သတင်း - Wafer သန့်ရှင်းရေးအတွက် အခြေခံမူများ၊ လုပ်ငန်းစဉ်များ၊ နည်းလမ်းများနှင့် စက်ပစ္စည်းများ

စိုစွတ်သော သန့်ရှင်းရေး (Wet Clean) သည် သန့်စင်သော မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် သန့်ရှင်းသော မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် အမျိုးမျိုးသော ညစ်ညမ်းမှုများကို ဖယ်ရှားနိုင်ရန် ရည်ရွယ်၍ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်သည့် လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် အရေးကြီးသော အဆင့်များထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။

ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ စက်ပစ္စည်းများ၏ အရွယ်အစားသည် ဆက်လက်ကျုံ့လာပြီး တိကျမှု လိုအပ်ချက်များ တိုးလာသည်နှင့်အမျှ wafer သန့်ရှင်းရေး လုပ်ငန်းစဉ်များ၏ နည်းပညာဆိုင်ရာ တောင်းဆိုမှုများသည် ပိုမိုတင်းကြပ်လာသည်။ wafer မျက်နှာပြင်ရှိ အသေးငယ်ဆုံး အမှုန်အမွှားများ၊ အော်ဂဲနစ်ပစ္စည်းများ၊ သတ္တုအိုင်းယွန်းများ သို့မဟုတ် အောက်ဆိုဒ်အကြွင်းအကျန်များသည်ပင် စက်ပစ္စည်းစွမ်းဆောင်ရည်ကို သိသိသာသာ သက်ရောက်မှုရှိနိုင်ပြီး၊ ထို့ကြောင့် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာစက်ပစ္စည်းများ၏ အထွက်နှုန်းနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို ထိခိုက်စေပါသည်။

Wafer သန့်ရှင်းရေး၏ အဓိကအခြေခံမူများ

wafer သန့်စင်ခြင်း၏ အဓိကအချက်မှာ wafer မျက်နှာပြင်မှ ညစ်ညမ်းမှုအမျိုးမျိုးကို ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ၊ ဓာတုဗေဒနှင့် အခြားနည်းလမ်းများဖြင့် ထိရောက်စွာ ဖယ်ထုတ်ခြင်းဖြစ်ပြီး wafer သည် နောက်ဆက်တွဲလုပ်ဆောင်မှုအတွက် သင့်လျော်သော သန့်ရှင်းသောမျက်နှာပြင်ရှိကြောင်း သေချာစေရန်ဖြစ်သည်။

