သတင်း - ဝေဖာသန့်ရှင်းရေးအတွက် အခြေခံမူများ၊ လုပ်ငန်းစဉ်များ၊ နည်းလမ်းများနှင့် ပစ္စည်းကိရိယာများ

အစိုသန့်ရှင်းရေး (အစိုသန့်ရှင်းရေး) သည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များတွင် အရေးကြီးသောအဆင့်များထဲမှ တစ်ခုဖြစ်ပြီး ဝေဖာ၏မျက်နှာပြင်မှ ညစ်ညမ်းမှုအမျိုးမျိုးကို ဖယ်ရှားရန် ရည်ရွယ်ပြီး နောက်ဆက်တွဲလုပ်ငန်းစဉ်အဆင့်များကို သန့်ရှင်းသောမျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် လုပ်ဆောင်နိုင်စေရန် ရည်ရွယ်ပါသည်။

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများ၏ အရွယ်အစားသည် ဆက်လက်ကျုံ့သွားပြီး တိကျမှုလိုအပ်ချက်များ မြင့်တက်လာသည်နှင့်အမျှ ဝေဖာသန့်ရှင်းရေးလုပ်ငန်းစဉ်များ၏ နည်းပညာဆိုင်ရာလိုအပ်ချက်များသည် ပိုမိုတင်းကျပ်လာပါသည်။ ဝေဖာမျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ အသေးငယ်ဆုံးအမှုန်အမွှားများ၊ အော်ဂဲနစ်ပစ္စည်းများ၊ သတ္တုအိုင်းယွန်းများ သို့မဟုတ် အောက်ဆိုဒ်အကြွင်းအကျန်များပင် စက်ပစ္စည်းစွမ်းဆောင်ရည်ကို သိသိသာသာထိခိုက်စေနိုင်ပြီး ထို့ကြောင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများ၏ ထွက်နှုန်းနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို ထိခိုက်စေပါသည်။

ဝေဖာသန့်ရှင်းရေး၏ အဓိကမူများ

ဝေဖာသန့်ရှင်းရေး၏ အဓိကအချက်မှာ ဝေဖာမျက်နှာပြင်မှ ညစ်ညမ်းမှုအမျိုးမျိုးကို ထိရောက်စွာဖယ်ရှားခြင်းဖြစ်ပြီး ဝေဖာတွင် နောက်ဆက်တွဲလုပ်ဆောင်ရန်အတွက် သင့်လျော်သော သန့်ရှင်းသောမျက်နှာပြင်ရှိကြောင်း သေချာစေသည်။

