ့သို့သော သင့်အသုံးချမှုနှင့် ကိုက်ညီသော SiC ပစ္စည်းအမျိုးအစားကို ဆုံးဖြတ်ပါ။ အသုံးအများဆုံး ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံမှာ 4H-SiC ဖြစ်သည်။

Doping အမျိုးအစား- သင်သည် doped သို့မဟုတ် undoped SiC substrate လိုအပ်သည်ဖြစ်စေ မလိုအပ်သည်ဖြစ်စေ ဆုံးဖြတ်ပါ။ အသုံးများသော doping အမျိုးအစားများမှာ သင်၏ သီးခြားလိုအပ်ချက်များပေါ် မူတည်၍ N-type (n-doped) သို့မဟုတ် P-type (p-doped) တို့ဖြစ်သည်။

ပုံဆောင်ခဲ အရည်အသွေး- SiC ဝေဖာများ သို့မဟုတ် အောက်ခံများ၏ ပုံဆောင်ခဲ အရည်အသွေးကို အကဲဖြတ်ပါ။ လိုချင်သော အရည်အသွေးကို ချို့ယွင်းချက်အရေအတွက်၊ ပုံဆောင်ခဲ ဦးတည်ချက်နှင့် မျက်နှာပြင် ကြမ်းတမ်းမှုကဲ့သို့သော ကန့်သတ်ချက်များဖြင့် ဆုံးဖြတ်သည်။

ဝေဖာအချင်း- သင့်အသုံးချမှုအပေါ် အခြေခံ၍ သင့်လျော်သော ဝေဖာအရွယ်အစားကို ရွေးချယ်ပါ။ အဖြစ်များသော အရွယ်အစားများတွင် ၂ လက်မ၊ ၃ လက်မ၊ ၄ လက်မ နှင့် ၆ လက်မ ပါဝင်သည်။ အချင်းကြီးလေ၊ ဝေဖာတစ်ခုလျှင် သင်ရရှိနိုင်သော အထွက်နှုန်း ပိုများလေဖြစ်သည်။

အထူ: SiC ဝေဖာများ သို့မဟုတ် အောက်ခံအလွှာများ၏ လိုချင်သော အထူကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားပါ။ ပုံမှန်အထူရွေးချယ်မှုများသည် မိုက်ခရိုမီတာအနည်းငယ်မှ မိုက်ခရိုမီတာရာပေါင်းများစွာအထိ ရှိသည်။

ဦးတည်ချက်- သင့်အပလီကေးရှင်း၏ လိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီသော ပုံဆောင်ခဲပုံစံ ဦးတည်ချက်ကို ဆုံးဖြတ်ပါ။ အဖြစ်များသော ဦးတည်ချက်များတွင် 4H-SiC အတွက် (0001) နှင့် 6H-SiC အတွက် (0001) သို့မဟုတ် (0001̅) ပါဝင်သည်။

မျက်နှာပြင်ပြီးစီးမှု- SiC ဝေဖာများ သို့မဟုတ် အောက်ခံပြားများ၏ မျက်နှာပြင်ပြီးစီးမှုကို အကဲဖြတ်ပါ။ မျက်နှာပြင်သည် ချောမွေ့ပြီး ඔප දැමීමနှင့် ခြစ်ရာများ သို့မဟုတ် အညစ်အကြေးများ ကင်းစင်သင့်သည်။

ပေးသွင်းသူဂုဏ်သတင်း- အရည်အသွေးမြင့် SiC ဝေဖာများနှင့် အောက်ခံပစ္စည်းများ ထုတ်လုပ်ရာတွင် အတွေ့အကြုံများစွာရှိသော နာမည်ကောင်းရှိသော ပေးသွင်းသူကို ရွေးချယ်ပါ။ ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်၊ အရည်အသွေးထိန်းချုပ်မှုနှင့် ဖောက်သည်သုံးသပ်ချက်များကဲ့သို့သော အချက်များကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားပါ။

ကုန်ကျစရိတ်- wafer သို့မဟုတ် substrate တစ်ခုလျှင် ဈေးနှုန်းနှင့် အခြားစိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်မှုကုန်ကျစရိတ်များ အပါအဝင် ကုန်ကျစရိတ်ဆိုင်ရာ အကျိုးဆက်များကို ထည့်သွင်းစဉ်းစားပါ။

ရွေးချယ်ထားသော SiC ဝေဖာများနှင့် အောက်ခံများသည် သင်၏ သီးခြားအသုံးချမှု လိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီကြောင်း သေချာစေရန် ဤအချက်များကို ဂရုတစိုက် အကဲဖြတ်ပြီး လုပ်ငန်းနယ်ပယ်ကျွမ်းကျင်သူများ သို့မဟုတ် ပေးသွင်းသူများနှင့် တိုင်ပင်ဆွေးနွေးရန် အရေးကြီးပါသည်။