တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း လေဆာ မြှင့်တင်ရေး ပစ္စည်းကိရိယာ
အသေးစိတ်ပုံကြမ်း
လေဆာ မြှင့်တင်ရေး ပစ္စည်းကိရိယာ၏ ထုတ်ကုန်ခြုံငုံသုံးသပ်ချက်
Semiconductor Laser Lift-Off Equipment သည် semiconductor ပစ္စည်းလုပ်ဆောင်ခြင်းတွင် အဆင့်မြင့် ingot ပါးလွှာစေရန်အတွက် နောက်မျိုးဆက်ဖြေရှင်းချက်တစ်ခုကို ကိုယ်စားပြုသည်။ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ကြိတ်ခွဲခြင်း၊ စိန်ဝါယာကြိုးလွှခြင်း သို့မဟုတ် ဓာတုဗေဒ-စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ planarization တို့ကို အားကိုးသော ရိုးရာ wafering နည်းလမ်းများကဲ့သို့မဟုတ်ဘဲ၊ ဤလေဆာအခြေခံပလက်ဖောင်းသည် အလွန်ပါးလွှာသော semiconductor ingots များမှ အလွှာများကို ခွာထုတ်ရန်အတွက် ထိတွေ့မှုကင်းပြီး ပျက်စီးခြင်းမရှိသော အခြားရွေးချယ်စရာတစ်ခုကို ပေးဆောင်သည်။
gallium nitride (GaN)၊ silicon carbide (SiC)၊ sapphire နှင့် gallium arsenide (GaAs) ကဲ့သို့သော ကြွပ်ဆတ်ပြီး တန်ဖိုးမြင့်ပစ္စည်းများအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် ပြုလုပ်ထားသော Semiconductor Laser Lift-Off Equipment သည် crystal ingot မှ တိုက်ရိုက် wafer-scale film များကို တိကျစွာ လှီးဖြတ်နိုင်စေပါသည်။ ဤတိုးတက်မှုနည်းပညာသည် ပစ္စည်းဖြုန်းတီးမှုကို သိသိသာသာ လျှော့ချပေးပြီး throughput ကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေကာ substrate integrity ကို မြှင့်တင်ပေးသည် - ၎င်းတို့အားလုံးသည် power electronics၊ RF systems၊ photonics နှင့် micro-displays ရှိ နောက်မျိုးဆက် devices များအတွက် အရေးကြီးပါသည်။
အလိုအလျောက်ထိန်းချုပ်မှု၊ ရောင်ခြည်ပုံသွင်းခြင်းနှင့် လေဆာ-ပစ္စည်း အပြန်အလှန် ဆက်သွယ်မှု ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုများကို အလေးပေး၍ Semiconductor Laser Lift-Off Equipment ကို R&D ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ရှိမှုနှင့် အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှု တိုးချဲ့နိုင်မှုကို ပံ့ပိုးပေးနေစဉ်တွင် semiconductor ထုတ်လုပ်မှု လုပ်ငန်းစဉ်များတွင် ချောမွေ့စွာ ပေါင်းစပ်နိုင်ရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။
လေဆာ မြှင့်တင်ရေး ပစ္စည်းကိရိယာများ၏ နည်းပညာနှင့် လည်ပတ်မှုနိယာမ
Semiconductor Laser Lift-Off Equipment မှ လုပ်ဆောင်သော လုပ်ငန်းစဉ်သည် မြင့်မားသောစွမ်းအင်ရှိသော ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်လေဆာရောင်ခြည်ကို အသုံးပြု၍ donor ingot ကို တစ်ဖက်မှ ရောင်ခြည်ဖြင့် ထိတွေ့ခြင်းဖြင့် စတင်သည်။ ဤရောင်ခြည်သည် သတ်မှတ်ထားသော အတွင်းပိုင်းအနက်တစ်ခုတွင် တင်းကျပ်စွာ အာရုံစိုက်ထားပြီး၊ ပုံမှန်အားဖြင့် အင်ဂျင်နီယာမျက်နှာပြင်တစ်လျှောက်တွင် အလင်း၊ အပူ သို့မဟုတ် ဓာတုဗေဒဆန့်ကျင်ဘက်ကြောင့် စွမ်းအင်စုပ်ယူမှုကို အမြင့်ဆုံးဖြစ်စေသည်။
