၃ လက်မ သန့်စင်သော တစ်ဝက်လျှပ်ကာ (HPSI) SiC wafer 350um Dummy grade Prime grade
လျှောက်လွှာ
HPSI SiC wafers များသည် မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော အပလီကေးရှင်းအမျိုးမျိုးတွင် အသုံးပြုသည့် နောက်မျိုးဆက် ပါဝါစက်ပစ္စည်းများကို ဖြစ်ပေါ်စေရာတွင် အဓိကကျပါသည်။
ပါဝါပြောင်းလဲခြင်းစနစ်များ- SiC ဝေဖာများသည် လျှပ်စစ်ပတ်လမ်းများတွင် ထိရောက်သော ပါဝါပြောင်းလဲခြင်းအတွက် အရေးကြီးသော ပါဝါ MOSFETs၊ diodes နှင့် IGBTs ကဲ့သို့သော ပါဝါကိရိယာများအတွက် အဓိကပစ္စည်းအဖြစ် ဆောင်ရွက်ပါသည်။ ဤအစိတ်အပိုင်းများကို မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော ပါဝါထောက်ပံ့မှုများ၊ မော်တာဒရိုက်များနှင့် စက်မှုလုပ်ငန်းသုံး အင်ဗာတာများတွင် တွေ့ရှိနိုင်ပါသည်။
လျှပ်စစ်ယာဉ်များ (EVs):လျှပ်စစ်ယာဉ်များအတွက် တိုးပွားလာသော ဝယ်လိုအားသည် ပိုမိုထိရောက်သော ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများကို အသုံးပြုရန် လိုအပ်လာပြီး SiC wafer များသည် ဤအသွင်ပြောင်းလဲမှု၏ ရှေ့တန်းတွင် ရှိနေသည်။ EV ပါဝါရထားများတွင် ဤ wafer များသည် မြင့်မားသော စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် မြန်ဆန်သော ပြောင်းလဲနိုင်စွမ်းများကို ပေးစွမ်းပြီး အားသွင်းချိန်များ ပိုမိုမြန်ဆန်ခြင်း၊ အကွာအဝေးပိုမိုရှည်လျားခြင်းနှင့် ယာဉ်စွမ်းဆောင်ရည် ပိုမိုကောင်းမွန်လာခြင်းတို့ကို အထောက်အကူပြုပါသည်။
ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်နေရောင်ခြည်နှင့် လေစွမ်းအင်ကဲ့သို့သော ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်စနစ်များတွင် SiC ဝေဖာများကို ပိုမိုထိရောက်သော စွမ်းအင်စုပ်ယူမှုနှင့် ဖြန့်ဖြူးမှုကို ဖြစ်စေသည့် အင်ဗာတာများနှင့် ကွန်ဗာတာများတွင် အသုံးပြုကြသည်။ SiC ၏ အပူစီးကူးနိုင်စွမ်းမြင့်မားခြင်းနှင့် သာလွန်ကောင်းမွန်သော ပြိုကွဲဗို့အားသည် ဤစနစ်များသည် အလွန်အမင်းပတ်ဝန်းကျင်အခြေအနေများအောက်တွင်ပင် ယုံကြည်စိတ်ချစွာလည်ပတ်နိုင်စေရန် သေချာစေသည်။
စက်မှုလုပ်ငန်းအလိုအလျောက်စနစ်နှင့် ရိုဘော့တစ်ပညာ-စက်မှုလုပ်ငန်းသုံး အလိုအလျောက်စနစ်များနှင့် ရိုဘော့တစ်များတွင် မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများသည် လျင်မြန်စွာပြောင်းလဲနိုင်သော၊ ကြီးမားသော ပါဝါဝန်များကို ကိုင်တွယ်နိုင်သော နှင့် မြင့်မားသောဖိအားအောက်တွင် လည်ပတ်နိုင်သော စက်ပစ္စည်းများ လိုအပ်သည်။ SiC-အခြေခံ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများသည် ကြမ်းတမ်းသောလည်ပတ်မှုပတ်ဝန်းကျင်တွင်ပင် မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ကြံ့ခိုင်မှုကို ပေးစွမ်းခြင်းဖြင့် ဤလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးပါသည်။
ဆက်သွယ်ရေးစနစ်များ-မြင့်မားသောယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် ထိရောက်သောစွမ်းအင်ပြောင်းလဲမှုသည် အရေးကြီးသည့် ဆက်သွယ်ရေးအခြေခံအဆောက်အအုံများတွင် SiC ဝေဖာများကို ပါဝါထောက်ပံ့မှုများနှင့် DC-DC converters များတွင် အသုံးပြုကြသည်။ SiC ကိရိယာများသည် စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုကို လျှော့ချရန်နှင့် ဒေတာစင်တာများနှင့် ဆက်သွယ်ရေးကွန်ရက်များတွင် စနစ်စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ရန် ကူညီပေးသည်။
