အားသာချက်တွေကတော့ဖန်ခွက်မှတစ်ဆင့် (TGV)နှင့် TGV မှတစ်ဆင့် Through Silicon Via (TSV) လုပ်ငန်းစဉ်များမှာ အဓိကအားဖြင့်-
(1) အလွန်ကောင်းမွန်သော မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းလျှပ်စစ်ဝိသေသလက္ခဏာများ။ ဖန်ပစ္စည်းသည် insulator ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်ပြီး dielectric constant သည် silicon ပစ္စည်း၏ 1/3 ခန့်သာရှိပြီး loss factor သည် silicon ပစ္စည်းထက် 2-3 ဆင့်နိမ့်သောကြောင့် substrate ဆုံးရှုံးမှုနှင့် parasitic effect များကို သိသိသာသာလျှော့ချပေးပြီး ထုတ်လွှင့်သော signal ၏သမာဓိကိုသေချာစေသည်။
(၂)အရွယ်အစားကြီးမားပြီး အလွန်ပါးလွှာသော ဖန်အောက်ခံရယူရန်လွယ်ကူသည်။ Corning၊ Asahi နှင့် SCHOTT နှင့် အခြားဖန်ထုတ်လုပ်သူများသည် အလွန်ကြီးမားသော အရွယ်အစား (>2m × 2m) နှင့် အလွန်ပါးလွှာသော (<50µm) ပြားဖန်နှင့် အလွန်ပါးလွှာသော ပျော့ပြောင်းသောဖန်ပစ္စည်းများကို ပံ့ပိုးပေးနိုင်ပါသည်။
၃) ကုန်ကျစရိတ်နည်းပါးခြင်း။ အရွယ်အစားကြီးမားသော အလွန်ပါးလွှာသော မှန်ပြားများကို အလွယ်တကူရယူနိုင်ခြင်း နှင့် အပူလျှပ်ကာအလွှာများ စုပုံခြင်း မလိုအပ်ခြင်း တို့မှ အကျိုးကျေးဇူးရရှိခြင်း၊ မှန်အဒက်တာပြား၏ ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်သည် ဆီလီကွန်အခြေခံ အဒက်တာပြား၏ ၁/၈ ခန့်သာရှိသည်။
၄) ရိုးရှင်းသော လုပ်ငန်းစဉ်။ TGV ၏ အောက်ခံမျက်နှာပြင်နှင့် အတွင်းနံရံပေါ်တွင် အပူကာအလွှာတစ်ခု ခင်းရန် မလိုအပ်ပါ၊ ထို့အပြင် အလွန်ပါးလွှာသော အဒက်တာပြားတွင်လည်း ပါးလွှာစေရန် မလိုအပ်ပါ။
(၅) ခိုင်မာသော စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ တည်ငြိမ်မှု။ အဒက်တာပြား၏ အထူသည် 100µm ထက်နည်းသည့်တိုင် ကွေးညွှတ်မှုမှာ နည်းပါးနေဆဲဖြစ်သည်။
(၆) အသုံးချမှု ကျယ်ပြန့်ခြင်း၊ wafer-wafer အကြား အတိုဆုံးအကွာအဝေးရရှိရန်အတွက် wafer-wafer အကြား အကွာအဝေးကို ရရှိရန်၊ interconnect ၏ အနိမ့်ဆုံး pitch သည် ကောင်းမွန်သော လျှပ်စစ်၊ အပူ၊ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများ၊ RF chip၊ အဆင့်မြင့် MEMS sensor များ၊ မြင့်မားသောသိပ်သည်းဆစနစ်ပေါင်းစပ်မှုနှင့် ထူးခြားသော အားသာချက်များရှိသော အခြားနယ်ပယ်များတွင် နည်းပညာလမ်းကြောင်းအသစ်တစ်ခုကို ပံ့ပိုးပေးသည်၊ ၎င်းသည် နောက်မျိုးဆက် 5G၊ 6G မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းချစ်ပ် 3D ဖြစ်ပြီး ၎င်းသည် နောက်မျိုးဆက် 5G နှင့် 6G မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းချစ်ပ်များ၏ 3D ထုပ်ပိုးမှုအတွက် ပထမဆုံးရွေးချယ်မှုများထဲမှ တစ်ခုဖြစ်သည်။
TGV ရဲ့ ပုံသွင်းခြင်း လုပ်ငန်းစဉ်မှာ အဓိကအားဖြင့် sandblasting၊ ultrasonic drilling၊ wet etching၊ deep reactive ion etching၊ photosensitive etching၊ laser etching၊ laser-induced depth etching နဲ့ focusing discharge hole formation တို့ ပါဝင်ပါတယ်။
