4H-N/6H-N SiC Wafer သုတေသနထုတ်လုပ်မှု Dummy grade Dia150mm Silicon carbide substrate

အကျဉ်းချုပ်ဖော်ပြချက်:

ကျွန်ုပ်တို့သည် အပူချိန်မြင့် superconducting thin film substrate၊ magnetic thin films နှင့် ferroelectric thin film substrate၊ semiconductor crystal၊ optical crystal၊ laser crystal ပစ္စည်းများ၊ တစ်ချိန်တည်းမှာပင် orientation၊ crystal cutting၊ grinding၊ polishing နှင့် အခြား processing ဝန်ဆောင်မှုများကို ပေးဆောင်နိုင်ပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ SiC substrates များသည် တရုတ်နိုင်ငံရှိ Tankeblue စက်ရုံမှ လာပါသည်။


အင်္ဂါရပ်များ

၆ လက်မ အချင်းရှိသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) အောက်ခံ သတ်မှတ်ချက်

အဆင့်

MPD သုည

ထုတ်လုပ်မှု

သုတေသနအဆင့်

အတုအယောင်အဆင့်

အချင်း

၁၅၀.၀ မီလီမီတာ ± ၀.၂၅ မီလီမီတာ

အထူ

၄H-N

၃၅၀um ± ၂၅um

4H-SI

၅၀၀ အမ် ± ၂၅ အမ်

ဝေဖာ ဦးတည်ချက်

ဝင်ရိုးပေါ်တွင် : 4H-SI အတွက် <0001> ±0.5°
ဝင်ရိုးပြင်ပ: 4H-N အတွက် 4.0° ဘက်သို့ <1120> ±0.5°

မူလတန်းတိုက်ခန်း

{၁၀-၁၀}±၅.၀°

အဓိကပြားချပ်အရှည်

၄၇.၅ မီလီမီတာ ± ၂.၅ မီလီမီတာ

အနားသတ် ဖယ်ထုတ်ခြင်း

၃ မီလီမီတာ

TTV/Bow/Warp

≤15um/≤40um/≤60um

မိုက်ခရိုပိုက် သိပ်သည်းဆ

≤1cm-2

≤၅စင်တီမီတာ-၂

≤၁၅ စင်တီမီတာ-၂

≤50cm-2

ခုခံမှု 4H-N 4H-SI

၀.၀၁၅~၀.၀၂၈Ω!စင်တီမီတာ

≥1E5Ω!စင်တီမီတာ

ကြမ်းတမ်းမှု

ပိုလန် Ra ≤1nm CMP Ra≤0.5nm

#ပြင်းအားမြင့် အလင်းရောင်ကြောင့် အက်ကွဲကြောင်းများ

မရှိပါ

၁ ခွင့်ပြုထားသည်၊ ≤၂ မီလီမီတာ

စုစုပေါင်းအရှည် ≤10mm၊ တစ်ခုတည်းသောအရှည် ≤2mm

* မြင့်မားသော ပြင်းထန်မှုရှိသော အလင်းရောင်ဖြင့် Hex ပြားများ

စုစုပေါင်းဧရိယာ ≤1%

စုစုပေါင်းဧရိယာ ≤ ၂%

စုစုပေါင်းဧရိယာ ≤ ၅%

*မြင့်မားသော ပြင်းထန်မှုရှိသော အလင်းရောင်ဖြင့် Polytype ဧရိယာများ

မရှိပါ

စုစုပေါင်းဧရိယာ ≤ ၂%

စုစုပေါင်းဧရိယာ ≤ ၅%

*&ပြင်းထန်သောအလင်းရောင်ဖြင့် ခြစ်ရာများ

1 x wafer အချင်း စုစုပေါင်းအရှည်အတွက် ခြစ်ရာ ၃ ခု

1 x wafer အချင်း စုစုပေါင်းအရှည်အတွက် ခြစ်ရာ ၅ ခု

1 x wafer အချင်း စုစုပေါင်းအရှည်အတွက် ခြစ်ရာ ၅ ခု

အနားသတ်ချစ်ပ်

မရှိပါ

၃ ခုခွင့်ပြုထားသည်၊ တစ်ခုလျှင် ≤၀.၅ မီလီမီတာ

၅ ခုခွင့်ပြုထားသည်၊ တစ်ခုလျှင် ၁ မီလီမီတာ ≤

မြင့်မားသောအလင်းဖြင့်ညစ်ညမ်းခြင်း

မရှိပါ

အရောင်းနှင့် ဖောက်သည်ဝန်ဆောင်မှု

ပစ္စည်းဝယ်ယူခြင်း

ပစ္စည်းဝယ်ယူရေးဌာနသည် သင့်ထုတ်ကုန်ထုတ်လုပ်ရန် လိုအပ်သော ကုန်ကြမ်းအားလုံးကို စုဆောင်းရန် တာဝန်ရှိပါသည်။ ဓာတုဗေဒနှင့် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှုအပါအဝင် ထုတ်ကုန်နှင့် ပစ္စည်းအားလုံး၏ အပြီးအပိုင် ခြေရာခံနိုင်စွမ်းကို အမြဲရရှိနိုင်ပါသည်။

အရည်အသွေး

သင့်ထုတ်ကုန်များ ထုတ်လုပ်ခြင်း သို့မဟုတ် စက်ဖြင့်ပြုပြင်ခြင်းကာလအတွင်းနှင့် ပြီးနောက်တွင်၊ အရည်အသွေးထိန်းချုပ်ရေးဌာနသည် ပစ္စည်းများနှင့် ခံနိုင်ရည်အားလုံးသည် သင့်သတ်မှတ်ချက်နှင့် ကိုက်ညီခြင်း သို့မဟုတ် ကျော်လွန်ခြင်းရှိမရှိ သေချာစေရန် ပါဝင်ပတ်သက်ပါသည်။

ဝန်ဆောင်မှု

ကျွန်ုပ်တို့တွင် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းလုပ်ငန်းတွင် ၅ နှစ်ကျော် အတွေ့အကြုံရှိသော အရောင်းအင်ဂျင်နီယာဝန်ထမ်းများရှိခြင်းအတွက် ကျွန်ုပ်တို့ ဂုဏ်ယူဝမ်းမြောက်မိပါသည်။ ၎င်းတို့သည် နည်းပညာဆိုင်ရာမေးခွန်းများကို ဖြေဆိုရန်အပြင် သင့်လိုအပ်ချက်များအတွက် အချိန်နှင့်တပြေးညီ ဈေးနှုန်းများကို ပေးဆောင်ရန် လေ့ကျင့်သင်ကြားပေးထားပါသည်။

ပြဿနာတစ်စုံတစ်ရာရှိလာတိုင်း ကျွန်ုပ်တို့က သင့်ဘေးမှာရှိနေပြီး ၁၀ နာရီအတွင်း ဖြေရှင်းပေးပါတယ်။

အသေးစိတ်ပုံကြမ်း

ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အောက်ခံ (1)
ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အောက်ခံ (2)

  • ယခင်:
  • နောက်တစ်ခု:

  • သင့်စာကို ဤနေရာတွင် ရေးပြီး ကျွန်ုပ်တို့ထံ ပေးပို့ပါ။