ညစ်ညမ်းမှုအမျိုးအစား

စက်ပစ္စည်း၏ ဝိသေသလက္ခဏာများအပေါ် အဓိကလွှမ်းမိုးမှုများ

ဆောင်းပါးညစ်ညမ်းမှု		ပုံစံချို့ယွင်းချက်များ အိုင်းယွန်းထည့်သွင်းမှု ချို့ယွင်းချက်များ လျှပ်ကာအလွှာပျက်စီးခြင်းချို့ယွင်းချက်များ
သတ္တုညစ်ညမ်းမှု	အယ်ကာလီ သတ္တုများ	MOS ထရန်စစ္စတာ မတည်ငြိမ်မှု ဂိတ်အောက်ဆိုဒ် ဖလင် ပြိုကွဲခြင်း/ယိုယွင်းခြင်း
သတ္တုညစ်ညမ်းမှု	လေးလံသောသတ္တုများ	PN junction ပြောင်းပြန်ယိုစိမ့်မှု မြင့်တက်လာခြင်း ဂိတ်အောက်ဆိုဒ်ဖလင်ပြိုကွဲခြင်း ချို့ယွင်းချက်များ လူနည်းစု သယ်ဆောင်သူ တစ်သက်တာ ယိုယွင်းပျက်စီးခြင်း အောက်ဆိုဒ်လှုံ့ဆော်မှုအလွှာချို့ယွင်းမှုထုတ်လုပ်ခြင်း
ဓာတုဗေဒညစ်ညမ်းမှု	အော်ဂဲနစ်ပစ္စည်း	ဂိတ်အောက်ဆိုဒ်ဖလင်ပြိုကွဲခြင်း ချို့ယွင်းချက်များ CVD ဖလင်ကွဲပြားမှုများ (ပျိုးထောင်ချိန်) အပူအောက်ဆိုဒ်အလွှာအထူပြောင်းလဲမှုများ (အရှိန်မြှင့်ဓာတ်တိုးခြင်း) မှုန်ဝါးမှုဖြစ်ပေါ်ခြင်း (ဝေဖာ၊ မှန်ဘီလူး၊ မှန်၊ မျက်နှာဖုံး၊ ရက်တီကယ်)
	အော်ဂဲနစ်မဟုတ်သော ဒိုပန့်များ (B, P)	MOS ထရန်စစ္စတာ Vth အရွှေ့များ Si အောက်ခံနှင့် မြင့်မားသောခံနိုင်ရည်ရှိသော ပိုလီ-ဆီလီကွန်စာရွက် ခံနိုင်ရည်ကွဲပြားမှုများ
	အော်ဂဲနစ်မဟုတ်သော ဘေ့စ်များ (အမိုင်းများ၊ အမိုးနီးယား) နှင့် အက်ဆစ်များ (SOx)	ဓာတုဗေဒနည်းဖြင့် တိုးမြှင့်ထားသော ခုခံမှုများ၏ ရုပ်ထွက်အရည်အသွေး ယိုယွင်းလာခြင်း ဆားထုတ်လုပ်မှုကြောင့် အမှုန်အမွှားညစ်ညမ်းမှုနှင့် မြူခိုးများဖြစ်ပေါ်ခြင်း
	အစိုဓာတ်၊ လေကြောင့်ဖြစ်သော သဘာဝနှင့် ဓာတုအောက်ဆိုဒ်ဖလင်များ	ထိတွေ့မှုခံနိုင်ရည် မြင့်တက်လာခြင်း ဂိတ်အောက်ဆိုဒ် ဖလင် ပြိုကွဲခြင်း/ယိုယွင်းခြင်း

အထူးသဖြင့် wafer သန့်ရှင်းရေးလုပ်ငန်းစဉ်၏ ရည်ရွယ်ချက်များတွင် အောက်ပါတို့ ပါဝင်သည်-

အမှုန်ဖယ်ရှားခြင်း- ဝေဖာမျက်နှာပြင်တွင် တွယ်ကပ်နေသော အမှုန်ငယ်များကို ဖယ်ရှားရန် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ သို့မဟုတ် ဓာတုဗေဒနည်းလမ်းများကို အသုံးပြုခြင်း။ အမှုန်ငယ်များသည် ၎င်းတို့နှင့် ဝေဖာမျက်နှာပြင်ကြားရှိ ပြင်းထန်သော လျှပ်စစ်ဓာတ်အားများကြောင့် ဖယ်ရှားရန် ပိုမိုခက်ခဲပြီး အထူးဂရုစိုက်မှု လိုအပ်ပါသည်။

အော်ဂဲနစ်ပစ္စည်းများ ဖယ်ရှားခြင်း- အဆီနှင့် ဖိုတိုရီဆစ် အကြွင်းအကျန်များကဲ့သို့သော အော်ဂဲနစ် ညစ်ညမ်းပစ္စည်းများသည် ဝေဖာမျက်နှာပြင်တွင် ကပ်နေနိုင်သည်။ ဤညစ်ညမ်းပစ္စည်းများကို အောက်ဆီဒေးရှင်းအားကောင်းသော အေးဂျင့်များ သို့မဟုတ် ပျော်ရည်များကို အသုံးပြု၍ ဖယ်ရှားလေ့ရှိသည်။

သတ္တုအိုင်းယွန်းဖယ်ရှားခြင်း- ဝေဖာမျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ သတ္တုအိုင်းယွန်းအကြွင်းအကျန်များသည် လျှပ်စစ်စွမ်းဆောင်ရည်ကို ယိုယွင်းစေပြီး နောက်ဆက်တွဲ လုပ်ငန်းစဉ်အဆင့်များကိုပင် ထိခိုက်စေနိုင်သည်။ ထို့ကြောင့် ဤအိုင်းယွန်းများကို ဖယ်ရှားရန် သီးခြားဓာတုဗေဒအရည်များကို အသုံးပြုသည်။

