TGV ဆိုတာဘာလဲ။
TGV၊ (Through-Glass via)၊ ဖန်သားမျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ အပေါက်များဖန်တီးသည့်နည်းပညာ၊ ရိုးရိုးရှင်းရှင်းပြောရလျှင် TGV သည် ဖန်သားပြင်ပေါ်တွင် ပေါင်းစည်းထားသော ဆားကစ်များတည်ဆောက်ရန်အတွက် ဖန်သားပြင်ပေါ်တွင် ပေါင်းစည်းထားသော ဆားကစ်များတည်ဆောက်ရန်အတွက် အထပ်မြင့်အဆောက်အအုံတစ်ခုဖြစ်သည်။ ကြမ်းပြင်။ဤနည်းပညာသည် 3D ထုပ်ပိုးမှုမျိုးဆက်အတွက် အဓိကနည်းပညာတစ်ခုဟု ယူဆပါသည်။
TGV ၏ထူးခြားချက်များကားအဘယ်နည်း။
1. ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံ- TGV သည် ဖန်သားကြမ်းပေါ်တွင် ပြုလုပ်ထားသော အပေါက်မှတဆင့် ဒေါင်လိုက်ထိုးဖောက်လျှပ်ကူးပစ္စည်းဖြစ်သည်။ချွေးပေါက်နံရံတွင် လျှပ်ကူးနိုင်သော သတ္တုအလွှာတစ်ခု အပ်နှံခြင်းဖြင့်၊ အထက်နှင့် အောက်အလွှာများသည် လျှပ်စစ်အချက်ပြမှုများ အပြန်အလှန် ချိတ်ဆက်ကြသည်။
2. ထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်- TGV ထုတ်လုပ်မှုတွင် အောက်စထရိတ် သန့်စင်ခြင်း၊ အပေါက်ပြုလုပ်ခြင်း၊ သတ္တုအလွှာ အပ်နှံခြင်း၊ အပေါက်ဖြည့်ခြင်းနှင့် ပြားစေခြင်း အဆင့်များ ပါဝင်သည်။အသုံးများသော ထုတ်လုပ်မှုနည်းလမ်းများမှာ ဓာတုဗေဒင်တူးခြင်း၊ လေဆာတူးဖော်ခြင်း၊ လျှပ်စစ်ပလပ်စတစ်ခြင်း စသည်တို့ဖြစ်သည်။
3. အပလီကေးရှင်းအားသာချက်များ- အပေါက်မှတဆင့်ရိုးရာသတ္တုနှင့်နှိုင်းယှဉ်ပါက TGV သည်သေးငယ်သောအရွယ်အစား၊ မြင့်မားသောဝါယာကြိုးသိပ်သည်းဆ၊ ပိုမိုကောင်းမွန်သောအပူပေးစွမ်းဆောင်မှုစသည်ဖြင့်အားသာချက်များရှိသည်။microelectronics၊ optoelectronics၊ MEMS နှင့် high-density အပြန်အလှန်ချိတ်ဆက်မှုနယ်ပယ်များတွင် တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုသည်။
4. ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုလမ်းကြောင်း- miniaturization နှင့် မြင့်မားသောပေါင်းစပ်မှုဆီသို့ အီလက်ထရွန်းနစ်ထုတ်ကုန်များ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာသည်နှင့်အမျှ TGV နည်းပညာသည် အာရုံစိုက်မှုနှင့် အသုံးချမှုများကို ပိုမိုရရှိလာသည်။အနာဂတ်တွင်၊ ၎င်း၏ကုန်ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်ကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် ဆက်လက်လုပ်ဆောင်မည်ဖြစ်ပြီး ၎င်း၏အရွယ်အစားနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်သည် ဆက်လက်တိုးတက်နေမည်ဖြစ်သည်။