ဤစွမ်းအင်စုပ်ယူအလွှာတွင်၊ ဒေသတွင်းအပူပေးမှုသည် မျက်နှာပြင်အလွှာ (ဥပမာ၊ ဖိစီးမှုအလွှာ သို့မဟုတ် ပူဇော်သက္ကာအောက်ဆိုဒ်) ၏ လျင်မြန်စွာ မိုက်ခရိုပေါက်ကွဲမှု၊ ဓာတ်ငွေ့ကျယ်ပြန့်မှု သို့မဟုတ် ပြိုကွဲမှုကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်။ ဤတိကျစွာထိန်းချုပ်ထားသော အနှောင့်အယှက်သည် မိုက်ခရိုမီတာဆယ်ဂဏန်းအထူရှိသော အပေါ်ပိုင်းပုံဆောင်ခဲအလွှာကို အခြေခံအခဲတုံးမှ သန့်ရှင်းစွာ ခွဲထွက်သွားစေသည်။
Semiconductor Laser Lift-Off Equipment သည် motion-synchronized scanning heads၊ programmable z-axis control နှင့် real-time reflectometry တို့ကို အသုံးပြုထားသောကြောင့် pulse တိုင်းသည် target plane တွင် စွမ်းအင်ကို တိကျစွာ ပို့ဆောင်ပေးပါသည်။ detachment smoothness ကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် residual stress ကို လျှော့ချရန်အတွက် ဤ equipment ကို burst-mode သို့မဟုတ် multi-pulse capabilities များဖြင့်လည်း configure လုပ်နိုင်ပါသည်။ အရေးကြီးသည်မှာ laser beam သည် ပစ္စည်းကို ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာအရ ဘယ်တော့မှ မထိတွေ့သောကြောင့် microcracking၊ bowing သို့မဟုတ် surface chipping ဖြစ်နိုင်ခြေကို သိသိသာသာ လျှော့ချပေးပါသည်။
၎င်းက laser lift-off thinning နည်းလမ်းကို အထူးသဖြင့် sub-micron TTV (Total Thickness Variation) ဖြင့် အလွန်ပြားချပ်ပြီး အလွန်ပါးလွှာသော ဝေဖာများ လိုအပ်သည့် အသုံးချမှုများတွင် အပြောင်းအလဲဖြစ်စေသည်။
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း လေဆာ မြှင့်တင်ရေး ပစ္စည်းကိရိယာ၏ ကန့်သတ်ချက်
| လှိုင်းအလျား | IR/SHG/THG/FHG |
|---|---|
| လှိုင်းနှုန်းအကျယ် | နာနိုစက္ကန့်၊ ပီကိုစက္ကန့်၊ ဖမ်တိုစက္ကန့် |
| အလင်းစနစ် | ပုံသေအလင်းစနစ် သို့မဟုတ် Galvano-အလင်းစနစ် |
| XY အဆင့် | ၅၀၀ မီလီမီတာ × ၅၀၀ မီလီမီတာ |
| လုပ်ဆောင်ရမည့်အပိုင်းအခြား | ၁၆၀ မီလီမီတာ |
| ရွေ့လျားမှုအမြန်နှုန်း | အများဆုံး ၁၀၀၀ မီလီမီတာ/စက္ကန့် |
| ထပ်ခါတလဲလဲလုပ်ဆောင်နိုင်မှု | ±၁ မိုက်ခရိုမီတာ သို့မဟုတ် ထို့ထက်နည်းသော |
| ပကတိ အနေအထား တိကျမှု- | ±၅ မိုက်ခရိုမီတာ သို့မဟုတ် ထို့ထက်နည်းသော |
| ဝေဖာအရွယ်အစား | ၂-၆ လက်မ သို့မဟုတ် စိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်ထားသည် |
| ထိန်းချုပ်ခြင်း | Windows 10, 11 နှင့် PLC |
| ပါဝါထောက်ပံ့မှုဗို့အား | AC 200 V ±20 V၊ တစ်ဆင့်၊ 50/60 kHz |
