၃ လက်မ ၇၆.၂ မီလီမီတာ 4H-Semi SiC အောက်ခံ wafer ဆီလီကွန်ကာဗိုက် Semi-insulting SiC wafers

အကျဉ်းချုပ်ဖော်ပြချက်:

အီလက်ထရွန်းနစ်နှင့် optoelectronic လုပ်ငန်းအတွက် အရည်အသွေးမြင့် single crystal SiC wafer (Silicon Carbide)။ ၃ လက်မ SiC wafer သည် နောက်မျိုးဆက် semiconductor ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်ပြီး၊ အချင်း ၃ လက်မရှိသော semi-insulating silicon-carbide wafers ဖြစ်သည်။ wafers များကို power၊ RF နှင့် optoelectronics devices များ ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် ရည်ရွယ်ပါသည်။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ

အင်္ဂါရပ်များ

ထုတ်ကုန် သတ်မှတ်ချက်

၃ လက်မ 4H semi-insulated SiC (silicon carbide) substrate wafers များသည် အသုံးများသော semiconductor ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ 4H ဆိုသည်မှာ tetrahexahedral crystal structure ကို ညွှန်ပြသည်။ Semi-insulation ဆိုသည်မှာ substrate တွင် resistance ဂုဏ်သတ္တိများ မြင့်မားပြီး current flow မှ အတန်ငယ် ခွဲထုတ်နိုင်သည်ဟု ဆိုလိုသည်။

ထိုကဲ့သို့သော substrate wafers များသည် အောက်ပါဝိသေသလက္ခဏာများရှိသည်- အပူစီးကူးမှုမြင့်မားခြင်း၊ စီးကူးမှုဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးခြင်း၊ အပူချိန်မြင့်မားခြင်းကို ခံနိုင်ရည်ကောင်းမွန်ခြင်းနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာနှင့် ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာတည်ငြိမ်မှုကောင်းမွန်ခြင်းတို့ဖြစ်သည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်တွင် ကျယ်ပြန့်သော စွမ်းအင်ကွာဟချက်ရှိပြီး မြင့်မားသောအပူချိန်နှင့် မြင့်မားသောလျှပ်စစ်စက်ကွင်းအခြေအနေကို ခံနိုင်ရည်ရှိသောကြောင့် 4H-SiC semi-insulated wafers များကို power electronics နှင့် radio frequency (RF) devices များတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုကြသည်။

4H-SiC semi-insulated wafers များ၏ အဓိကအသုံးချမှုများတွင် အောက်ပါတို့ပါဝင်သည်-

၁--ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ- 4H-SiC ဝေဖာများကို MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors)၊ IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) နှင့် Schottky diode ကဲ့သို့သော ပါဝါပြောင်းလဲသည့် ကိရိယာများ ထုတ်လုပ်ရန် အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။ ဤကိရိယာများသည် ဗို့အားမြင့်မားပြီး အပူချိန်မြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်တွင် လျှပ်ကူးမှုနှင့် ပြောင်းလဲခြင်းဆုံးရှုံးမှုများ နည်းပါးပြီး ပိုမိုမြင့်မားသော စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို ပေးစွမ်းသည်။

၂--ရေဒီယိုကြိမ်နှုန်း (RF) ကိရိယာများ- 4H-SiC semi-insulated wafers များကို မြင့်မားသောပါဝါ၊ မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်း RF ပါဝါချဲ့စက်များ၊ ချစ်ပ် resistor များ၊ filter များနှင့် အခြားကိရိယာများကို ထုတ်လုပ်ရန် အသုံးပြုနိုင်သည်။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်တွင် အီလက်ထရွန်ပြည့်ဝမှုနှုန်း ပိုများခြင်းနှင့် အပူစီးကူးမှု မြင့်မားခြင်းကြောင့် ပိုမိုကောင်းမွန်သော မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် အပူချိန်တည်ငြိမ်မှုရှိသည်။

၃--အော့ပတိုအီလက်ထရွန်းနစ် ကိရိယာများ- 4H-SiC semi-insulated wafers များကို မြင့်မားသောပါဝါရှိသော laser diode များ၊ UV light detector များနှင့် optoelectronic integrated circuits များ ထုတ်လုပ်ရန် အသုံးပြုနိုင်သည်။

ဈေးကွက်ဦးတည်ချက်အရ၊ ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်၊ RF နှင့် optoelectronics နယ်ပယ်များ ကြီးထွားလာခြင်းနှင့်အတူ 4H-SiC semi-insulated wafers များအတွက် ဝယ်လိုအား မြင့်တက်လာနေပါသည်။ ၎င်းမှာ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်တွင် စွမ်းအင်ထိရောက်မှု၊ လျှပ်စစ်ယာဉ်များ၊ ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်နှင့် ဆက်သွယ်ရေးအပါအဝင် ကျယ်ပြန့်သော အသုံးချမှုများရှိသောကြောင့်ဖြစ်သည်။ အနာဂတ်တွင်၊ 4H-SiC semi-insulated wafers များအတွက် ဈေးကွက်သည် အလွန်အလားအလာကောင်းများအဖြစ် ဆက်လက်တည်ရှိနေပြီး အသုံးချမှုအမျိုးမျိုးတွင် ရိုးရာဆီလီကွန်ပစ္စည်းများကို အစားထိုးရန် မျှော်လင့်ရသည်။