အောက်ဆိုဒ် ဖယ်ရှားခြင်း- အချို့သော လုပ်ငန်းစဉ်များသည် ဝေဖာမျက်နှာပြင်တွင် ဆီလီကွန်အောက်ဆိုဒ်ကဲ့သို့သော အောက်ဆိုဒ်အလွှာများ ကင်းစင်ရန် လိုအပ်သည်။ ထိုကဲ့သို့သောကိစ္စများတွင်၊ သဘာဝအောက်ဆိုဒ်အလွှာများကို သန့်ရှင်းရေးအဆင့်အချို့အတွင်း ဖယ်ရှားရန် လိုအပ်သည်။

ဝေဖာသန့်ရှင်းရေးနည်းပညာ၏ စိန်ခေါ်မှုမှာ မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းခြင်း၊ ချေးခြင်း သို့မဟုတ် အခြားရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာပျက်စီးမှုများကို ကာကွယ်ခြင်းကဲ့သို့သော ဝေဖာမျက်နှာပြင်ကို ဆိုးကျိုးမသက်ရောက်စေဘဲ ညစ်ညမ်းပစ္စည်းများကို ထိရောက်စွာဖယ်ရှားခြင်းဖြစ်သည်။

၂။ ဝေဖာသန့်ရှင်းရေးလုပ်ငန်းစဉ်စီးဆင်းမှု

ဝေဖာသန့်ရှင်းရေးလုပ်ငန်းစဉ်တွင် ညစ်ညမ်းပစ္စည်းများကို လုံးဝဖယ်ရှားပြီး လုံးဝသန့်ရှင်းသောမျက်နှာပြင်ရရှိရန် အဆင့်များစွာပါဝင်လေ့ရှိသည်။

ပုံ- Batch-Type နှင့် Single-Wafer သန့်ရှင်းရေး နှိုင်းယှဉ်ချက်

ပုံမှန် wafer သန့်ရှင်းရေးလုပ်ငန်းစဉ်တွင် အောက်ပါအဓိကအဆင့်များ ပါဝင်သည်-

၁။ ကြိုတင်သန့်ရှင်းရေး (ကြိုတင်သန့်ရှင်းရေး)

ကြိုတင်သန့်ရှင်းရေးလုပ်ခြင်း၏ ရည်ရွယ်ချက်မှာ ဝေဖာမျက်နှာပြင်မှ လျော့ရဲနေသော အညစ်အကြေးများနှင့် အမှုန်အမွှားကြီးများကို ဖယ်ရှားရန်ဖြစ်ပြီး၊ ၎င်းကို များသောအားဖြင့် အိုင်းယွန်းဓာတ်ကင်းစင်သောရေ (DI ရေ) ဆေးကြောခြင်းနှင့် အသံလှိုင်းဖြင့် သန့်ရှင်းရေးလုပ်ခြင်းတို့ဖြင့် ပြုလုပ်လေ့ရှိသည်။ အိုင်းယွန်းဓာတ်ကင်းစင်သောရေသည် ဝေဖာမျက်နှာပြင်မှ အမှုန်အမွှားများနှင့် ပျော်ဝင်နေသော မသန့်စင်မှုများကို ကနဦးတွင် ဖယ်ရှားပေးနိုင်ပြီး အသံလှိုင်းဖြင့် သန့်ရှင်းရေးလုပ်ခြင်းသည် အမှုန်အမွှားများနှင့် ဝေဖာမျက်နှာပြင်ကြားရှိ နှောင်ကြိုးကို ဖြတ်တောက်ရန် cavitation အာနိသင်များကို အသုံးပြုပြီး ၎င်းတို့ကို လွင့်စင်ရန် ပိုမိုလွယ်ကူစေသည်။

၂။ ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ သန့်ရှင်းရေး

ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ သန့်ရှင်းရေးသည် ဝေဖာသန့်ရှင်းရေးလုပ်ငန်းစဉ်၏ အဓိကအဆင့်များထဲမှ တစ်ခုဖြစ်ပြီး ဝေဖာမျက်နှာပြင်မှ အော်ဂဲနစ်ပစ္စည်းများ၊ သတ္တုအိုင်းယွန်းများနှင့် အောက်ဆိုဒ်များကို ဖယ်ရှားရန် ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ ပျော်ရည်များကို အသုံးပြုသည်။

