သတင်းများ

  • အပူပျံ့နှံ့စေသောပစ္စည်းများကိုပြောင်းလဲပါ။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာဝယ်လိုအားပေါက်ကွဲရန်အဆင်သင့်ဖြစ်နေပါပြီ။

    အပူပျံ့နှံ့စေသောပစ္စည်းများကိုပြောင်းလဲပါ။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာဝယ်လိုအားပေါက်ကွဲရန်အဆင်သင့်ဖြစ်နေပါပြီ။

    အကြောင်းအရာများစာရင်း ၁။ AI ချစ်ပ်များတွင် အပူပျံ့နှံ့မှု အတားအဆီးနှင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပစ္စည်းများ၏ အောင်မြင်မှု ၂။ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာများ၏ ဝိသေသလက္ခဏာများနှင့် နည်းပညာဆိုင်ရာ အားသာချက်များ ၃။ NVIDIA နှင့် TSMC မှ မဟာဗျူဟာမြောက် အစီအစဉ်များနှင့် ပူးပေါင်းဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှု ၄။ အကောင်အထည်ဖော်မှုလမ်းကြောင်းနှင့် အဓိကနည်းပညာ...
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • ၁၂ လက်မ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဒ် ဝေဖာ လေဆာ မြှင့်တင်ခြင်း နည်းပညာတွင် အဓိက တိုးတက်မှု

    ၁၂ လက်မ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဒ် ဝေဖာ လေဆာ မြှင့်တင်ခြင်း နည်းပညာတွင် အဓိက တိုးတက်မှု

    အကြောင်းအရာများစာရင်း ၁။ ၁၂ လက်မအရွယ် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဒ် ဝေဖာလေဆာ မြှင့်တင်နည်းပညာတွင် အဓိကအောင်မြင်မှု ၂။ SiC စက်မှုလုပ်ငန်းဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုအတွက် နည်းပညာအောင်မြင်မှု၏ အရေးပါမှုများစွာ ၃။ အနာဂတ်အလားအလာများ- XKH ၏ ဘက်စုံဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့် စက်မှုလုပ်ငန်းပူးပေါင်းဆောင်ရွက်မှု မကြာသေးမီက...
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • ခေါင်းစဉ်: ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်ရေးမှာ FOUP ဆိုတာဘာလဲ။

    ခေါင်းစဉ်: ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်ရေးမှာ FOUP ဆိုတာဘာလဲ။

    မာတိကာ ၁။​ FOUP ၏ ခြုံငုံသုံးသပ်ချက်နှင့် အဓိကလုပ်ဆောင်ချက်များ ၂။​ FOUP ၏ ဖွဲ့စည်းပုံနှင့် ဒီဇိုင်းအင်္ဂါရပ်များ ၃။​ FOUP ၏ အမျိုးအစားခွဲခြားခြင်းနှင့် အသုံးချလမ်းညွှန်ချက်များ ၄။​ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်ရေးတွင် FOUP ၏ လုပ်ငန်းလည်ပတ်မှုနှင့် အရေးပါမှု ၅။​ နည်းပညာဆိုင်ရာ စိန်ခေါ်မှုများနှင့် အနာဂတ် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှု လမ်းကြောင်းများ ၆။​ XKH ၏ ဖောက်သည်...
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်ရေးတွင် ဝေဖာ သန့်ရှင်းရေးနည်းပညာ

    တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်ရေးတွင် ဝေဖာ သန့်ရှင်းရေးနည်းပညာ

    တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ရာတွင် ဝေဖာသန့်ရှင်းရေးနည်းပညာ ဝေဖာသန့်ရှင်းရေးသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုလုံးတွင် အရေးကြီးသောအဆင့်တစ်ခုဖြစ်ပြီး စက်ပစ္စည်းစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ထုတ်လုပ်မှုအထွက်နှုန်းကို တိုက်ရိုက်အကျိုးသက်ရောက်စေသော အဓိကအချက်များထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။ ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်နေစဉ်အတွင်း အနည်းငယ်သောညစ်ညမ်းမှုပင် ...
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • ဝေဖာသန့်ရှင်းရေးနည်းပညာများနှင့် နည်းပညာဆိုင်ရာစာရွက်စာတမ်းများ​

