၂ လက်မ SiC ဝေဖာများ 6H သို့မဟုတ် 4H တစ်ဝက်လျှပ်ကာ SiC အောက်ခံပြားများ အချင်း ၅၀.၈ မီလီမီတာ
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အောက်ခံ၏အသုံးချမှု
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာကို ခုခံမှုအလိုက် လျှပ်ကူးပစ္စည်းအမျိုးအစားနှင့် တစ်ဝက်လျှပ်ကာအမျိုးအစားအဖြစ် ခွဲခြားနိုင်သည်။ လျှပ်ကူးဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပစ္စည်းများကို လျှပ်စစ်ယာဉ်များ၊ နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်ထုတ်လုပ်ခြင်း၊ ရထားပို့ဆောင်ရေး၊ ဒေတာစင်တာများ၊ အားသွင်းခြင်းနှင့် အခြားအခြေခံအဆောက်အအုံများတွင် အဓိကအသုံးပြုကြသည်။ လျှပ်စစ်ယာဉ်လုပ်ငန်းသည် လျှပ်ကူးဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာများအတွက် ကြီးမားသောဝယ်လိုအားရှိပြီး လက်ရှိတွင် Tesla၊ BYD၊ NIO၊ Xiaopeng နှင့် အခြားစွမ်းအင်သစ်ယာဉ်ကုမ္ပဏီများသည် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သီးခြားစက်ပစ္စည်းများ သို့မဟုတ် မော်ဂျူးများကို အသုံးပြုရန် စီစဉ်ထားသည်။
Semi-insulated silicon carbide စက်ပစ္စည်းများကို အဓိကအားဖြင့် 5G ဆက်သွယ်ရေး၊ ယာဉ်ဆက်သွယ်ရေး၊ အမျိုးသားကာကွယ်ရေးအသုံးချမှုများ၊ အချက်အလက်ထုတ်လွှင့်မှု၊ အာကာသနှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင် အသုံးပြုကြသည်။ Semi-insulated silicon carbide substrate ပေါ်တွင် gallium nitride epitaxial layer ကို ကြီးထွားစေခြင်းဖြင့် silicon-based gallium nitride epitaxial wafer ကို microwave RF စက်ပစ္စည်းများအဖြစ် ထပ်မံပြုလုပ်နိုင်ပြီး၊ ၎င်းတို့ကို RF နယ်ပယ်တွင် အဓိကအားဖြင့် အသုံးပြုကြပြီး၊ ဥပမာ 5G ဆက်သွယ်ရေးတွင် power amplifier များနှင့် အမျိုးသားကာကွယ်ရေးတွင် radio detector များဖြစ်သည်။
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာထုတ်ကုန်များ ထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် စက်ပစ္စည်းတီထွင်ခြင်း၊ ကုန်ကြမ်းပေါင်းစပ်ခြင်း၊ ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားခြင်း၊ ပုံဆောင်ခဲဖြတ်တောက်ခြင်း၊ ဝေဖာလုပ်ငန်းစဉ်၊ သန့်ရှင်းရေးနှင့် စမ်းသပ်ခြင်းနှင့် အခြားဆက်စပ်မှုများစွာ ပါဝင်သည်။ ကုန်ကြမ်းပစ္စည်းများအရ Songshan Boron စက်မှုလုပ်ငန်းသည် ဈေးကွက်အတွက် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာများကို ပံ့ပိုးပေးပြီး အသုတ်လိုက်ရောင်းချမှုများကို ရရှိထားသည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဖြင့် ကိုယ်စားပြုသော တတိယမျိုးဆက် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများသည် ခေတ်မီစက်မှုလုပ်ငန်းတွင် အဓိကအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပြီး၊ စွမ်းအင်သစ်ယာဉ်များနှင့် နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံး အသုံးချမှုများ ထိုးဖောက်ဝင်ရောက်မှု အရှိန်မြှင့်လာခြင်းနှင့်အတူ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာအတွက် ၀ယ်လိုအားသည် အပြောင်းအလဲအချက်တစ်ခုသို့ ဦးတည်တော့မည်ဖြစ်သည်။
အသေးစိတ်ပုံကြမ်း