| ပြင်ပအတိုင်းအတာ | ၂၄၀၀ မီလီမီတာ (အနံ) × ၁၇၀၀ မီလီမီတာ (အနက်) × ၂၀၀၀ မီလီမီတာ (အမြင့်) |
| အလေးချိန် | ၁၀၀၀ ကီလိုဂရမ် |
လေဆာ မြှင့်တင်ရေး ပစ္စည်းကိရိယာများ၏ စက်မှုလုပ်ငန်းဆိုင်ရာ အသုံးချမှုများ
Semiconductor Laser Lift-Off Equipment သည် semiconductor domain များစွာတွင် ပစ္စည်းများကို ပြင်ဆင်ပုံကို လျင်မြန်စွာ ပြောင်းလဲစေပါသည်-
- လေဆာ မြှင့်တင်ရေး ပစ္စည်းကိရိယာများ၏ ဒေါင်လိုက် GaN ပါဝါ ကိရိယာများ
အလွန်ပါးလွှာသော GaN-on-GaN ဖလင်များကို အစုလိုက်အပြုံလိုက် ಲೇಪခြင်းမှတစ်ဆင့် မြှောက်တင်ခြင်းဖြင့် ဒေါင်လိုက် လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း တည်ဆောက်ပုံနှင့် စျေးကြီးသော အောက်ခံများကို ပြန်လည်အသုံးပြုနိုင်စေပါသည်။
- Schottky နှင့် MOSFET စက်ပစ္စည်းများအတွက် SiC Wafer Thinning
လျင်မြန်စွာပြောင်းလဲနိုင်သော ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများအတွက် အသင့်တော်ဆုံးဖြစ်ပြီး အောက်ခံမျက်နှာပြင် မျက်နှာပြင်ညီညာမှုကို ထိန်းသိမ်းပေးခြင်းဖြင့် စက်ပစ္စည်းအလွှာအထူကို လျှော့ချပေးသည်။
- လေဆာ မြှင့်တင်ရေး စက်ပစ္စည်းများ၏ Sapphire-Based LED နှင့် Display ပစ္စည်းများ
ပါးလွှာပြီး အပူချိန်ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ထားသော မိုက်ခရို LED ထုတ်လုပ်မှုကို ပံ့ပိုးပေးရန်အတွက် နီလာရောင်ဘောလ်များမှ စက်ပစ္စည်းအလွှာများကို ထိရောက်စွာခွဲထုတ်နိုင်စေပါသည်။
- လေဆာ မြှင့်တင်ရေး ပစ္စည်းကိရိယာများ၏ III-V ပစ္စည်းအင်ဂျင်နီယာ
အဆင့်မြင့် optoelectronic ပေါင်းစပ်မှုအတွက် GaAs၊ InP နှင့် AlGaN အလွှာများ ခွဲထွက်ခြင်းကို လွယ်ကူချောမွေ့စေသည်။
- Thin-Wafer IC နှင့် Sensor ထုတ်လုပ်ခြင်း
ထုထည်ကြီးမားခြင်းသည် စွမ်းဆောင်ရည်အတွက် အတားအဆီးဖြစ်စေသည့် ဖိအားအာရုံခံကိရိယာများ၊ အရှိန်မြှင့်ကိရိယာ သို့မဟုတ် ဓာတ်ပုံဒိုင်အိုဒ်များအတွက် ပါးလွှာသော လုပ်ဆောင်နိုင်သော အလွှာများကို ထုတ်လုပ်ပေးသည်။
- ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ရှိပြီး ပွင့်လင်းမြင်သာသော အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ
ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ရှိသော မျက်နှာပြင်များ၊ ဝတ်ဆင်နိုင်သော ဆားကစ်များနှင့် ပွင့်လင်းမြင်သာသော စမတ်ဝင်းဒိုးများအတွက် သင့်လျော်သော အလွန်ပါးလွှာသော အောက်ခံများကို ပြင်ဆင်ပေးသည်။
ဤနယ်ပယ်တစ်ခုစီတွင်၊ Semiconductor Laser Lift-Off Equipment သည် အရွယ်အစားသေးငယ်စေခြင်း၊ ပစ္စည်းပြန်လည်အသုံးပြုခြင်းနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်ရိုးရှင်းစေခြင်းတို့တွင် အရေးကြီးသောအခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။