ညစ်ညမ်းမှုအမျိုးအစား

စက်ပစ္စည်း လက္ခဏာများ အပေါ် အဓိက လွှမ်းမိုးမှုများ

ဆောင်းပါး ညစ်ညမ်းမှု		ပုံစံချွတ်ယွင်းချက် Ion implantation ချို့ယွင်းချက် လျှပ်ကာရုပ်ရှင်ပြိုကွဲချို့ယွင်းချက်
သတ္တုညစ်ညမ်းခြင်း။	အယ်ကာလီသတ္တုများ	MOS ထရန်စစ္စတာ မတည်ငြိမ်ခြင်း။ Gate oxide film ပြိုကွဲခြင်း/ပျက်စီးခြင်း
သတ္တုညစ်ညမ်းခြင်း။	သတ္တုများ	PN junction reverse leakage current တိုးလာသည်။ Gate oxide film ချို့ယွင်းချက် လူနည်းစုကယ်ရီယာ တစ်သက်တာ ပျက်စီးခြင်း။ အောက်ဆိုဒ် excitation အလွှာချို့ယွင်းချက်မျိုးဆက်
ဓာတုညစ်ညမ်းခြင်း။	အော်ဂဲနစ်ပစ္စည်း	Gate oxide film ချို့ယွင်းချက် CVD ရုပ်ရှင်အမျိုးအစားများ (ပေါက်ဖွားချိန်) အပူအောက်ဆိုဒ် ဖလင်အထူ ကွဲလွဲမှုများ (accelerated oxidation) မီးခိုးမြူများဖြစ်ပေါ်ခြင်း (wafer၊ မှန်ဘီလူး၊ မှန်၊ မျက်နှာဖုံး၊ မျဉ်းကြောင်းများ)
	Inorganic Dopants (B၊ P)	MOS ထရန်စစ္စတာ Vth ဆိုင်း Si substrate နှင့် high resistance poly-silicon sheet resistance ကွဲပြားမှုများ
	Inorganic Bases (အamines၊ ammonia) နှင့် acids (SOx)	ဓာတုဗေဒနည်းဖြင့် ချဲ့ထွင်ထားသော ခံနိုင်ရည်အား ကျဆင်းခြင်း ဆားထုတ်လုပ်ခြင်းကြောင့် အမှုန်အမွှားများ ညစ်ညမ်းခြင်းနှင့် အခိုးအငွေ့များ ဖြစ်ပေါ်ခြင်း။
	အစိုဓာတ်၊ လေကြောင့် မူလနှင့် ဓာတုဓာတ်အောက်ဆိုဒ်ရုပ်ရှင်များ	ထိတွေ့မှု ခံနိုင်ရည် တိုးလာသည်။ Gate oxide film ပြိုကွဲခြင်း/ပျက်စီးခြင်း

အထူးသဖြင့်၊ wafer သန့်ရှင်းရေးလုပ်ငန်းစဉ်၏ရည်ရွယ်ချက်များပါဝင်သည်-

အမှုန်အမွှားများကို ဖယ်ရှားခြင်း- wafer မျက်နှာပြင်တွင် ကပ်နေသော အမှုန်အမွှားလေးများကို ဖယ်ရှားရန် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ သို့မဟုတ် ဓာတုဗေဒနည်းလမ်းများကို အသုံးပြုခြင်း။ သေးငယ်သော အမှုန်အမွှားများသည် ၎င်းတို့နှင့် wafer မျက်နှာပြင်ကြားရှိ အားပြင်းသော electrostatic force ကြောင့် ဖယ်ရှားရန် ပိုမိုခက်ခဲပြီး အထူးကုသရန် လိုအပ်ပါသည်။

အော်ဂဲနစ်ပစ္စည်းများကို ဖယ်ရှားခြင်း- အဆီနှင့် ဖိုတိုခုခံနိုင်သော အကြွင်းအကျန်များကဲ့သို့သော အော်ဂဲနစ်ညစ်ညမ်းမှုများသည် wafer မျက်နှာပြင်တွင် ကပ်နေနိုင်သည်။ ဤညစ်ညမ်းသောအညစ်အကြေးများကို ပုံမှန်အားဖြင့် ပြင်းထန်သောဓာတ်တိုးအေးဂျင့်များ သို့မဟုတ် ပျော်ရည်များအသုံးပြု၍ ဖယ်ရှားသည်။

သတ္တုအိုင်းယွန်းများကို ဖယ်ရှားခြင်း- wafer မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ သတ္တုအိုင်းယွန်းအကြွင်းအကျန်များသည် လျှပ်စစ်စွမ်းဆောင်ရည်ကို ကျဆင်းစေပြီး နောက်ဆက်တွဲလုပ်ဆောင်မှုအဆင့်များကိုပင် ထိခိုက်နိုင်သည်။ ထို့ကြောင့် ဤအိုင်းယွန်းများကို ဖယ်ရှားရန် တိကျသော ဓာတုဗေဒနည်းများကို အသုံးပြုကြသည်။

