ထုတ်ကုန်သတင်းများ

  • တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်ရေးတွင် ဝေဖာ သန့်ရှင်းရေးနည်းပညာ

    တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုတ်လုပ်ရေးတွင် ဝေဖာ သန့်ရှင်းရေးနည်းပညာ

    တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်ရာတွင် ဝေဖာသန့်ရှင်းရေးနည်းပညာ ဝေဖာသန့်ရှင်းရေးသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုလုံးတွင် အရေးကြီးသောအဆင့်တစ်ခုဖြစ်ပြီး စက်ပစ္စည်းစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ထုတ်လုပ်မှုအထွက်နှုန်းကို တိုက်ရိုက်အကျိုးသက်ရောက်စေသော အဓိကအချက်များထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။ ချစ်ပ်ထုတ်လုပ်နေစဉ်အတွင်း အနည်းငယ်သောညစ်ညမ်းမှုပင် ...
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • ဝေဖာသန့်ရှင်းရေးနည်းပညာများနှင့် နည်းပညာဆိုင်ရာစာရွက်စာတမ်းများ​

    ဝေဖာသန့်ရှင်းရေးနည်းပညာများနှင့် နည်းပညာဆိုင်ရာစာရွက်စာတမ်းများ​

    မာတိကာ ၁။​ အဓိကရည်မှန်းချက်များနှင့် ဝေဖာသန့်ရှင်းရေး၏ အရေးပါမှု​ ၂။ ညစ်ညမ်းမှုအကဲဖြတ်ခြင်းနှင့် အဆင့်မြင့်ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာနည်းစနစ်များ​ ၃။ အဆင့်မြင့်သန့်ရှင်းရေးနည်းလမ်းများနှင့် နည်းပညာဆိုင်ရာမူများ​ ၄။ နည်းပညာအကောင်အထည်ဖော်မှုနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်ထိန်းချုပ်မှု အခြေခံများ​ ၅။​ အနာဂတ်ခေတ်ရေစီးကြောင်းများနှင့် ဆန်းသစ်သောဦးတည်ချက်များ​ ၆။​ X...
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • လတ်လတ်ဆတ်ဆတ် ကြီးထွားလာသော တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲများ

    လတ်လတ်ဆတ်ဆတ် ကြီးထွားလာသော တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲများ

    တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲများသည် သဘာဝတွင် ရှားပါးပြီး ၎င်းတို့ဖြစ်ပေါ်လာသည့်အခါတွင်ပင် ၎င်းတို့သည် မီလီမီတာ (မီလီမီတာ) စကေးတွင် အလွန်သေးငယ်ပြီး ရယူရန် ခက်ခဲပါသည်။ စိန်များ၊ မြများ၊ အဂိတ်များ စသည်တို့ကို အစီရင်ခံစာတင်ထားပြီး ယေဘုယျအားဖြင့် ဈေးကွက်သို့ မဝင်ရောက်ပါ၊ စက်မှုလုပ်ငန်းဆိုင်ရာ အသုံးချမှုများကိုသာ မဆိုထားနှင့်။ အများစုကို ပြသထားသည် ...
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • အသန့်စင်ဆုံး အလူမီနာ၏ အကြီးဆုံးဝယ်ယူသူ- နီလာအကြောင်း သင်မည်မျှသိသနည်း။

    အသန့်စင်ဆုံး အလူမီနာ၏ အကြီးဆုံးဝယ်ယူသူ- နီလာအကြောင်း သင်မည်မျှသိသနည်း။

    နီလာကျောက်မျက်ရတနာများကို ၉၉.၉၉၅% > သန့်စင်မှုရှိသော မြင့်မားသော အလူမီနာအမှုန့်မှ စိုက်ပျိုးထုတ်လုပ်ထားပြီး မြင့်မားသော အလူမီနာအတွက် အကြီးမားဆုံး လိုအပ်ချက်ရှိသော ဧရိယာဖြစ်သည်။ ၎င်းတို့သည် မြင့်မားသော အစွမ်းသတ္တိ၊ မြင့်မားသော မာကျောမှုနှင့် တည်ငြိမ်သော ဓာတုဂုဏ်သတ္တိများကို ပြသထားပြီး မြင့်မားသော အပူချိန်ကဲ့သို့သော ကြမ်းတမ်းသောပတ်ဝန်းကျင်များတွင် လည်ပတ်နိုင်စေပါသည်။
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • ဝေဖာတွေမှာ TTV၊ BOW၊ WARP နဲ့ TIR တွေက ဘာကိုဆိုလိုတာလဲ။