အော်ဂဲနစ်ပစ္စည်းများ ဖယ်ရှားခြင်း- ပုံမှန်အားဖြင့် အက်စီတုန်း သို့မဟုတ် အမိုးနီးယား/ပါအောက်ဆိုဒ် ရောစပ်ထားသော အရောအနှော (SC-1) ကို အော်ဂဲနစ် ညစ်ညမ်းပစ္စည်းများကို ပျော်ဝင်စေပြီး အောက်ဆီဒေးရှင်းဖြစ်စေရန် အသုံးပြုသည်။ SC-1 ပျော်ရည်အတွက် ပုံမှန်အချိုးမှာ NH₄OH ဖြစ်သည်။

₂O₂

₂O = 1:1:5၊ အလုပ်လုပ်သည့် အပူချိန် 20°C ခန့်ရှိသည်။

သတ္တုအိုင်းယွန်းဖယ်ရှားခြင်း- နိုက်ထရစ်အက်ဆစ် သို့မဟုတ် ဟိုက်ဒရိုကလိုရစ်အက်ဆစ်/ပါအောက်ဆိုဒ်အရောအနှောများ (SC-2) ကို ဝေဖာမျက်နှာပြင်မှ သတ္တုအိုင်းယွန်းများကို ဖယ်ရှားရန် အသုံးပြုသည်။ SC-2 ပျော်ရည်အတွက် ပုံမှန်အချိုးမှာ HCl ဖြစ်သည်။

₂O₂

₂O = 1:1:6၊ အပူချိန်ကို 80°C ခန့်တွင် ထိန်းသိမ်းထားရှိသည်။

အောက်ဆိုဒ်ဖယ်ရှားခြင်း- အချို့သောလုပ်ငန်းစဉ်များတွင်၊ wafer မျက်နှာပြင်မှ မူလအောက်ဆိုဒ်အလွှာကို ဖယ်ရှားရန် လိုအပ်ပြီး၊ ၎င်းအတွက် hydrofluoric acid (HF) ပျော်ရည်ကို အသုံးပြုသည်။ HF ပျော်ရည်အတွက် ပုံမှန်အချိုးမှာ HF ဖြစ်သည်။

₂O = 1:50 ဖြစ်ပြီး အခန်းအပူချိန်တွင် အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။

၃။ နောက်ဆုံးသန့်ရှင်းရေး

ဓာတုဗေဒနည်းဖြင့် သန့်စင်ပြီးနောက်၊ ဝေဖာများသည် မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ဓာတုဗေဒအကြွင်းအကျန်များ မကျန်ရှိစေရန် နောက်ဆုံးသန့်စင်မှုအဆင့်ကို လုပ်ဆောင်လေ့ရှိသည်။ နောက်ဆုံးသန့်စင်မှုတွင် အဓိကအားဖြင့် အိုင်းယွန်းကင်းစင်သောရေကို သေချာစွာဆေးကြောရန်အတွက် အသုံးပြုသည်။ ထို့အပြင်၊ အိုဇုန်းရေသန့်စင်ခြင်း (O₃/H₂O) ကို ဝေဖာမျက်နှာပြင်မှ ကျန်ရှိနေသော အညစ်အကြေးများကို ပိုမိုဖယ်ရှားရန် အသုံးပြုသည်။

၄။ အခြောက်ခံခြင်း

ရေစာများ သို့မဟုတ် ညစ်ညမ်းပစ္စည်းများ ပြန်လည်ကပ်ငြိခြင်းမှ ကာကွယ်ရန်အတွက် သန့်စင်ထားသော ဝေဖာများကို အမြန်ခြောက်အောင်သုတ်ရမည်။ အသုံးများသော အခြောက်ခံနည်းလမ်းများတွင် လှည့်၍အခြောက်ခံခြင်းနှင့် နိုက်ထရိုဂျင်သန့်စင်ခြင်းတို့ ပါဝင်သည်။ ပထမနည်းလမ်းမှာ မြန်နှုန်းမြင့်လှည့်ခြင်းဖြင့် ဝေဖာမျက်နှာပြင်မှ အစိုဓာတ်ကို ဖယ်ရှားပေးပြီး၊ နောက်နည်းလမ်းမှာ ဝေဖာမျက်နှာပြင်တစ်လျှောက် နိုက်ထရိုဂျင်ဓာတ်ငွေ့ကို မှုတ်ထုတ်ခြင်းဖြင့် လုံးဝခြောက်သွေ့စေပါသည်။

