၂ လက်မ ၅၀.၈ မီလီမီတာ အထူ ၀.၁ မီလီမီတာ ၀.၂ မီလီမီတာ ၀.၄၃ မီလီမီတာ Sapphire Wafer C-Plane M-plane R-plane A-plane
အသေးစိတ်အချက်အလက်များ
နီလာကျောက်မျက်ရတနာကို တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း (MOCVD ဂယ်လီယမ် နိုက်ထရိုက် အက်ပီတက်ဆီထရက်)၊ နာရီများ၊ ဆေးဘက်ဆိုင်ရာ၊ ဆက်သွယ်ရေး၊ လေဆာ၊ အနီအောက်ရောင်ခြည်၊ အီလက်ထရွန်းနစ်၊ တိုင်းတာရေးကိရိယာများ၊ စစ်ဘက်နှင့် အာကာသနှင့် အခြားခေတ်မီနည်းပညာနယ်ပယ်များစွာတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုကြသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ကုမ္ပဏီသည် အထူ ≧0.1 မီလီမီတာနှင့် ပြင်ပအတိုင်းအတာ ≧Φ1" ရှိသော မြင့်မားသောတိကျမှုရှိသော နီလာပြားများကို ကြာရှည်စွာထုတ်လုပ်သည်။ ရိုးရာ Φ2 "၊ Φ3 "၊ Φ4 "၊ Φ6 "၊ Φ8 "၊ Φ12 " အပြင် အခြားအရွယ်အစားများကို စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်ပြီး ကျွန်ုပ်တို့၏ အရောင်းဝန်ထမ်းများထံ ဆက်သွယ်ပါ။
အတိုင်းအတာ: ၂ လက်မ၊ ၃ လက်မ၊ ၄ လက်မ၊ ၆ လက်မ၊ ၈ လက်မ၊ ၁၂ လက်မ
အထူ: 100um, 280um, 300um, 350um, 430um, 500um, 650um, 1mm သို့မဟုတ် အခြားသူများ
ဦးတည်ချက်- C-ဝင်ရိုး၊ M-ဝင်ရိုး၊ R-ဝင်ရိုး၊ A-ဝင်ရိုး C ကို မှားယွင်းစွာ ဖြတ်တောက်ခြင်း A သို့မဟုတ် အခြား
မျက်နှာပြင်: SSP၊ DSP၊ ကြိတ်ခွဲခြင်း
ဖော်ပြချက်- နီလာကျောက်သည် အလူမီနာကျောက်၏ တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲဖြစ်ပြီး စိန်ပြီးလျှင် သဘာဝတွင် ဒုတိယအမာဆုံးပစ္စည်းဖြစ်သည်။ နီလာကျောက်တွင် အလင်းဝင်ပေါက်ကောင်းမွန်ခြင်း၊ ခိုင်ခံ့ခြင်း၊ တိုက်မိမှုဒဏ်ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း၊ ပွတ်တိုက်မှုဒဏ်ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း၊ ချေးခံနိုင်ရည်ရှိခြင်းနှင့် အပူချိန်နှင့်ဖိအားမြင့်မားခြင်းကို ခံနိုင်ရည်ရှိခြင်း၊ ဇီဝလိုက်ဖက်ညီမှုရှိပြီး အရာဝတ္ထုပုံသဏ္ဍာန်အမျိုးမျိုးအဖြစ် ပြုလုပ်နိုင်သည်။ ၎င်းသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း optoelectronic များပြုလုပ်ရာတွင် သင့်တော်သော အောက်ခံပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။
အသုံးချမှု- Sapphire single crystal သည် အလွန်ကောင်းမွန်သော ဘက်စုံသုံးပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းကို စက်မှုလုပ်ငန်း၊ ကာကွယ်ရေးနှင့် သိပ္ပံသုတေသနကဲ့သို့သော နယ်ပယ်များစွာတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုနိုင်ပါသည် (အပူချိန်မြင့်မားစွာခံနိုင်ရည်ရှိသော အနီအောက်ရောင်ခြည်ဝင်းဒိုးကဲ့သို့)။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ ၎င်းသည် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုသော single crystal substrate ပစ္စည်းတစ်ခုလည်းဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် လက်ရှိအပြာရောင်၊ ခရမ်းရောင်၊ အဖြူရောင် light emitting diode (LED) နှင့် အပြာရောင်လေဆာ (LD) စက်မှုလုပ်ငန်းအတွက် ဦးစားပေး substrate ဖြစ်သည် (sapphire substrate ပေါ်တွင် gallium nitride film layer ကို epitaxy လုပ်ရန် လိုအပ်သည်)၊ အရေးကြီးသော superconducting thin film substrate တစ်ခုလည်းဖြစ်သည်။ Y-series၊ La-series နှင့် အခြားအပူချိန်မြင့်မားသော superconducting film များထုတ်လုပ်ခြင်းအပြင်၊ ၎င်းကို လက်တွေ့ကျသော MgB2 (magnesium diboride) superconducting film အသစ်များ စိုက်ပျိုးရန်အတွက်လည်း အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။
အသေးစိတ်ပုံကြမ်း