TGV လုပ်ငန်းစဉ်ကဘာလဲ။
1. Glass substrate ပြင်ဆင်မှု (က) : ၎င်း၏မျက်နှာပြင်သည် ချောမွေ့သန့်ရှင်းစေရန်အတွက် အစပိုင်းတွင် ဖန်အလွှာကို ပြင်ဆင်ပါ။
2. Glass တူးဖော်ခြင်း (ခ) : ဖန်သားလွှာအတွင်း ထိုးဖောက်ဝင်ရောက်ရန် လေဆာကို အသုံးပြုသည်။အပေါက်၏ပုံသဏ္ဍာန်သည် ယေဘူယျအားဖြင့် ပုံသဏ္ဍာန်ပုံသဏ္ဍာန်ဖြစ်ပြီး တစ်ဖက်တွင် လေဆာကုသမှုခံယူပြီးနောက်၊ ၎င်းကို လှန်ပြီး အခြားတစ်ဖက်တွင် လုပ်ဆောင်သည်။
3. Hole wall metallization (c) : Ti/Cu, Cr/Cu အစရှိသော အပေါက်နံရံပေါ်ရှိ လျှပ်ကူးနိုင်သောသတ္တုစေ့အလွှာကို PVD၊ CVD နှင့် အခြားသော လုပ်ငန်းစဉ်များမှတဆင့် အပေါက်နံရံတွင် သတ္တုသတ္တုပြုလုပ်ခြင်းကို ပြုလုပ်ပါသည်။
4. Lithography (ဃ) : ဖန်သားလွှာ၏ မျက်နှာပြင်ကို photoresist နှင့် photopatterned ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသည်။ပလပ်စတစ် မလိုအပ်သော အစိတ်အပိုင်းများကို ဖော်ထုတ်ပါ၊ သို့မှသာ ပလပ်စတစ်လိုအပ်သော အစိတ်အပိုင်းများကိုသာ ဖော်ထုတ်ပါ။
5. အပေါက်ဖြည့်ခြင်း (င) : ပြီးပြည့်စုံသော လျှပ်ကူးလမ်းကြောင်းတစ်ခုအဖြစ် ဖန်ခွက်ကို အပေါက်များမှတဆင့် ဖြည့်ရန်အတွက် ကြေးနီကို လျှပ်စစ်ပလပ်ထိုးခြင်း။ယေဘူယျအားဖြင့် အပေါက်သည် အပေါက်လုံးဝမရှိဘဲ ပြည့်နေရန် လိုအပ်ပါသည်။ပုံတွင်ရှိသော Cu ကို အပြည့်အ၀ မထည့်ကြောင်း သတိပြုပါ။
6. အလွှာ၏မျက်နှာပြင်အပြား (စ) : အချို့သော TGV လုပ်ငန်းစဉ်များသည် ဖန်သားပြင်၏မျက်နှာပြင်ကို ချောမွေ့စေပြီး နောက်ဆက်တွဲလုပ်ငန်းစဉ်အဆင့်များအတွက် အထောက်အကူဖြစ်စေကြောင်း သေချာစေရန်အတွက် ဖန်သားမျက်နှာပြင်ကို ပြားစေမည်ဖြစ်သည်။
7.Protective layer နှင့် terminal connection (g) : အကာအကွယ်အလွှာ (polyimide ကဲ့သို့) ကို glass substrate ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ဖွဲ့စည်းထားသည်။
အတိုချုပ်ပြောရလျှင် TGV လုပ်ငန်းစဉ်၏ အဆင့်တိုင်းသည် အရေးကြီးပြီး တိကျသော ထိန်းချုပ်မှုနှင့် ပိုမိုကောင်းမွန်အောင် လုပ်ဆောင်ရန် လိုအပ်ပါသည်။ကျွန်ုပ်တို့သည် လိုအပ်ပါက အပေါက်နည်းပညာဖြင့် TGV မှန်ကို လောလောဆယ် ကမ်းလှမ်းထားပါသည်။ကျေးဇူးပြု၍ ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ပါ။
(အထက်ပါ အချက်အလက်များသည် အင်တာနက်မှ ဆင်ဆာဖြတ်ခြင်း)၊
တင်ချိန်- ဇွန် ၂၅-၂၀၂၄