အောက်ဆိုဒ်ကို ဖယ်ရှားခြင်း- အချို့သော လုပ်ငန်းစဉ်များသည် ဆီလီကွန်အောက်ဆိုဒ်ကဲ့သို့ အောက်ဆိုဒ်အလွှာများ ကင်းစင်ရန် wafer မျက်နှာပြင်ကို လိုအပ်သည်။ ထိုသို့သောအခြေအနေများတွင်၊ အချို့သောသန့်ရှင်းရေးအဆင့်များတွင်သဘာဝအောက်ဆိုဒ်အလွှာများကိုဖယ်ရှားရန်လိုအပ်သည်။

wafer သန့်ရှင်းရေးနည်းပညာ၏စိန်ခေါ်မှုမှာ wafer မျက်နှာပြင်ကို မထိခိုက်စေဘဲ ညစ်ညမ်းသောအညစ်အကြေးများကို ထိရောက်စွာဖယ်ရှားခြင်းမှာ မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းခြင်း၊ သံချေးတက်ခြင်း သို့မဟုတ် အခြားရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာပျက်စီးမှုများကို ကာကွယ်ပေးခြင်းကဲ့သို့သော wafer မျက်နှာပြင်ကို မထိခိုက်စေဘဲ ထိရောက်စွာဖယ်ရှားခြင်းတွင် တည်ရှိပါသည်။

2. Wafer Cleaning Process Flow

wafer သန့်ရှင်းရေးလုပ်ငန်းစဉ်တွင် ပုံမှန်အားဖြင့် ညစ်ညမ်းမှုများကို ပြီးပြည့်စုံစွာ ဖယ်ရှားပြီး သန့်ရှင်းသော မျက်နှာပြင်ကို ရရှိစေရန်အတွက် အဆင့်များစွာ ပါဝင်ပါသည်။

ပုံ- Batch-Type နှင့် Single-Wafer Cleaning အကြား နှိုင်းယှဉ်ချက်

ပုံမှန် wafer သန့်ရှင်းရေး လုပ်ငန်းစဉ်တွင် အောက်ပါ အဓိက အဆင့်များ ပါဝင်သည်-

1. ကြိုတင်သန့်ရှင်းရေး (Pre-Clean)

အကြိုသန့်ရှင်းရေး၏ရည်ရွယ်ချက်မှာ ဒိုင်းယွန်ဆန်သောရေ (DI Water) ဆေးကြောခြင်းနှင့် ultrasonic သန့်စင်ခြင်းမှတစ်ဆင့် ရရှိသည့် wafer မျက်နှာပြင်မှ ကြီးမားသောအမှုန်အမွှားများကို ဖယ်ရှားရန်ဖြစ်သည်။ Deionized water သည် wafer မျက်နှာပြင်မှ အမှုန်အမွှားများနှင့် ပျော်ဝင်နေသော အညစ်အကြေးများကို ဖယ်ရှားနိုင်သော်လည်း ultrasonic သန့်ရှင်းရေးသည် အမှုန်များနှင့် wafer မျက်နှာပြင်ကြားရှိ နှောင်ကြိုးများကို ချိုးဖျက်ရန် ဖယ်ထုတ်ရန် ပိုမိုလွယ်ကူစေသည်။

2. ဓာတု သန့်စင်ခြင်း။

ဓာတုဗေဒနည်းဖြင့် သန့်စင်ခြင်းသည် အော်ဂဲနစ်ပစ္စည်းများ၊ သတ္တုအိုင်းယွန်းနှင့် အောက်ဆိုဒ်များကို wafer မျက်နှာပြင်မှ ဖယ်ရှားရန် ဓာတုဗေဒဖြေရှင်းချက်များကို အသုံးပြု၍ wafer သန့်ရှင်းရေးလုပ်ငန်းစဉ်၏ အဓိကခြေလှမ်းများထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။

အော်ဂဲနစ်ပစ္စည်းများ ဖယ်ရှားခြင်း- ပုံမှန်အားဖြင့်၊ acetone သို့မဟုတ် ammonia/peroxide အရောအနှော (SC-1) ကို အော်ဂဲနစ်ညစ်ညမ်းမှုကို ပျော်ဝင်စေပြီး ဓာတ်တိုးရန်အသုံးပြုသည်။ SC-1 ဖြေရှင်းချက်အတွက် ပုံမှန်အချိုးသည် NH₄OH ဖြစ်သည်။