ညစ်ညမ်းစေသောပစ္စည်း

သန့်ရှင်းရေးလုပ်ငန်းစဉ်အမည်

ဓာတုဗေဒ ရောစပ်ပုံ ဖော်ပြချက်

ဓာတုပစ္စည်းများ


အမှုန်များ	ပီရန်ညာ (SPM)	ဆာလဖျူရစ်အက်ဆစ်/ဟိုက်ဒရိုဂျင်ပါအောက်ဆိုဒ်/DI ရေ	H2SO4/H2O2/H2O ၃-၄:၁; ၉၀°C
အမှုန်များ	SC-1 (APM)	အမိုးနီယမ်ဟိုက်ဒရောက်ဆိုဒ်/ဟိုက်ဒရိုဂျင်ပါအောက်ဆိုဒ်/DI ရေ	NH4OH/H2O2/H2O ၁:၄:၂၀; ၈၀°C
သတ္တုများ (ကြေးနီမဟုတ်ပါ)	SC-၂ (HPM)	ဟိုက်ဒရိုကလိုရစ်အက်ဆစ်/ဟိုက်ဒရိုဂျင်ပါအောက်ဆိုဒ်/DI ရေ	HCl/H2O2/H2O1:1:6; ၈၅°C
	ပီရန်ညာ (SPM)	ဆာလဖျူရစ်အက်ဆစ်/ဟိုက်ဒရိုဂျင်ပါအောက်ဆိုဒ်/DI ရေ	H2SO4/H2O2/H2O3-4:1; ၉၀°C
	DHF	ဟိုက်ဒရိုဖလိုရစ်အက်ဆစ်/DI ရေကို ရောစပ်ပါ (ကြေးနီကို မဖယ်ရှားနိုင်ပါ)	HF/H2O1:50
အော်ဂဲနစ်များ	ပီရန်ညာ (SPM)	ဆာလဖျူရစ်အက်ဆစ်/ဟိုက်ဒရိုဂျင်ပါအောက်ဆိုဒ်/DI ရေ	H2SO4/H2O2/H2O ၃-၄:၁; ၉၀°C
	SC-1 (APM)	အမိုးနီယမ်ဟိုက်ဒရောက်ဆိုဒ်/ဟိုက်ဒရိုဂျင်ပါအောက်ဆိုဒ်/DI ရေ	NH4OH/H2O2/H2O ၁:၄:၂၀; ၈၀°C
	DIO3	အိုင်းယွန်ဓာတ် ကင်းစင်သောရေတွင် အိုဇုန်း	O3/H2O အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် ပြုလုပ်ထားသော ရောစပ်မှုများ
မူလအောက်ဆိုဒ်	DHF	ဟိုက်ဒရိုဖလိုရစ်အက်ဆစ်/DI ရေကို ရောစပ်ပါ	HF/H2O ၁:၁၀၀
မူလအောက်ဆိုဒ်	ဘီအိပ်ချ်အက်ဖ်	buffered hydrofluoric acid	NH4F/HF/H2O

၃။ အသုံးများသော ဝေဖာသန့်ရှင်းရေးနည်းလမ်းများ

၁။ RCA သန့်ရှင်းရေးနည်းလမ်း

RCA သန့်ရှင်းရေးနည်းလမ်းသည် semiconductor လုပ်ငန်းတွင် အထင်ရှားဆုံး wafer သန့်ရှင်းရေးနည်းစနစ်များထဲမှ တစ်ခုဖြစ်ပြီး၊ RCA Corporation မှ လွန်ခဲ့သောနှစ်ပေါင်း ၄၀ ကျော်က တီထွင်ခဲ့သည်။ ဤနည်းလမ်းကို အော်ဂဲနစ်ညစ်ညမ်းပစ္စည်းများနှင့် သတ္တုအိုင်းယွန်းမသန့်စင်မှုများကို ဖယ်ရှားရန်အတွက် အဓိကအသုံးပြုပြီး အဆင့်နှစ်ဆင့်ဖြင့် ပြီးမြောက်နိုင်သည်- SC-1 (Standard Clean 1) နှင့် SC-2 (Standard Clean 2)။