လေဆာ မြှင့်တင်ရေး ပစ္စည်းကိရိယာများအကြောင်း မကြာခဏ မေးလေ့ရှိသော မေးခွန်းများ (FAQ)
မေးခွန်း ၁: Semiconductor Laser Lift-Off Equipment ကို အသုံးပြုပြီး အနည်းဆုံး အထူ ဘယ်လောက်ရနိုင်လဲ။
A1:ပုံမှန်အားဖြင့် ပစ္စည်းပေါ်မူတည်၍ ၁၀ မှ ၃၀ မိုက်ခရွန်ကြားတွင် ရှိသည်။ ဤလုပ်ငန်းစဉ်သည် ပြုပြင်ထားသော စနစ်များဖြင့် ပိုမိုပါးလွှာသော ရလဒ်များကို ဖြစ်ပေါ်စေနိုင်သည်။
Q2: ဒါကို ingot တစ်ခုတည်းကနေ wafers အများကြီးကို လှီးဖြတ်ဖို့ အသုံးပြုလို့ရပါသလား။
A2:ဟုတ်ကဲ့။ ဖောက်သည်များစွာသည် လေဆာ lift-off နည်းပညာကို အသုံးပြု၍ အစုလိုက်အပြုံလိုက် ingot တစ်ခုမှ အလွှာပါးများစွာကို အဆက်မပြတ် ထုတ်ယူကြသည်။
Q3: ပါဝါမြင့်လေဆာလည်ပတ်မှုအတွက် မည်သည့်ဘေးကင်းရေးအင်္ဂါရပ်များ ပါဝင်သနည်း။
A3:Class 1 အကာအရံများ၊ interlock စနစ်များ၊ beam shielding နှင့် automated shutoff များသည် အားလုံး စံသတ်မှတ်ထားသည့်အတိုင်း ဖြစ်သည်။
Q4: ဒီစနစ်က စိန်ဝါယာလွှတွေနဲ့ ကုန်ကျစရိတ်အရ ဘယ်လိုကွာခြားလဲ။
A4:ကနဦး ကုန်ကျစရိတ် ပိုမိုမြင့်မားနိုင်သော်လည်း၊ လေဆာ lift-off သည် သုံးစွဲမှုကုန်ကျစရိတ်များ၊ အောက်ခံပစ္စည်းပျက်စီးမှုနှင့် post-processing အဆင့်များကို သိသိသာသာ လျှော့ချပေးပြီး ရေရှည်တွင် စုစုပေါင်းပိုင်ဆိုင်မှုကုန်ကျစရိတ် (TCO) ကို လျှော့ချပေးသည်။
မေးခွန်း ၅: လုပ်ငန်းစဉ်ကို ၆ လက်မ သို့မဟုတ် ၈ လက်မ အချောင်းများအထိ တိုးချဲ့နိုင်ပါသလား။
A5:ဟုတ်ပါတယ်။ ဒီပလက်ဖောင်းက ၁၂ လက်မ အထူရှိတဲ့ အောက်ခံပြားတွေအထိ တပြေးညီ ရောင်ခြည်ဖြန့်ဖြူးမှုနဲ့ ကြီးမားတဲ့ ရွေ့လျားမှုအဆင့်တွေကို ထောက်ပံ့ပေးပါတယ်။
ကြှနျုပျတို့အကွောငျး
XKH သည် အထူးအလင်းတန်းမှန်နှင့် ပုံဆောင်ခဲပစ္စည်းများ၏ အဆင့်မြင့်နည်းပညာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှု၊ ထုတ်လုပ်မှုနှင့် ရောင်းချမှုတွင် အထူးပြုပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ထုတ်ကုန်များသည် အလင်းတန်းအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ၊ စားသုံးသူအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများနှင့် စစ်တပ်အတွက် ဝန်ဆောင်မှုပေးပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် Sapphire အလင်းတန်းအစိတ်အပိုင်းများ၊ မိုဘိုင်းဖုန်းမှန်ဘီလူးအဖုံးများ၊ ကြွေထည်များ၊ LT၊ Silicon Carbide SIC၊ Quartz နှင့် semiconductor crystal wafers များကို ပေးဆောင်ပါသည်။ ကျွမ်းကျင်သောကျွမ်းကျင်မှုနှင့် ခေတ်မီသောပစ္စည်းကိရိယာများဖြင့် ကျွန်ုပ်တို့သည် စံမမီသောထုတ်ကုန်ပြုပြင်ထုတ်လုပ်မှုတွင် ထူးချွန်ပြီး ဦးဆောင် optoelectronic ပစ္စည်းများ၏ အဆင့်မြင့်နည်းပညာလုပ်ငန်းတစ်ခုဖြစ်ရန် ရည်ရွယ်ပါသည်။