₂O₂

₂O = 1:1:5၊ အလုပ်လုပ်သောအပူချိန် 20°C ဝန်းကျင်။

သတ္တုအိုင်းယွန်းများကို ဖယ်ရှားခြင်း- နိုက်ထရစ်အက်ဆစ် သို့မဟုတ် ဟိုက်ဒရိုကလိုရစ်အက်ဆစ်/ပါအောက်ဆိုဒ် အရောအနှောများ (SC-2) ကို wafer မျက်နှာပြင်မှ သတ္တုအိုင်းယွန်းများကို ဖယ်ရှားရန်အတွက် အသုံးပြုသည်။ SC-2 ဖြေရှင်းချက်အတွက် ပုံမှန်အချိုးသည် HCl ဖြစ်သည်။

₂O₂

₂O = 1:1:6၊ ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် 80°C တွင် ထိန်းသိမ်းထားပြီး အပူချိန်။

အောက်ဆိုဒ်ဖယ်ရှားခြင်း- အချို့သောလုပ်ငန်းစဉ်များတွင်၊ hydrofluoric acid (HF) ဖြေရှင်းချက်ကို အသုံးပြုသည့် wafer မျက်နှာပြင်မှ မူလအောက်ဆိုဒ်အလွှာကို ဖယ်ရှားရန်လိုအပ်ပါသည်။ HF ဖြေရှင်းချက်အတွက် ပုံမှန်အချိုးသည် HF ဖြစ်သည်။

₂O = 1:50 ရှိပြီး အခန်းအပူချိန်တွင် အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။

3. နောက်ဆုံးသန့်ရှင်းရေး

ဓာတုဆေးသန့်စင်ပြီးနောက်၊ wafer များသည် မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ဓာတုအကြွင်းအကျန်များ မကျန်ရှိစေရန်အတွက် နောက်ဆုံးသန့်ရှင်းရေးအဆင့်ကို လုပ်ဆောင်လေ့ရှိပါသည်။ နောက်ဆုံးသန့်ရှင်းရေးသည် စေ့စေ့စပ်စပ်ဆေးကြောရန်အတွက် ဒိုင်းယွန်ဆန်ရေကို အဓိကအသုံးပြုသည်။ ထို့အပြင်၊ အိုဇုန်းရေသန့်စင်ခြင်း (O₃/H₂O) ကို wafer မျက်နှာပြင်မှ ကျန်ရှိသော ညစ်ညမ်းမှုများကို ထပ်မံဖယ်ရှားရန်အတွက် အသုံးပြုပါသည်။

4. အခြောက်ခံခြင်း။

ရေစာအမှတ်အသား သို့မဟုတ် ညစ်ညမ်းမှုများ ပြန်လည်တွယ်တာခြင်းမှ ကာကွယ်ရန် သန့်စင်ထားသော wafer များကို လျင်မြန်စွာ အခြောက်ခံရပါမည်။ အသုံးများသော အခြောက်ခံနည်းများတွင် လှည့်ပတ်အခြောက်ခံခြင်းနှင့် နိုက်ထရိုဂျင် သန့်စင်ခြင်းတို့ ပါဝင်သည်။ ယခင် wafer မျက်နှာပြင်မှ အစိုဓာတ်ကို အရှိန်ပြင်းပြင်းဖြင့် လှည့်ပတ်ခြင်းဖြင့် ဖယ်ရှားပေးကာ နောက်ပိုင်းတွင် နိုက်ထရိုဂျင်ဓာတ်ငွေ့ခြောက်ကို wafer မျက်နှာပြင်အနှံ့ မှုတ်ထုတ်ခြင်းဖြင့် ပြီးပြည့်စုံသောခြောက်သွေ့မှုကို သေချာစေသည်။