    ဝေဖာတွေမှာ TTV၊ BOW၊ WARP နဲ့ TIR တွေက ဘာကိုဆိုလိုတာလဲ။

    အခြားပစ္စည်းများဖြင့်ပြုလုပ်ထားသော semiconductor silicon wafers သို့မဟုတ် substrates များကိုစစ်ဆေးသောအခါ၊ ကျွန်ုပ်တို့သည် TTV၊ BOW၊ WARP နှင့် TIR၊ STIR၊ LTV ကဲ့သို့သော နည်းပညာဆိုင်ရာညွှန်းကိန်းများနှင့် မကြာခဏကြုံတွေ့ရလေ့ရှိသည်။ ၎င်းတို့သည် မည်သည့် parameters များကိုကိုယ်စားပြုသနည်း။ TTV — စုစုပေါင်းအထူပြောင်းလဲမှု BOW — Bow WARP — Warp TIR — ...
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • ၈ လက်မ SiC ဝေဖာများအတွက် မြင့်မားသောတိကျမှုရှိသော လေဆာဖြတ်တောက်သည့်ပစ္စည်းကိရိယာ- အနာဂတ် SiC ဝေဖာလုပ်ဆောင်ခြင်းအတွက် အဓိကနည်းပညာ

    ၈ လက်မ SiC ဝေဖာများအတွက် မြင့်မားသောတိကျမှုရှိသော လေဆာဖြတ်တောက်သည့်ပစ္စည်းကိရိယာ- အနာဂတ် SiC ဝေဖာလုပ်ဆောင်ခြင်းအတွက် အဓိကနည်းပညာ

    ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) သည် နိုင်ငံတော်ကာကွယ်ရေးအတွက် အရေးကြီးသောနည်းပညာတစ်ခုဖြစ်ရုံသာမက ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ မော်တော်ကားနှင့် စွမ်းအင်လုပ်ငန်းများအတွက် အဓိကကျသောပစ္စည်းတစ်ခုလည်းဖြစ်သည်။ SiC single-crystal processing တွင် ပထမဆုံးအရေးကြီးသောခြေလှမ်းအနေဖြင့်၊ wafer slicing သည် နောက်ဆက်တွဲပါးလွှာခြင်းနှင့် ඔප දැමීම၏ အရည်အသွေးကို တိုက်ရိုက်ဆုံးဖြတ်ပေးသည်။ Tr...
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • Optical-Grade Silicon Carbide Waveguide AR Glasses: မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော Semi-Insulating Substrates များပြင်ဆင်ခြင်း

    Optical-Grade Silicon Carbide Waveguide AR Glasses: မြင့်မားသောသန့်စင်မှုရှိသော Semi-Insulating Substrates များပြင်ဆင်ခြင်း

    AI တော်လှန်ရေးနောက်ခံတွင် AR မျက်မှန်များသည် လူထုအသိစိတ်သို့ တဖြည်းဖြည်းဝင်ရောက်လာပါသည်။ virtual နှင့် real world များကို ချောမွေ့စွာပေါင်းစပ်ပေးသည့် ပုံစံတစ်ခုအနေဖြင့် AR မျက်မှန်များသည် VR စက်ပစ္စည်းများနှင့် ကွဲပြားပြီး အသုံးပြုသူများအား ဒစ်ဂျစ်တယ်ပရိုဂျက်တာပုံရိပ်များနှင့် ပတ်ဝန်းကျင်အလင်းရောင်နှစ်မျိုးလုံးကို တစ်ပြိုင်နက်တည်း သိရှိနိုင်စေပါသည်။
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • ဦးတည်ချက်အမျိုးမျိုးရှိသော ဆီလီကွန် အောက်ခံများပေါ်တွင် 3C-SiC ၏ Heteroepitaxial ကြီးထွားမှု

    ဦးတည်ချက်အမျိုးမျိုးရှိသော ဆီလီကွန် အောက်ခံများပေါ်တွင် 3C-SiC ၏ Heteroepitaxial ကြီးထွားမှု

    ၁။ မိတ်ဆက် ဆယ်စုနှစ်များစွာ သုတေသနပြုလုပ်ခဲ့သော်လည်း ဆီလီကွန်အောက်ခံများပေါ်တွင် ကြီးထွားလာသော heteroepitaxial 3C-SiC သည် စက်မှုလုပ်ငန်းသုံး အီလက်ထရွန်းနစ်အသုံးချမှုများအတွက် လုံလောက်သော ပုံဆောင်ခဲအရည်အသွေးကို မရရှိခဲ့ပါ။ ကြီးထွားမှုကို Si(100) သို့မဟုတ် Si(111) အောက်ခံများတွင် ပုံမှန်အားဖြင့် လုပ်ဆောင်လေ့ရှိပြီး တစ်ခုချင်းစီတွင် မတူညီသောစိန်ခေါ်မှုများကို တင်ပြသည်- anti-phase ...
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကြွေထည်များနှင့် ဆီမီကွန်ဒတ်တာ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်- ကွဲပြားသောကံကြမ္မာနှစ်ခုဖြင့် တူညီသောပစ္စည်း

    ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ကြွေထည်များနှင့် ဆီမီကွန်ဒတ်တာ ဆီလီကွန်ကာဗိုက်- ကွဲပြားသောကံကြမ္မာနှစ်ခုဖြင့် တူညီသောပစ္စည်း

    ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) သည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းလုပ်ငန်းနှင့် အဆင့်မြင့်ကြွေထည်ထုတ်ကုန်များတွင် တွေ့ရှိနိုင်သော ထူးခြားသောဒြပ်ပေါင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် လူပုဂ္ဂိုလ်များကြားတွင် မကြာခဏ ရှုပ်ထွေးမှုများဖြစ်ပေါ်စေပြီး ၎င်းတို့ကို ထုတ်ကုန်အမျိုးအစားတူဟု မှားယွင်းစွာထင်မှတ်စေနိုင်သည်။ အမှန်တကယ်တွင်၊ ဓာတုဗေဒပါဝင်မှုတူညီသော်လည်း SiC သည် ထင်ရှားသည်...
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • သန့်စင်မှုမြင့်မားသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက် ကြွေထည်ပြင်ဆင်မှုနည်းပညာများတွင် တိုးတက်မှုများ

    သန့်စင်မှုမြင့်မားသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက် ကြွေထည်ပြင်ဆင်မှုနည်းပညာများတွင် တိုးတက်မှုများ

    ၎င်းတို့၏ ထူးခြားသော အပူစီးကူးနိုင်စွမ်း၊ ဓာတုဗေဒတည်ငြိမ်မှုနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာခိုင်ခံ့မှုတို့ကြောင့် သန့်စင်မှုမြင့်မားသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) ကြွေထည်များသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း၊ အာကာသယာဉ်နှင့် ဓာတုဗေဒလုပ်ငန်းများတွင် အရေးကြီးသော အစိတ်အပိုင်းများအတွက် စံပြပစ္စည်းများအဖြစ် ပေါ်ထွက်လာခဲ့သည်။ မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်၊ အနိမ့်-ပိုလိုအားအတွက် လိုအပ်ချက်များ တိုးပွားလာသည်နှင့်အမျှ...
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • LED Epitaxial Wafer များ၏ နည်းပညာဆိုင်ရာ အခြေခံမူများနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်များ

    LED Epitaxial Wafer များ၏ နည်းပညာဆိုင်ရာ အခြေခံမူများနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်များ

    LED များ၏ အလုပ်လုပ်ပုံနိယာမအရ epitaxial wafer ပစ္စည်းသည် LED ၏ အဓိကအစိတ်အပိုင်းဖြစ်ကြောင်း ထင်ရှားပါသည်။ အမှန်စင်စစ်၊ wavelength၊ brightness နှင့် forward voltage ကဲ့သို့သော အဓိက optoelectronic parameters များကို epitaxial ပစ္စည်းဖြင့် အများအားဖြင့် ဆုံးဖြတ်ပါသည်။ Epitaxial wafer နည်းပညာနှင့် ပစ္စည်းကိရိယာများ...
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
  • အရည်အသွေးမြင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဒ် တစ်ပုံစံတည်း ပုံဆောင်ခဲ ပြင်ဆင်မှုအတွက် အဓိက ထည့်သွင်းစဉ်းစားရမည့်အချက်များ

    အရည်အသွေးမြင့် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဒ် တစ်ပုံစံတည်း ပုံဆောင်ခဲ ပြင်ဆင်မှုအတွက် အဓိက ထည့်သွင်းစဉ်းစားရမည့်အချက်များ

    ဆီလီကွန်တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲပြင်ဆင်မှုအတွက် အဓိကနည်းလမ်းများတွင် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာအငွေ့သယ်ယူပို့ဆောင်ရေး (PVT)၊ ထိပ်တန်းအစေ့ထုတ်အရည်ကြီးထွားမှု (TSSG) နှင့် အပူချိန်မြင့်ဓာတုအငွေ့စုပုံခြင်း (HT-CVD) တို့ပါဝင်သည်။ ၎င်းတို့အနက် PVT နည်းလမ်းကို ၎င်း၏ရိုးရှင်းသောပစ္စည်းကိရိယာများ၊ လွယ်ကူစွာအသုံးပြုနိုင်မှုကြောင့် စက်မှုထုတ်လုပ်မှုတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုကြသည်။
    ပိုပြီးဖတ်ပါ
<< < ယခင်234နောက်တစ်ခု >>> စာမျက်နှာ ၂ / ၄