၃ လက်မ အချင်း ၇၆.၂ မီလီမီတာ SiC အောက်ခံများ HPSI Prime သုတေသနနှင့် Dummy အဆင့်

လျှပ်ကူးပစ္စည်းအောက်ခံ- 15~30mΩ-cm ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အောက်ခံ၏ ခုခံမှုကို ရည်ညွှန်းသည်။ လျှပ်ကူးပစ္စည်းဆီလီကွန်ကာဗိုက်အောက်ခံမှ ပေါက်ဖွားလာသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက် epitaxial wafer ကို စွမ်းအင်သုံး မော်တော်ယာဉ်များ၊ photovoltaic များ၊ smart grid များနှင့် ရထားပို့ဆောင်ရေးတို့တွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် အသုံးပြုသည့် ပါဝါကိရိယာများအဖြစ် ထပ်မံပြုလုပ်နိုင်သည်။

တစ်ဝက်လျှပ်ကာအလွှာဆိုသည်မှာ 100000Ω-cm ထက်မြင့်သော ခုခံမှုရှိသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာကို ရည်ညွှန်းပြီး ဂယ်လီယမ်နိုက်ထရိုက် မိုက်ခရိုဝေ့ဖ် ရေဒီယိုကြိမ်နှုန်းကိရိယာများ ထုတ်လုပ်ရာတွင် အဓိကအသုံးပြုပြီး ကြိုးမဲ့ဆက်သွယ်ရေးနယ်ပယ်၏ အခြေခံဖြစ်သည်။

၎င်းသည် ကြိုးမဲ့ဆက်သွယ်ရေးနယ်ပယ်တွင် အခြေခံအစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။

ဆီလီကွန်ကာဗိုက် လျှပ်ကူးနိုင်သောနှင့် တစ်ဝက်လျှပ်ကာအောက်ခံများကို အောက်ပါတို့အပါအဝင် အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများနှင့် ပါဝါပစ္စည်းများ ကျယ်ပြန့်စွာတွင် အသုံးပြုကြသည်-

ပါဝါမြင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများ (လျှပ်ကူးပစ္စည်း): ဆီလီကွန်ကာဗိုက် အောက်ခံများသည် မြင့်မားသော ပြိုကွဲမှုစက်ကွင်းအစွမ်းနှင့် အပူလျှပ်ကူးပစ္စည်းများရှိပြီး ပါဝါမြင့် ပါဝါထရန်စစ္စတာများ၊ ဒိုင်အိုဒ်များနှင့် အခြားစက်ပစ္စည်းများ ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် သင့်လျော်ပါသည်။

RF အီလက်ထရွန်းနစ် ကိရိယာများ (တစ်ပိုင်းလျှပ်ကာ): ဆီလီကွန်ကာဗိုက် အောက်ခံများသည် မြင့်မားသော ပြောင်းလဲခြင်းအမြန်နှုန်းနှင့် ပါဝါခံနိုင်ရည်ရှိပြီး RF ပါဝါချဲ့စက်များ၊ မိုက်ခရိုဝေ့ဖ် ကိရိယာများနှင့် မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းခလုတ်များကဲ့သို့သော အသုံးချမှုများအတွက် သင့်လျော်ပါသည်။

အော့ပတိုအီလက်ထရွန်းနစ် ကိရိယာများ (တစ်ပိုင်းလျှပ်ကာ): ဆီလီကွန်ကာဗိုက် အောက်ခံများသည် ကျယ်ပြန့်သော စွမ်းအင်ကွာဟချက်နှင့် မြင့်မားသော အပူတည်ငြိမ်မှုရှိပြီး ဖိုတိုဒိုင်အိုဒ်များ၊ ဆိုလာဆဲလ်များနှင့် လေဆာဒိုင်အိုဒ်များနှင့် အခြားကိရိယာများ ပြုလုပ်ရန်အတွက် သင့်လျော်ပါသည်။

အပူချိန် အာရုံခံကိရိယာများ (လျှပ်ကူးပစ္စည်း): ဆီလီကွန်ကာဗိုက် အောက်ခံများသည် မြင့်မားသော အပူလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းနှင့် အပူချိန်တည်ငြိမ်မှုရှိပြီး အပူချိန်မြင့် အာရုံခံကိရိယာများနှင့် အပူချိန်တိုင်းတာသည့်ကိရိယာများ ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် သင့်လျော်ပါသည်။

ဆီလီကွန်ကာဗိုက် လျှပ်ကူးနိုင်သောနှင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကာအောက်ခံများ ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်နှင့် အသုံးချမှုသည် ကျယ်ပြန့်သောနယ်ပယ်များနှင့် အလားအလာများရှိပြီး အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများနှင့် ပါဝါပစ္စည်းများ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးအတွက် ဖြစ်နိုင်ခြေအသစ်များကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။