ညစ်ညမ်းသော

သန့်ရှင်းရေးလုပ်ထုံးလုပ်နည်းအမည်

Chemical Mixture ဖော်ပြချက်

ဓာတုပစ္စည်းများ


မှုန်	Piranha (SPM)	ဆာလဖျူရစ်အက်ဆစ်/ ဟိုက်ဒရိုဂျင်ပါအောက်ဆိုဒ်/DI ရေ	H2SO4/H2O2/H2O 3-4:1; 90°C
မှုန်	SC-1 (APM)	အမိုနီယမ်ဟိုက်ဒရောဆိုဒ်/ ဟိုက်ဒရိုဂျင်ပါအောက်ဆိုဒ်/ DI ရေ	NH4OH/H2O2/H2O 1:4:20; 80°C
သတ္တုများ (ကြေးနီမဟုတ်)	SC-2 (HPM)	Hydrochloric acid/hydrogen peroxide/DI ရေ	HCl/H2O2/H2O1:1:6; 85°C
	Piranha (SPM)	ဆာလဖျူရစ်အက်ဆစ်/ ဟိုက်ဒရိုဂျင်ပါအောက်ဆိုဒ်/DI ရေ	H2SO4/H2O2/H2O3-4:1; 90°C
	DHF	ဟိုက်ဒြိုရစ်အက်ဆစ်/DI ရေကို အပျော့စား (ကြေးနီကို ဖယ်ရှားမည်မဟုတ်ပါ)	HF/H2O1:50
အော်ဂဲနစ်	Piranha (SPM)	ဆာလဖျူရစ်အက်ဆစ်/ ဟိုက်ဒရိုဂျင်ပါအောက်ဆိုဒ်/DI ရေ	H2SO4/H2O2/H2O 3-4:1; 90°C
	SC-1 (APM)	အမိုနီယမ်ဟိုက်ဒရောဆိုဒ်/ ဟိုက်ဒရိုဂျင်ပါအောက်ဆိုဒ်/ DI ရေ	NH4OH/H2O2/H2O 1:4:20; 80°C
	DIO3	de-ionized water တွင် အိုဇုန်း	O3/H2O Optimized Mixtures
ဇာတိအောက်ဆိုဒ်	DHF	ဟိုက်ဒြိုရစ်အက်ဆစ်/DI ရေကို ဖျန်းပေးပါ။	HF/H2O 1:100
ဇာတိအောက်ဆိုဒ်	BHF	ခံနိုင်ရည်ရှိသော ဟိုက်ဒရိုဖလိုရစ်အက်ဆစ်	NH4F/HF/H2O

3. အသုံးများသော Wafer သန့်ရှင်းရေးနည်းလမ်းများ

1. RCA သန့်ရှင်းရေးနည်းလမ်း

RCA သန့်ရှင်းရေးနည်းလမ်းသည် လွန်ခဲ့သောနှစ်ပေါင်း 40 ကျော်က RCA Corporation မှတီထွင်ခဲ့သော တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးစက်လုပ်ငန်းတွင် ဂန္ထဝင်အရှိဆုံး wafer သန့်ရှင်းရေးနည်းပညာတစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤနည်းလမ်းကို အော်ဂဲနစ်ညစ်ညမ်းမှုနှင့် သတ္တုအိုင်းယွန်းအညစ်အကြေးများကို ဖယ်ရှားရန် အဓိကအသုံးပြုပြီး SC-1 (Standard Clean 1) နှင့် SC-2 (Standard Clean 2) အဆင့်နှစ်ဆင့်ဖြင့် ပြီးမြောက်နိုင်ပါသည်။