    ဝေဖာသန့်ရှင်းရေးနည်းပညာများနှင့် နည်းပညာဆိုင်ရာစာရွက်စာတမ်းများ​

    မာတိကာ ၁။​ အဓိကရည်မှန်းချက်များနှင့် ဝေဖာသန့်ရှင်းရေး၏ အရေးပါမှု​ ၂။ ညစ်ညမ်းမှုအကဲဖြတ်ခြင်းနှင့် အဆင့်မြင့်ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာနည်းစနစ်များ​ ၃။ အဆင့်မြင့်သန့်ရှင်းရေးနည်းလမ်းများနှင့် နည်းပညာဆိုင်ရာမူများ​ ၄။ နည်းပညာအကောင်အထည်ဖော်မှုနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်ထိန်းချုပ်မှု အခြေခံများ​ ၅။​ အနာဂတ်ခေတ်ရေစီးကြောင်းများနှင့် ဆန်းသစ်သောဦးတည်ချက်များ​ ၆။​ X...
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • လတ်လတ်ဆတ်ဆတ် ကြီးထွားလာသော တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲများ

    လတ်လတ်ဆတ်ဆတ် ကြီးထွားလာသော တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲများ

    တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲများသည် သဘာဝတွင် ရှားပါးပြီး ၎င်းတို့ဖြစ်ပေါ်လာသည့်အခါတွင်ပင် ၎င်းတို့သည် မီလီမီတာ (မီလီမီတာ) စကေးတွင် အလွန်သေးငယ်ပြီး ရယူရန် ခက်ခဲပါသည်။ စိန်များ၊ မြများ၊ အဂိတ်များ စသည်တို့ကို အစီရင်ခံစာတင်ထားပြီး ယေဘုယျအားဖြင့် ဈေးကွက်သို့ မဝင်ရောက်ပါ၊ စက်မှုလုပ်ငန်းဆိုင်ရာ အသုံးချမှုများကိုသာ မဆိုထားနှင့်။ အများစုကို ပြသထားသည် ...
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • အသန့်စင်ဆုံး အလူမီနာ၏ အကြီးဆုံးဝယ်ယူသူ- နီလာအကြောင်း သင်မည်မျှသိသနည်း။

    အသန့်စင်ဆုံး အလူမီနာ၏ အကြီးဆုံးဝယ်ယူသူ- နီလာအကြောင်း သင်မည်မျှသိသနည်း။

    နီလာကျောက်မျက်ရတနာများကို ၉၉.၉၉၅% > သန့်စင်မှုရှိသော မြင့်မားသော အလူမီနာအမှုန့်မှ စိုက်ပျိုးထုတ်လုပ်ထားပြီး မြင့်မားသော အလူမီနာအတွက် အကြီးမားဆုံး လိုအပ်ချက်ရှိသော ဧရိယာဖြစ်သည်။ ၎င်းတို့သည် မြင့်မားသော အစွမ်းသတ္တိ၊ မြင့်မားသော မာကျောမှုနှင့် တည်ငြိမ်သော ဓာတုဂုဏ်သတ္တိများကို ပြသထားပြီး မြင့်မားသော အပူချိန်ကဲ့သို့သော ကြမ်းတမ်းသောပတ်ဝန်းကျင်များတွင် လည်ပတ်နိုင်စေပါသည်။
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • ဝေဖာတွေမှာ TTV၊ BOW၊ WARP နဲ့ TIR တွေက ဘာကိုဆိုလိုတာလဲ။

    ဝေဖာတွေမှာ TTV၊ BOW၊ WARP နဲ့ TIR တွေက ဘာကိုဆိုလိုတာလဲ။

    အခြားပစ္စည်းများဖြင့်ပြုလုပ်ထားသော semiconductor silicon wafers သို့မဟုတ် substrates များကိုစစ်ဆေးသောအခါ၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် TTV၊ BOW၊ WARP နှင့် TIR၊ STIR၊ LTV ကဲ့သို့သော နည်းပညာဆိုင်ရာညွှန်းကိန်းများနှင့် မကြာခဏကြုံတွေ့ရလေ့ရှိသည်။ ၎င်းတို့သည် မည်သည့် parameters များကိုကိုယ်စားပြုသနည်း။ TTV — စုစုပေါင်းအထူပြောင်းလဲမှု BOW — Bow WARP — Warp TIR — ...
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုအတွက် အဓိကကုန်ကြမ်းပစ္စည်းများ- ဝေဖာအလွှာအမျိုးအစားများ

    တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုအတွက် အဓိကကုန်ကြမ်းပစ္စည်းများ- ဝေဖာအလွှာအမျိုးအစားများ

    တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းကိရိယာများတွင် အဓိကပစ္စည်းများအဖြစ် Wafer Substrates များ Wafer Substrates များသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများ၏ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ သယ်ဆောင်သူများဖြစ်ပြီး ၎င်းတို့၏ ပစ္စည်းဂုဏ်သတ္တိများသည် စက်ပစ္စည်းစွမ်းဆောင်ရည်၊ ကုန်ကျစရိတ်နှင့် အသုံးချမှုနယ်ပယ်များကို တိုက်ရိုက်ဆုံးဖြတ်ပေးသည်။ အောက်တွင် wafer Substrates အမျိုးအစားများနှင့်အတူ ၎င်းတို့၏ အားသာချက်များကို ဖော်ပြထားပါသည်။
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • ၈ လက်မ SiC ဝေဖာများအတွက် မြင့်မားသောတိကျမှုရှိသော လေဆာဖြတ်တောက်သည့်ပစ္စည်းကိရိယာ- အနာဂတ် SiC ဝေဖာလုပ်ဆောင်ခြင်းအတွက် အဓိကနည်းပညာ

    ၈ လက်မ SiC ဝေဖာများအတွက် မြင့်မားသောတိကျမှုရှိသော လေဆာဖြတ်တောက်သည့်ပစ္စည်းကိရိယာ- အနာဂတ် SiC ဝေဖာလုပ်ဆောင်ခြင်းအတွက် အဓိကနည်းပညာ

    ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) သည် နိုင်ငံတော်ကာကွယ်ရေးအတွက် အရေးကြီးသောနည်းပညာတစ်ခုဖြစ်ရုံသာမက ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ မော်တော်ကားနှင့် စွမ်းအင်လုပ်ငန်းများအတွက် အဓိကကျသောပစ္စည်းတစ်ခုလည်းဖြစ်သည်။ SiC single-crystal processing တွင် ပထမဆုံးအရေးကြီးသောခြေလှမ်းအနေဖြင့်၊ wafer slicing သည် နောက်ဆက်တွဲပါးလွှာခြင်းနှင့် ඔප දැමීම၏ အရည်အသွေးကို တိုက်ရိုက်ဆုံးဖြတ်ပေးသည်။ Tr...
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • Optical-Grade Silicon Carbide Waveguide AR Glasses: မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော Semi-Insulating Substrates များပြင်ဆင်ခြင်း

    Optical-Grade Silicon Carbide Waveguide AR Glasses: မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော Semi-Insulating Substrates များပြင်ဆင်ခြင်း

    AI တော်လှန်ရေးနောက်ခံတွင် AR မျက်မှန်များသည် လူထုအသိစိတ်သို့ တဖြည်းဖြည်းဝင်ရောက်လာပါသည်။ virtual နှင့် real world များကို ချောမွေ့စွာပေါင်းစပ်ပေးသည့် ပုံစံတစ်ခုအနေဖြင့် AR မျက်မှန်များသည် VR စက်ပစ္စည်းများနှင့် ကွဲပြားပြီး အသုံးပြုသူများအား ဒစ်ဂျစ်တယ်ပရိုဂျက်တာပုံရိပ်များနှင့် ပတ်ဝန်းကျင်အလင်းရောင်နှစ်မျိုးလုံးကို တစ်ပြိုင်နက်တည်း သိရှိနိုင်စေပါသည်။
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • ဦးတည်ချက်အမျိုးမျိုးရှိသော ဆီလီကွန် အောက်ခံများပေါ်တွင် 3C-SiC ၏ Heteroepitaxial ကြီးထွားမှု

    ဦးတည်ချက်အမျိုးမျိုးရှိသော ဆီလီကွန် အောက်ခံများပေါ်တွင် 3C-SiC ၏ Heteroepitaxial ကြီးထွားမှု

    ၁။ မိတ်ဆက် ဆယ်စုနှစ်များစွာ သုတေသနပြုလုပ်ခဲ့သော်လည်း ဆီလီကွန်အောက်ခံများပေါ်တွင် ကြီးထွားလာသော heteroepitaxial 3C-SiC သည် စက်မှုလုပ်ငန်းသုံး အီလက်ထရွန်းနစ်အသုံးချမှုများအတွက် လုံလောက်သော ပုံဆောင်ခဲအရည်အသွေးကို မရရှိခဲ့ပါ။ ကြီးထွားမှုကို Si(100) သို့မဟုတ် Si(111) အောက်ခံများတွင် ပုံမှန်အားဖြင့် လုပ်ဆောင်လေ့ရှိပြီး တစ်ခုချင်းစီတွင် မတူညီသောစိန်ခေါ်မှုများကို တင်ပြသည်- anti-phase ...
    ပိုပြီးဖတ်ပါ