SC-1 သန့်ရှင်းရေး- ဤအဆင့်ကို အဓိကအားဖြင့် အော်ဂဲနစ်ညစ်ညမ်းမှုများနှင့် အမှုန်အမွှားများကို ဖယ်ရှားရန်အတွက် အသုံးပြုသည်။ ပျော်ရည်သည် အမိုးနီးယား၊ ဟိုက်ဒရိုဂျင်ပါအောက်ဆိုဒ်နှင့် ရေတို့ ရောစပ်ထားပြီး ဝေဖာမျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ပါးလွှာသော ဆီလီကွန်အောက်ဆိုဒ်အလွှာကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်။

SC-2 သန့်ရှင်းရေး- ဤအဆင့်ကို ဟိုက်ဒရိုကလိုရစ်အက်ဆစ်၊ ဟိုက်ဒရိုဂျင်ပါအောက်ဆိုဒ်နှင့် ရေတို့ကို ရောစပ်အသုံးပြု၍ သတ္တုအိုင်းယွန်းညစ်ညမ်းမှုများကို ဖယ်ရှားရန်အတွက် အဓိကအသုံးပြုသည်။ ၎င်းသည် ပြန်လည်ညစ်ညမ်းမှုကို ကာကွယ်ရန် wafer မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ပါးလွှာသော passivation အလွှာတစ်ခုကို ချန်ထားခဲ့သည်။

၂။ ပီရန်ဟာ သန့်ရှင်းရေးနည်းလမ်း (ပီရန်ဟာ အက်ချ် သန့်စင်ခြင်း)

Piranha သန့်ရှင်းရေးနည်းလမ်းသည် ဆာလဖျူရစ်အက်ဆစ်နှင့် ဟိုက်ဒရိုဂျင်ပါအောက်ဆိုဒ် ရောစပ်ထားသော အရည်ကို အသုံးပြု၍ အော်ဂဲနစ်ပစ္စည်းများကို ဖယ်ရှားရန်အတွက် အလွန်ထိရောက်သော နည်းပညာတစ်ခုဖြစ်ပြီး ပုံမှန်အားဖြင့် 3:1 သို့မဟုတ် 4:1 အချိုးဖြင့် အသုံးပြုလေ့ရှိသည်။ ဤအရည်၏ အလွန်အားကောင်းသော အောက်ဆီဒေးရှင်းဂုဏ်သတ္တိများကြောင့် အော်ဂဲနစ်ပစ္စည်းများစွာနှင့် ခေါင်းမာသော ညစ်ညမ်းပစ္စည်းများကို ဖယ်ရှားနိုင်သည်။ ဤနည်းလမ်းသည် ဝေဖာကို မပျက်စီးစေရန်အတွက် အထူးသဖြင့် အပူချိန်နှင့် အာရုံစူးစိုက်မှုအရ အခြေအနေများကို တင်းကျပ်စွာ ထိန်းချုပ်ရန် လိုအပ်ပါသည်။

Ultrasonic သန့်ရှင်းရေးသည် wafer မျက်နှာပြင်မှ အညစ်အကြေးများကို ဖယ်ရှားရန် အရည်ရှိ မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းအသံလှိုင်းများမှ ထုတ်ပေးသော cavitation effect ကို အသုံးပြုသည်။ ရိုးရာ ultrasonic သန့်ရှင်းရေးနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက megasonic သန့်ရှင်းရေးသည် ပိုမိုမြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းဖြင့် လုပ်ဆောင်ပြီး wafer မျက်နှာပြင်ကို မပျက်စီးစေဘဲ sub-micron အရွယ်အစားရှိသော အမှုန်များကို ပိုမိုထိရောက်စွာ ဖယ်ရှားနိုင်စေပါသည်။

