ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အောက်ခံကို တစ်ပိုင်းလျှပ်ကာအမျိုးအစားနှင့် လျှပ်ကူးပစ္စည်းအမျိုးအစားဟူ၍ ခွဲခြားထားသည်။ လက်ရှိတွင် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကာဆီလီကွန်ကာဗိုက်အောက်ခံထုတ်ကုန်များ၏ အဓိကသတ်မှတ်ချက်မှာ ၄ လက်မဖြစ်သည်။ လျှပ်ကူးပစ္စည်းဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဈေးကွက်တွင် လက်ရှိအဓိကအခြေခံထုတ်ကုန်သတ်မှတ်ချက်မှာ ၆ လက်မဖြစ်သည်။
RF နယ်ပယ်ရှိ downstream application များကြောင့်၊ semi-insulated SiC substrates နှင့် epitaxial ပစ္စည်းများသည် အမေရိကန်ကူးသန်းရောင်းဝယ်ရေးဌာန၏ ပို့ကုန်ထိန်းချုပ်မှုအောက်တွင် ရှိသည်။ substrate အဖြစ် Semi-insulated SiC သည် GaN heteroepitaxy အတွက် ဦးစားပေးပစ္စည်းဖြစ်ပြီး မိုက်ခရိုဝေ့ဖ်နယ်ပယ်တွင် အရေးကြီးသော အသုံးချမှုအလားအလာများရှိသည်။ sapphire 14% နှင့် Si 16.9% ၏ crystal mismatch နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက SiC နှင့် GaN ပစ္စည်းများ၏ crystal mismatch မှာ 3.4% သာရှိသည်။ SiC ၏ အလွန်မြင့်မားသော အပူစီးကူးနိုင်စွမ်းနှင့်အတူ၊ ၎င်းမှပြင်ဆင်ထားသော စွမ်းအင်ထိရောက်မှုမြင့်မားသော LED နှင့် GaN မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းနှင့် မြင့်မားသောပါဝါမိုက်ခရိုဝေ့ဖ်ကိရိယာများသည် ရေဒါ၊ မြင့်မားသောပါဝါမိုက်ခရိုဝေ့ဖ်ကိရိယာများနှင့် 5G ဆက်သွယ်ရေးစနစ်များတွင် အားသာချက်များစွာရှိသည်။
SiC single crystal substrate သုတေသနနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေး၏ အဓိကအာရုံစိုက်မှုမှာ semi-insulated SiC ပစ္စည်းများ စိုက်ပျိုးရာတွင် အဓိကအခက်အခဲနှစ်ခုရှိသည်။
၁) ဂရပ်ဖိုက် ခွက်၊ အပူလျှပ်ကာ စုပ်ယူမှုနှင့် အမှုန့်တွင် ထည့်သွင်းခြင်းတို့မှ မိတ်ဆက်ပေးသော N donor မသန့်စင်မှုများကို လျှော့ချပါ။
၂) ပုံဆောင်ခဲ၏ အရည်အသွေးနှင့် လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများကို သေချာစေစဉ်တွင်၊ ကျန်ရှိနေသော ရေတိမ်အဆင့် မသန့်စင်မှုများကို လျှပ်စစ်လှုပ်ရှားမှုဖြင့် လျော်ကြေးပေးရန် အနက်ရှိုင်းဆုံးအဆင့်ဗဟိုကို မိတ်ဆက်ပေးထားသည်။
လက်ရှိတွင်၊ semi-insulated SiC ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်ရှိသော ထုတ်လုပ်သူများမှာ အဓိကအားဖြင့် SICC Co၊ Semisic Crystal Co၊ Tanke Blue Co၊ Hebei Synlight Crystal Co., Ltd တို့ဖြစ်သည်။
