၂ လက်မ Sic silicon carbide အောက်ခံ 6H-N အမျိုးအစား ၀.၃၃ မီလီမီတာ ၀.၄၃ မီလီမီတာ နှစ်ဖက်ပွတ်တိုက်ခြင်း အပူစီးကူးမှုမြင့်မားခြင်း ပါဝါသုံးစွဲမှုနည်းပါးခြင်း

အကျဉ်းချုပ်ဖော်ပြချက်:

ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) သည် အပူစီးကူးနိုင်စွမ်းနှင့် ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာတည်ငြိမ်မှု အလွန်ကောင်းမွန်သော wide band gap semiconductor ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ အမျိုးအစား၆H-N၎င်း၏ ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံသည် ဆဋ္ဌဂံပုံ (6H) ဖြစ်သည်ဟု ညွှန်ပြပြီး “N” သည် ၎င်းသည် N-type semiconductor ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်ကြောင်း ညွှန်ပြပြီး ၎င်းကို များသောအားဖြင့် နိုက်ထရိုဂျင်ကို doping လုပ်ခြင်းဖြင့် ရရှိသည်။
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အောက်ခံသည် မြင့်မားသောဖိအားခံနိုင်ရည်၊ မြင့်မားသောအပူချိန်ခံနိုင်ရည်၊ မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းစွမ်းဆောင်ရည်စသည်တို့၏ အလွန်ကောင်းမွန်သောဝိသေသလက္ခဏာများရှိသည်။ ဆီလီကွန်ထုတ်ကုန်များနှင့်နှိုင်းယှဉ်ပါက ဆီလီကွန်အောက်ခံဖြင့်ပြင်ဆင်ထားသောကိရိယာသည် ဆုံးရှုံးမှုကို 80% လျှော့ချနိုင်ပြီး ကိရိယာအရွယ်အစားကို 90% လျှော့ချနိုင်သည်။ စွမ်းအင်သစ်ယာဉ်များအတွက် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်သည် စွမ်းအင်သစ်ယာဉ်များကို အလေးချိန်ပေါ့ပါးစေရန်နှင့် ဆုံးရှုံးမှုများကို လျှော့ချရန်နှင့် မောင်းနှင်နိုင်သည့်အကွာအဝေးကို တိုးမြှင့်ရန် ကူညီပေးနိုင်သည်။ 5G ဆက်သွယ်ရေးနယ်ပယ်တွင် ၎င်းကို ဆက်စပ်ပစ္စည်းများထုတ်လုပ်ရန် အသုံးပြုနိုင်သည်။ နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်ထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် ပြောင်းလဲခြင်းစွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်နိုင်သည်။ ရထားပို့ဆောင်ရေးနယ်ပယ်တွင် ၎င်း၏မြင့်မားသောအပူချိန်နှင့် မြင့်မားသောဖိအားခံနိုင်ရည်ဝိသေသလက္ခဏာများကို အသုံးပြုနိုင်သည်။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ

အင်္ဂါရပ်များ

အောက်ပါတို့သည် ၂ လက်မ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် ဝေဖာ၏ ဝိသေသလက္ခဏာများဖြစ်သည်

၁။ မာကျောမှု: Mohs မာကျောမှုသည် ၉.၂ ခန့်ရှိသည်။
၂။ ပုံဆောင်ခဲဖွဲ့စည်းပုံ- ဆဋ္ဌဂံကွက်ဖွဲ့စည်းပုံ။
၃။ အပူစီးကူးမှု မြင့်မားခြင်း- SiC ၏ အပူစီးကူးမှုသည် ဆီလီကွန်ထက် များစွာပိုမိုမြင့်မားပြီး အပူထိရောက်စွာ ပျံ့နှံ့စေရန် အထောက်အကူဖြစ်စေသည်။
၄။ ကျယ်ပြန့်သော band gap: SiC ၏ band gap သည် 3.3 eV ခန့်ရှိပြီး အပူချိန်မြင့်မားခြင်း၊ မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းနှင့် မြင့်မားသောပါဝါအသုံးချမှုများအတွက် သင့်လျော်ပါသည်။
၅။ ပြိုကွဲလျှပ်စစ်စက်ကွင်းနှင့် အီလက်ထရွန်ရွေ့လျားနိုင်မှု- မြင့်မားသော ပြိုကွဲလျှပ်စစ်စက်ကွင်းနှင့် အီလက်ထရွန်ရွေ့လျားနိုင်မှု၊ MOSFETs နှင့် IGBTs ကဲ့သို့သော ထိရောက်သော ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ကိရိယာများအတွက် သင့်လျော်သည်။
၆။ ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ တည်ငြိမ်မှုနှင့် ရောင်ခြည်ဒဏ်ခံနိုင်ရည်ရှိမှု- အာကာသနှင့် အမျိုးသားကာကွယ်ရေးကဲ့သို့သော ကြမ်းတမ်းသောပတ်ဝန်းကျင်များအတွက် သင့်လျော်သည်။ ဓာတုဗေဒ၊ အက်ဆစ်၊ အယ်ကာလီနှင့် အခြားဓာတုပျော်ရည်များကို ခံနိုင်ရည်ရှိမှု အလွန်ကောင်းမွန်သည်။
၇။ မြင့်မားသော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ အစွမ်းသတ္တိ- မြင့်မားသော အပူချိန်နှင့် မြင့်မားသော ဖိအားပတ်ဝန်းကျင်တွင် အလွန်ကောင်းမွန်သော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ အစွမ်းသတ္တိ။
၎င်းကို ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည် ဓာတ်ပုံရှာဖွေစက်များ၊ photovoltaic inverters များ၊ လျှပ်စစ်ယာဉ် PCU များ စသည်တို့ကဲ့သို့သော မြင့်မားသောပါဝါ၊ မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းနှင့် မြင့်မားသောအပူချိန် အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။