SC-1 သန့်ရှင်းရေး- ဤအဆင့်သည် အော်ဂဲနစ်ညစ်ညမ်းမှုနှင့် အမှုန်အမွှားများကို ဖယ်ရှားရန်အတွက် အဓိကအားဖြင့် အသုံးပြုပါသည်။ ဖြေရှင်းချက်သည် အမိုးနီးယား၊ ဟိုက်ဒရိုဂျင်ပါအောက်ဆိုဒ်နှင့် ရေတို့ကို ရောစပ်ထားပြီး wafer မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ပါးလွှာသော ဆီလီကွန်အောက်ဆိုဒ်အလွှာကို ဖွဲ့စည်းသည်။

SC-2 သန့်ရှင်းရေး- ဤအဆင့်သည် ဟိုက်ဒရိုကလိုရစ်အက်ဆစ်၊ ဟိုက်ဒရိုဂျင်ပါအောက်ဆိုဒ်နှင့် ရေတို့ကို ရောနှောအသုံးပြုကာ သတ္တုအိုင်းယွန်းအညစ်အကြေးများကို ဖယ်ရှားရန် အဓိကအသုံးပြုသည်။ ပြန်လည်ညစ်ညမ်းခြင်းမှကာကွယ်ရန် wafer မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ပါးလွှာသော passivation အလွှာကိုချန်ထားသည်။

2. Piranha သန့်ရှင်းရေးနည်းလမ်း (Piranha Etch Clean)

Piranha သန့်ရှင်းရေးနည်းလမ်းသည် ပုံမှန်အားဖြင့် 3:1 သို့မဟုတ် 4:1 အချိုးဖြင့် ဆာလဖူရစ်အက်ဆစ်နှင့် ဟိုက်ဒရိုဂျင်ပါအောက်ဆိုဒ် ရောစပ်ထားသော အော်ဂဲနစ်ပစ္စည်းများကို ဖယ်ရှားရန်အတွက် အလွန်ထိရောက်သောနည်းလမ်းဖြစ်သည်။ ဤဖြေရှင်းချက်၏ အလွန်ပြင်းထန်သော ဓာတ်တိုးဂုဏ်သတ္တိကြောင့်၊ ၎င်းသည် အော်ဂဲနစ်ဒြပ်ထုအများအပြားနှင့် ခိုင်မာသော ညစ်ညမ်းမှုကို ဖယ်ရှားနိုင်သည်။ ဤနည်းလမ်းသည် wafer ကိုမထိခိုက်စေရန်အထူးသဖြင့်အပူချိန်နှင့်အာရုံစူးစိုက်မှုဆိုင်ရာအခြေအနေများကိုတင်းကျပ်စွာထိန်းချုပ်ရန်လိုအပ်သည်။

Ultrasonic သန့်ရှင်းရေးလုပ်ခြင်းသည် wafer မျက်နှာပြင်မှ ညစ်ညမ်းမှုများကို ဖယ်ရှားရန်အတွက် အရည်ထဲတွင် ကြိမ်နှုန်းမြင့် အသံလှိုင်းများမှ ထုတ်ပေးသော cavitation effect ကို အသုံးပြုသည်။ သမားရိုးကျ ultrasonic သန့်ရှင်းရေးနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက megasonic သန့်ရှင်းရေးသည် ပိုမိုမြင့်မားသော ကြိမ်နှုန်းဖြင့် လုပ်ဆောင်ပြီး wafer မျက်နှာပြင်ကို မထိခိုက်စေဘဲ မိုက်ခရိုအရွယ် အမှုန်များကို ပိုမိုထိရောက်စွာ ဖယ်ရှားနိုင်စေပါသည်။

4. အိုဇုန်းသန့်စင်ခြင်း။

အိုဇုန်းသန့်စင်ခြင်းနည်းပညာသည် အိုဇုန်း၏ ပြင်းထန်သောဓာတ်တိုးဂုဏ်သတ္တိများကို အသုံးပြု၍ wafer မျက်နှာပြင်မှ အော်ဂဲနစ်ညစ်ညမ်းမှုများကို ဖယ်ရှားကာ နောက်ဆုံးတွင် အန္တရာယ်မရှိသော ကာဗွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်နှင့် ရေအဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲပေးပါသည်။ ဤနည်းလမ်းသည် စျေးကြီးသော ဓာတုဗေဒပစ္စည်းများကို အသုံးပြုရန် မလိုအပ်ဘဲ ပတ်ဝန်းကျင်ညစ်ညမ်းမှုကို လျော့နည်းစေကာ ၎င်းသည် wafer သန့်ရှင်းရေးနယ်ပယ်တွင် ထွန်းသစ်စနည်းပညာတစ်ခု ဖြစ်လာစေသည်။