မကြာသေးမီက သုတေသနနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုရလဒ်များအရ ဤနည်းပညာသည် အနက်နှင့်အကျယ်အချိုး 20:1 ရှိသော အပေါက်များနှင့် 5:1 မျက်မမြင်အပေါက်များကို ပြင်ဆင်နိုင်ပြီး ပုံသဏ္ဍာန်ကောင်းမွန်ကြောင်း ပြသထားသည်။ မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းမှုနည်းပါးစေသည့် လေဆာဖြင့် လှုံ့ဆော်ပေးသော နက်ရှိုင်းသော ထွင်းထုခြင်းသည် လက်ရှိတွင် အများဆုံးလေ့လာထားသော နည်းလမ်းဖြစ်သည်။ ပုံ ၁ တွင်ပြထားသည့်အတိုင်း သာမန်လေဆာတူးဖော်ခြင်းအနီးတွင် ထင်ရှားသောအက်ကွဲကြောင်းများရှိပြီး လေဆာဖြင့် လှုံ့ဆော်ပေးသော နက်ရှိုင်းသော ထွင်းထုခြင်း၏ ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် ဘေးနံရံများမှာ သန့်ရှင်းချောမွေ့ပါသည်။
စီမံဆောင်ရွက်သည့် လုပ်ငန်းစဉ်သည်တီဂျီဗွီပုံ ၂ တွင် ကြားခံပစ္စည်းကို ပြသထားသည်။ အလုံးစုံအစီအစဉ်မှာ ဖန်အောက်ခံပေါ်တွင် အပေါက်များ ဦးစွာတူးပြီးနောက် ဘေးနံရံနှင့် မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် အတားအဆီးအလွှာနှင့် အစေ့အလွှာကို ချထားရန်ဖြစ်သည်။ အတားအဆီးအလွှာသည် Cu ဖန်အောက်ခံသို့ ပျံ့နှံ့မှုကို တားဆီးပေးပြီး နှစ်ခု၏ ကပ်ငြိမှုကို မြှင့်တင်ပေးသည်၊ သို့သော် အချို့သော လေ့လာမှုများတွင် အတားအဆီးအလွှာ မလိုအပ်ကြောင်းလည်း တွေ့ရှိခဲ့သည်။ ထို့နောက် Cu ကို လျှပ်စစ်ဖြင့် ಲೇಪಿಸပြီးနောက် အပူပေးပြီးနောက် Cu အလွှာကို CMP ဖြင့် ဖယ်ရှားသည်။ နောက်ဆုံးတွင် RDL ပြန်လည်ဝါယာကြိုးအလွှာကို PVD အုပ်ခြင်း လစ်သိုဂရပ်ဖီဖြင့် ပြင်ဆင်ပြီး ကော်ကို ဖယ်ရှားပြီးနောက် ပတ်စ်ဗီးရှင်းအလွှာကို ဖွဲ့စည်းသည်။
(က) wafer ပြင်ဆင်ခြင်း၊ (ခ) TGV ဖွဲ့စည်းခြင်း၊ (ဂ) နှစ်ဖက်သုံး electroplating – ကြေးနီအနည်ကျခြင်း၊ (ဃ) အပူပေးခြင်းနှင့် CMP ဓာတု-စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ඔප දැමීම၊ မျက်နှာပြင်ကြေးနီအလွှာကို ဖယ်ရှားခြင်း၊ (င) PVD အုပ်ခြင်းနှင့် လစ်သရိုဂရပ်ဖီ၊ (စ) RDL ပြန်လည်ဝါယာကြိုးချိတ်သည့်အလွှာကို နေရာချခြင်း၊ (ဆ) ကော်ဖယ်ရှားခြင်းနှင့် Cu/Ti ထွင်းခြင်း၊ (ဇ) passivation အလွှာဖွဲ့စည်းခြင်း။
အကျဥ်းရုံးသည်,မှန်ပေါက်ဖောက်စက် (TGV)အသုံးချမှုအလားအလာများသည် ကျယ်ပြန့်ပြီး လက်ရှိပြည်တွင်းဈေးကွက်သည် စက်ပစ္စည်းမှ ထုတ်ကုန်ဒီဇိုင်းအထိ နှင့် သုတေသနနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုတိုးတက်မှုနှုန်းသည် ကမ္ဘာ့ပျမ်းမျှထက် ပိုမိုမြင့်မားသော တိုးတက်မှုနှုန်းတွင် ရှိနေသည်။
ချိုးဖောက်မှုရှိပါက ဖျက်ပစ်ရန် ဆက်သွယ်ပါ
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၄ ခုနှစ်၊ ဇူလိုင်လ ၁၆ ရက်