၄။ အိုဇုန်းလွှာ သန့်ရှင်းရေး

အိုဇုန်းသန့်စင်နည်းပညာသည် အိုဇုန်း၏ ပြင်းထန်သော အောက်ဆီဒေးရှင်းဂုဏ်သတ္တိများကို အသုံးပြု၍ ဝေဖာမျက်နှာပြင်မှ အော်ဂဲနစ်ညစ်ညမ်းပစ္စည်းများကို ပြိုကွဲစေပြီး ဖယ်ရှားပေးကာ နောက်ဆုံးတွင် အန္တရာယ်မရှိသော ကာဗွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ်နှင့် ရေအဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲပေးပါသည်။ ဤနည်းလမ်းသည် စျေးကြီးသော ဓာတုပစ္စည်းများကို အသုံးပြုရန် မလိုအပ်ဘဲ ပတ်ဝန်းကျင်ညစ်ညမ်းမှု နည်းပါးစေသောကြောင့် ဝေဖာသန့်ရှင်းရေးနယ်ပယ်တွင် ပေါ်ထွက်လာသော နည်းပညာတစ်ခုဖြစ်လာသည်။

၄။ ဝေဖာသန့်ရှင်းရေးလုပ်ငန်းစဉ်ပစ္စည်းကိရိယာများ

ဝေဖာသန့်ရှင်းရေးလုပ်ငန်းစဉ်များ၏ ထိရောက်မှုနှင့် ဘေးကင်းမှုကို သေချာစေရန်အတွက်၊ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုတွင် အဆင့်မြင့်သန့်ရှင်းရေးပစ္စည်းကိရိယာအမျိုးမျိုးကို အသုံးပြုပါသည်။ အဓိကအမျိုးအစားများတွင် အောက်ပါတို့ပါဝင်သည်-

၁။ စိုစွတ်သော သန့်ရှင်းရေးပစ္စည်းကိရိယာများ

စိုစွတ်သော သန့်ရှင်းရေး ပစ္စည်းကိရိယာများတွင် အမျိုးမျိုးသော နှစ်မြှုပ်ကန်များ၊ အာထရာဆောင်း သန့်ရှင်းရေး ကန်များနှင့် လှည့်အခြောက်ခံစက်များ ပါဝင်သည်။ ဤပစ္စည်းများသည် ဝေဖာမျက်နှာပြင်မှ ညစ်ညမ်းမှုများကို ဖယ်ရှားရန် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ အားများနှင့် ဓာတုဓာတ်ကူပစ္စည်းများကို ပေါင်းစပ်ထားသည်။ နှစ်မြှုပ်ကန်များကို ဓာတုဗေဒ အရည်များ၏ တည်ငြိမ်မှုနှင့် ထိရောက်မှုကို သေချာစေရန်အတွက် အပူချိန်ထိန်းချုပ်မှုစနစ်များ တပ်ဆင်ထားလေ့ရှိသည်။

၂။ ခြောက်သွေ့စွာ သန့်ရှင်းရေးလုပ်သည့် ပစ္စည်းကိရိယာများ

ခြောက်သွေ့စွာ သန့်ရှင်းရေးလုပ်သည့် စက်ပစ္စည်းများတွင် အဓိကအားဖြင့် ပလာစမာ သန့်စင်စက်များ ပါဝင်ပြီး ၎င်းတို့သည် ဝေဖာမျက်နှာပြင်မှ အကြွင်းအကျန်များနှင့် ဓာတ်ပြုပြီး ဖယ်ရှားရန် ပလာစမာရှိ မြင့်မားသော စွမ်းအင်အမှုန်များကို အသုံးပြုသည်။ ပလာစမာ သန့်စင်ခြင်းသည် ဓာတုအကြွင်းအကျန်များ မထည့်သွင်းဘဲ မျက်နှာပြင်၏ တည်တံ့ခိုင်မြဲမှုကို ထိန်းသိမ်းရန် လိုအပ်သော လုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် အထူးသင့်လျော်ပါသည်။

၃။ အလိုအလျောက် သန့်ရှင်းရေးစနစ်များ

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှု စဉ်ဆက်မပြတ်တိုးချဲ့လာခြင်းနှင့်အတူ အလိုအလျောက်သန့်ရှင်းရေးစနစ်များသည် ကြီးမားသောဝေဖာသန့်ရှင်းရေးအတွက် ဦးစားပေးရွေးချယ်မှုဖြစ်လာခဲ့သည်။ ဤစနစ်များတွင် အလိုအလျောက်လွှဲပြောင်းယန္တရားများ၊ ဘက်စုံသန့်ရှင်းရေးစနစ်များနှင့် တိကျထိန်းချုပ်မှုစနစ်များ ပါဝင်လေ့ရှိပြီး ဝေဖာတစ်ခုစီအတွက် တသမတ်တည်းသန့်ရှင်းရေးရလဒ်များကို သေချာစေသည်။