4. Wafer သန့်ရှင်းရေးလုပ်ငန်းစဉ် စက်ပစ္စည်း

wafer သန့်ရှင်းရေး လုပ်ငန်းစဉ်များ၏ ထိရောက်မှုနှင့် ဘေးကင်းမှု သေချာစေရန်၊ အဆင့်မြင့် သန့်ရှင်းရေး ကိရိယာ အမျိုးမျိုးကို ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ထုတ်လုပ်ရေးတွင် အသုံးပြုပါသည်။ အဓိကအမျိုးအစားများပါဝင်သည်-

1. စိုစွတ်သော သန့်ရှင်းရေးပစ္စည်း

စိုစွတ်သော သန့်ရှင်းရေးကိရိယာများတွင် ရေမြှုပ်ကန်များ၊ ultrasonic သန့်ရှင်းရေးကန်များနှင့် လှည့်ဖျားမှုတ်စက်များ ပါဝင်သည်။ ဤစက်ပစ္စည်းများသည် wafer မျက်နှာပြင်မှ ညစ်ညမ်းမှုများကို ဖယ်ရှားရန်အတွက် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ စွမ်းအားများနှင့် ဓာတုဗေဒပစ္စည်းများ ပေါင်းစပ်ထားသည်။ ရေမြှုပ်ကန်များတွင် ဓာတုဗေဒဖြေရှင်းချက်များ၏ တည်ငြိမ်မှုနှင့် ထိရောက်မှုကို သေချာစေရန်အတွက် အပူချိန်ထိန်းစနစ်များ တပ်ဆင်ထားသည်။

2. အခြောက်ခံ သန့်ရှင်းရေး ကိရိယာ

အခြောက်ခံ သန့်ရှင်းရေး ပစ္စည်းများတွင် အဓိကအားဖြင့် wafer မျက်နှာပြင်မှ အကြွင်းအကျန်များနှင့် ဓာတ်ပြုရန် ပလာစမာရှိ စွမ်းအင်မြင့် အမှုန်အမွှားများကို အသုံးပြုသည့် ပလာစမာ သန့်စင်ဆေးများ ပါဝင်သည်။ ပလာစမာ သန့်ရှင်းရေးသည် ဓာတုဓာတ်ကြွင်းများကို မသုံးဘဲ မျက်နှာပြင် သမာဓိကို ထိန်းသိမ်းရန် လိုအပ်သော လုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် အထူးသင့်လျော်ပါသည်။

3. အလိုအလျောက် သန့်ရှင်းရေးစနစ်များ

ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ထုတ်လုပ်မှုကို စဉ်ဆက်မပြတ် ချဲ့ထွင်ခြင်းဖြင့် အလိုအလျောက် သန့်ရှင်းရေးစနစ်များသည် အကြီးစား wafer သန့်ရှင်းရေးအတွက် ဦးစားပေး ရွေးချယ်မှု ဖြစ်လာခဲ့သည်။ ဤစနစ်များတွင် wafer တစ်ခုစီအတွက် တသမတ်တည်း သန့်ရှင်းမှုရလဒ်များကို သေချာစေရန်အတွက် ဤစနစ်များတွင် အလိုအလျောက် လွှဲပြောင်းယန္တရားများ၊ တိုင်ကီ အများအပြား သန့်ရှင်းရေးစနစ်များနှင့် တိကျစွာ ထိန်းချုပ်မှုစနစ်များ ပါဝင်သည်။