၂ လက်မ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဝေဖာသည် အသုံးချမှုများစွာရှိသည်။

၁။ ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ကိရိယာများ- မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသောပါဝါ MOSFET၊ IGBT နှင့် အခြားစက်ပစ္စည်းများထုတ်လုပ်ရန်အသုံးပြုပြီး ပါဝါပြောင်းလဲခြင်းနှင့် လျှပ်စစ်ယာဉ်များတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုကြသည်။

၂။ Rf ကိရိယာများ- ဆက်သွယ်ရေးပစ္စည်းများတွင် SiC ကို မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းချဲ့စက်များနှင့် RF ပါဝါချဲ့စက်များတွင် အသုံးပြုနိုင်သည်။

၃။ ဓာတ်ပုံလျှပ်စစ်ကိရိယာများ- အထူးသဖြင့် အပြာနှင့် ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်အသုံးချမှုများတွင် SIC-based led များကဲ့သို့သော။

၄။ အာရုံခံကိရိယာများ- ၎င်း၏ မြင့်မားသော အပူချိန်နှင့် ဓာတုဗေဒခံနိုင်ရည်ရှိမှုကြောင့် SiC အောက်ခံများကို မြင့်မားသော အပူချိန်အာရုံခံကိရိယာများနှင့် အခြားအာရုံခံကိရိယာအသုံးချမှုများ ထုတ်လုပ်ရန် အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။

၅။ စစ်ရေးနှင့် အာကာသယာဉ်များ- ၎င်း၏ မြင့်မားသော အပူချိန်ခံနိုင်ရည်နှင့် မြင့်မားသောအစွမ်းသတ္တိ ဝိသေသလက္ခဏာများကြောင့် အစွန်းရောက်ပတ်ဝန်းကျင်တွင် အသုံးပြုရန် သင့်လျော်ပါသည်။

6H-N အမျိုးအစား 2 "SIC အောက်ခံ၏ အဓိကအသုံးချနယ်ပယ်များတွင် စွမ်းအင်အသစ်ယာဉ်များ၊ မြင့်မားသောဗို့အားထုတ်လွှင့်ခြင်းနှင့်အသွင်ပြောင်းစခန်းများ၊ အဖြူရောင်ကုန်ပစ္စည်းများ၊ မြန်နှုန်းမြင့်ရထားများ၊ မော်တာများ၊ photovoltaic inverter၊ pulse power supply စသည်တို့ ပါဝင်သည်။

XKH ကို ဖောက်သည်လိုအပ်ချက်များအရ မတူညီသောအထူများဖြင့် စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်ပါသည်။ မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းမှုနှင့် ඔප දැමීම အမျိုးမျိုး ရရှိနိုင်ပါသည်။ ඔප දැමීම အမျိုးအစားအမျိုးမျိုး (ဥပမာ နိုက်ထရိုဂျင် දැමීම ကဲ့သို့) ကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်မှုပေါ် မူတည်၍ စံပို့ဆောင်ချိန်သည် ၂-၄ ပတ်ဖြစ်သည်။ ඔප දැමීම၏ ဘေးကင်းမှုကို သေချာစေရန် anti-static ထုပ်ပိုးပစ္စည်းများနှင့် anti-seismic foam များကို အသုံးပြုပါ။ ပို့ဆောင်ရေးရွေးချယ်စရာအမျိုးမျိုး ရရှိနိုင်ပြီး ဖောက်သည်များသည် ပေးထားသော tracking number မှတစ်ဆင့် ထောက်ပံ့ပို့ဆောင်ရေးအခြေအနေကို အချိန်နှင့်တပြေးညီ စစ်ဆေးနိုင်ပါသည်။ ဖောက်သည်များသည် အသုံးပြုနေစဉ်အတွင်း ပြဿနာများကို ဖြေရှင်းနိုင်စေရန် နည်းပညာပံ့ပိုးမှုနှင့် အတိုင်ပင်ခံဝန်ဆောင်မှုများကို ပေးအပ်ပါသည်။