၅။ အနာဂတ်ခေတ်ရေစီးကြောင်းများ

တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများ ဆက်လက်ကျုံ့သွားသည်နှင့်အမျှ ဝေဖာသန့်ရှင်းရေးနည်းပညာသည် ပိုမိုထိရောက်ပြီး ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် သဟဇာတဖြစ်သော ဖြေရှင်းချက်များဆီသို့ တိုးတက်ပြောင်းလဲလာပါသည်။ အနာဂတ်သန့်ရှင်းရေးနည်းပညာများသည် အောက်ပါတို့ကို အာရုံစိုက်ပါမည်-

နာနိုမီတာအောက် အမှုန်အမွှားများ ဖယ်ရှားခြင်း- ရှိပြီးသား သန့်ရှင်းရေးနည်းပညာများသည် နာနိုမီတာစကေး အမှုန်အမွှားများကို ကိုင်တွယ်နိုင်သော်လည်း စက်ပစ္စည်းအရွယ်အစား ပိုမိုလျှော့ချလာသည်နှင့်အမျှ နာနိုမီတာအောက် အမှုန်အမွှားများကို ဖယ်ရှားခြင်းသည် စိန်ခေါ်မှုအသစ်တစ်ခု ဖြစ်လာလိမ့်မည်။

စိမ်းလန်းပြီး ဂေဟစနစ်နှင့် သဟဇာတဖြစ်သော သန့်ရှင်းရေး- ပတ်ဝန်းကျင်ကို ထိခိုက်စေသော ဓာတုပစ္စည်းများ အသုံးပြုမှုကို လျှော့ချခြင်းနှင့် အိုဇုန်းသန့်ရှင်းရေးနှင့် မီဂါဆွန်းနစ် သန့်ရှင်းရေးကဲ့သို့သော ပိုမိုဂေဟစနစ်နှင့် သဟဇာတဖြစ်သော သန့်ရှင်းရေးနည်းလမ်းများ တီထွင်ခြင်းသည် ပိုမိုအရေးကြီးလာမည်ဖြစ်သည်။

အလိုအလျောက်လုပ်ဆောင်ခြင်းနှင့် ဉာဏ်ရည်ထက်မြက်ခြင်း အဆင့်မြင့်မားခြင်း- ဉာဏ်ရည်ထက်မြက်သော စနစ်များသည် သန့်ရှင်းရေးလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း အမျိုးမျိုးသော ကန့်သတ်ချက်များကို အချိန်နှင့်တပြေးညီ စောင့်ကြည့်ခြင်းနှင့် ချိန်ညှိခြင်းကို ပြုလုပ်နိုင်စေမည်ဖြစ်ပြီး သန့်ရှင်းရေး၏ ထိရောက်မှုနှင့် ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းဆောင်ရည်ကို ပိုမိုတိုးတက်စေမည်ဖြစ်သည်။

ဝေဖာသန့်ရှင်းရေးနည်းပညာသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုတွင် အရေးကြီးသောခြေလှမ်းတစ်ခုအနေဖြင့် နောက်ဆက်တွဲလုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် သန့်ရှင်းသောဝေဖာမျက်နှာပြင်များကို သေချာစေရန် အရေးကြီးသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်သည်။ သန့်ရှင်းရေးနည်းလမ်းအမျိုးမျိုးပေါင်းစပ်ခြင်းသည် အညစ်အကြေးများကို ထိရောက်စွာဖယ်ရှားပေးပြီး နောက်တစ်ဆင့်အတွက် သန့်ရှင်းသောအောက်ခံမျက်နှာပြင်ကို ပေးစွမ်းသည်။ နည်းပညာတိုးတက်လာသည်နှင့်အမျှ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုတွင် ပိုမိုတိကျမှုနှင့် ချို့ယွင်းချက်နှုန်းနည်းပါးမှုတို့အတွက် လိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းရန် သန့်ရှင်းရေးလုပ်ငန်းစဉ်များကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် ဆက်လက်လုပ်ဆောင်သွားမည်ဖြစ်သည်။

ပို့စ်တင်ချိန်: အောက်တိုဘာ-၀၈-၂၀၂၄