5. အနာဂတ်ရေစီးကြောင်းများ

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများ ဆက်လက်ကျုံ့လာသည်နှင့်အမျှ wafer သန့်ရှင်းရေးနည်းပညာသည် ပိုမိုထိရောက်ပြီး ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် သဟဇာတဖြစ်မှုဖြေရှင်းချက်ဆီသို့ တိုးတက်ပြောင်းလဲလာသည်။ အနာဂတ် သန့်ရှင်းရေးနည်းပညာများကို အဓိကထားလုပ်ဆောင်သွားပါမည်။

နာနိုမီတာ အမှုန်အမွှားများကို ဖယ်ရှားခြင်း- လက်ရှိ သန့်ရှင်းမှုနည်းပညာများသည် နာနိုမီတာစကေးအမှုန်များကို ကိုင်တွယ်ဖြေရှင်းနိုင်သော်လည်း စက်အရွယ်အစားကို ထပ်မံလျှော့ချခြင်းဖြင့်၊ နာနိုမီတာခွဲအမှုန်များကို ဖယ်ရှားခြင်းသည် စိန်ခေါ်မှုအသစ်တစ်ခု ဖြစ်လာမည်ဖြစ်သည်။

အစိမ်းရောင်နှင့် ဂေဟစနစ်သဟဇာတဖြစ်သော သန့်ရှင်းရေး- ပတ်ဝန်းကျင်ကို အန္တရာယ်ဖြစ်စေသော ဓာတုပစ္စည်းများအသုံးပြုမှုကို လျှော့ချခြင်းနှင့် အိုဇုန်းသန့်စင်ခြင်းနှင့် ကြီးမားသောသန့်စင်ခြင်းကဲ့သို့သော ဂေဟစနစ်ဆိုင်ရာ သန့်ရှင်းရေးနည်းလမ်းများကို တီထွင်ခြင်းသည် ပို၍အရေးကြီးလာပါသည်။

ပိုမိုမြင့်မားသော အလိုအလျောက်စနစ်နှင့် ဥာဏ်ရည်ဥာဏ်သွေးအဆင့်များ- Intelligent စနစ်များသည် သန့်ရှင်းရေးလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း အမျိုးမျိုးသော ကန့်သတ်ဘောင်များကို အချိန်နှင့်တပြေးညီ စောင့်ကြည့်ချိန်ညှိနိုင်စေမည်ဖြစ်ပြီး သန့်ရှင်းမှုထိရောက်မှုနှင့် ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းဆောင်ရည်ကို ပိုမိုတိုးတက်စေသည်။

Wafer သန့်ရှင်းရေးနည်းပညာသည် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် အရေးပါသောခြေလှမ်းတစ်ခုအနေဖြင့်၊ နောက်ဆက်တွဲလုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် wafer မျက်နှာပြင်များကို သန့်ရှင်းစေရန်အတွက် အရေးကြီးသောအခန်းကဏ္ဍမှပါဝင်ပါသည်။ အမျိုးမျိုးသော သန့်ရှင်းရေးနည်းလမ်းများကို ပေါင်းစပ်ခြင်းဖြင့် ညစ်ညမ်းမှုများကို ထိရောက်စွာ ဖယ်ရှားပေးကာ နောက်တစ်ဆင့်အတွက် သန့်ရှင်းသော အလွှာမျက်နှာပြင်ကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ နည်းပညာတိုးတက်လာသည်နှင့်အမျှ၊ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် ပိုမိုတိကျမှုနှင့် ချို့ယွင်းမှုနှုန်းနိမ့်ကျမှုများအတွက် လိုအပ်ချက်များကိုဖြည့်ဆည်းရန် သန့်ရှင်းရေးလုပ်ငန်းစဉ်များကို ဆက်လက်လုပ်ဆောင်သွားပါမည်။

စာတိုက်အချိန်- အောက်တိုဘာ-၀၈-၂၀၂၄