လျှပ်ကူးနိုင်သော SiC ပုံဆောင်ခဲကို ကြီးထွားလာသောလေထုထဲသို့ နိုက်ထရိုဂျင်ထိုးသွင်းခြင်းဖြင့် ရရှိသည်။ လျှပ်ကူးနိုင်သော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာကို အဓိကအားဖြင့် ပါဝါကိရိယာများ၊ ဗို့အားမြင့်မားသော၊ လျှပ်စီးကြောင်းမြင့်မားသော၊ အပူချိန်မြင့်မားသော၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားသော၊ ဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးသော နှင့် အခြားထူးခြားသောအားသာချက်များပါရှိသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပါဝါကိရိယာများ ထုတ်လုပ်ရာတွင် အသုံးပြုကြပြီး ဆီလီကွန်အခြေခံ ပါဝါကိရိယာများ၏ လက်ရှိအသုံးပြုမှုကို စွမ်းအင်ပြောင်းလဲမှုထိရောက်မှု သိသိသာသာတိုးတက်စေပြီး ထိရောက်သော စွမ်းအင်ပြောင်းလဲမှုနယ်ပယ်တွင် သိသာထင်ရှားပြီး ကျယ်ပြန့်သောသက်ရောက်မှုရှိသည်။ အဓိကအသုံးချနယ်ပယ်များမှာ လျှပ်စစ်ယာဉ်များ/အားသွင်းတိုင်များ၊ နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်အသစ်၊ ရထားသယ်ယူပို့ဆောင်ရေး၊ smart grid စသည်တို့ဖြစ်သည်။ လျှပ်ကူးနိုင်သောထုတ်ကုန်များ၏ အောက်ခြေတွင် အဓိကအားဖြင့် လျှပ်စစ်ယာဉ်များ၊ နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်နှင့် အခြားနယ်ပယ်များရှိ ပါဝါကိရိယာများဖြစ်သောကြောင့် အသုံးချမှုအလားအလာသည် ပိုမိုကျယ်ပြန့်ပြီး ထုတ်လုပ်သူများလည်း များပြားသည်။
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပုံဆောင်ခဲအမျိုးအစား- အကောင်းဆုံး 4H ပုံဆောင်ခဲဆီလီကွန်ကာဗိုက်၏ ပုံမှန်ဖွဲ့စည်းပုံကို အမျိုးအစားနှစ်မျိုးခွဲခြားနိုင်သည်၊ တစ်ခုမှာ 3C-SiC သို့မဟုတ် β-SiC ဟုလူသိများသော sphalerite ဖွဲ့စည်းပုံ၏ cubic silicon carbide ပုံဆောင်ခဲအမျိုးအစားဖြစ်ပြီး နောက်တစ်ခုမှာ α-SiC အဖြစ် စုပေါင်းလူသိများသော 6H-SiC၊ 4H-sic၊ 15R-SiC စသည်တို့၏ ပုံမှန်ဖြစ်သော large period structure ၏ hexagonal သို့မဟုတ် diamond structure ဖြစ်သည်။ 3C-SiC တွင် ထုတ်လုပ်မှုစက်ပစ္စည်းများတွင် မြင့်မားသော resistivity ၏ အားသာချက်ရှိသည်။ သို့သော် Si နှင့် SiC lattice constant များနှင့် thermal expansion coefficient များအကြား မကိုက်ညီမှုမြင့်မားခြင်းသည် 3C-SiC epitaxial layer တွင် ချို့ယွင်းချက်များစွာကို ဖြစ်ပေါ်စေနိုင်သည်။ 4H-SiC သည် MOSFETs ထုတ်လုပ်ရာတွင် အလားအလာကောင်းများရှိသည်၊ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် ၎င်း၏ပုံဆောင်ခဲကြီးထွားမှုနှင့် epitaxial layer ကြီးထွားမှုလုပ်ငန်းစဉ်များသည် ပိုမိုကောင်းမွန်ပြီး အီလက်ထရွန်ရွေ့လျားနိုင်မှုအရ 4H-SiC သည် 3C-SiC နှင့် 6H-SiC ထက် ပိုမိုမြင့်မားပြီး 4H-SiC MOSFETs အတွက် ပိုမိုကောင်းမွန်သော microwave ဝိသေသလက္ခဏာများကို ပေးစွမ်းသည်။
ချိုးဖောက်မှုရှိပါက ဖျက်ပစ်ရန် ဆက်သွယ်ပါ
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၄ ခုနှစ်၊ ဇူလိုင်လ ၁၆ ရက်