မြင့်မားသောပါဝါအသုံးချမှုများအတွက် ခိုင်မာသောအခြေခံအုတ်မြစ်ကို ပံ့ပိုးပေးခြင်းဖြင့် HPSI SiC wafer သည် စွမ်းအင်ထိရောက်သော စက်ပစ္စည်းများ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကို ဖြစ်စေပြီး စက်မှုလုပ်ငန်းများသည် ပိုမိုစိမ်းလန်းစိုပြည်ပြီး ပိုမိုရေရှည်တည်တံ့သော ဖြေရှင်းချက်များသို့ ကူးပြောင်းရန် ကူညီပေးပါသည်။
ဂုဏ်သတ္တိများ
| လည်ပတ်မှု | ထုတ်လုပ်မှုအဆင့် | သုတေသနအဆင့် | အတုအယောင်အဆင့် |
| အချင်း | ၇၅.၀ မီလီမီတာ ± ၀.၅ မီလီမီတာ | ၇၅.၀ မီလီမီတာ ± ၀.၅ မီလီမီတာ | ၇၅.၀ မီလီမီတာ ± ၀.၅ မီလီမီတာ |
| အထူ | ၃၅၀ မိုက်ခရိုမီတာ ± ၂၅ မိုက်ခရိုမီတာ | ၃၅၀ မိုက်ခရိုမီတာ ± ၂၅ မိုက်ခရိုမီတာ | ၃၅၀ မိုက်ခရိုမီတာ ± ၂၅ မိုက်ခရိုမီတာ |
| ဝေဖာ ဦးတည်ချက် | ဝင်ရိုးပေါ်တွင်: <0001> ± 0.5° | ဝင်ရိုးပေါ်တွင်: <0001> ± 2.0° | ဝင်ရိုးပေါ်တွင်: <0001> ± 2.0° |
| ဝေဖာ ၉၅% အတွက် မိုက်ခရိုပိုက် သိပ်သည်းဆ (MPD) | ≤ ၁ စင်တီမီတာ⁻² | ≤ ၅ စင်တီမီတာ⁻² | ≤ ၁၅ စင်တီမီတာ⁻² |
| လျှပ်စစ်ခုခံအား | ≥ 1E7 Ω·စင်တီမီတာ | ≥ 1E6 Ω·စင်တီမီတာ | ≥ 1E5 Ω·စင်တီမီတာ |
| ဆိုးဆေး | ဆေးမထည့်ထားသော | ဆေးမထည့်ထားသော | ဆေးမထည့်ထားသော |
| အဓိက ပြားချပ်ချပ် အနေအထား | {၁၁-၂၀} ± ၅.၀° | {၁၁-၂၀} ± ၅.၀° | {၁၁-၂၀} ± ၅.၀° |
| အဓိကပြားချပ်အရှည် | ၃၂.၅ မီလီမီတာ ± ၃.၀ မီလီမီတာ | ၃၂.၅ မီလီမီတာ ± ၃.၀ မီလီမီတာ | ၃၂.၅ မီလီမီတာ ± ၃.၀ မီလီမီတာ |
| ဒုတိယပြားချပ်အရှည် | ၁၈.၀ မီလီမီတာ ± ၂.၀ မီလီမီတာ | ၁၈.၀ မီလီမီတာ ± ၂.၀ မီလီမီတာ | ၁၈.၀ မီလီမီတာ ± ၂.၀ မီလီမီတာ |
| ဒုတိယပြားချပ်ချပ် ಒಟ್ಟಾರೆ | Si ကို အပေါ်ဘက်သို့ မျက်နှာမူထားသည်- မူလပြားချပ်ချပ်မှ 90° CW ± 5.0° | Si ကို အပေါ်ဘက်သို့ မျက်နှာမူထားသည်- မူလပြားချပ်ချပ်မှ 90° CW ± 5.0° | Si ကို အပေါ်ဘက်သို့ မျက်နှာမူထားသည်- မူလပြားချပ်ချပ်မှ 90° CW ± 5.0° |
| အနားသတ်ဖယ်ထုတ်ခြင်း | ၃ မီလီမီတာ | ၃ မီလီမီတာ | ၃ မီလီမီတာ |
| LTV/TTV/Bow/Warp | 3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm | 3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm | 5 µm / 15 µm / ± 40 µm / 45 µm |
| မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းမှု | C-မျက်နှာပြင်: ඔප දැමීම၊ Si-မျက်နှာပြင်: CMP | C-မျက်နှာပြင်: ඔප දැමීම၊ Si-မျက်နှာပြင်: CMP | C-မျက်နှာပြင်: ඔප දැමීම၊ Si-မျက်နှာပြင်: CMP |
| အက်ကွဲကြောင်းများ (ပြင်းအားမြင့်အလင်းဖြင့် စစ်ဆေးသည်) | မရှိပါ | မရှိပါ | မရှိပါ |
| Hex ပြားများ (ပြင်းအားမြင့်အလင်းဖြင့် စစ်ဆေးသည်) | မရှိပါ | မရှိပါ | စုစုပေါင်းဧရိယာ ၁၀% |
| Polytype ဧရိယာများ (မြင့်မားသော ပြင်းထန်မှုအလင်းဖြင့် စစ်ဆေးသည်) | စုစုပေါင်းဧရိယာ ၅% | စုစုပေါင်းဧရိယာ ၅% | စုစုပေါင်းဧရိယာ ၁၀% |
| ခြစ်ရာများ (ပြင်းအားမြင့်အလင်းဖြင့် စစ်ဆေးသည်) | ခြစ်ရာ ၅ ခု ≤၊ စုစုပေါင်းအရှည် ≤ ၁၅၀ မီလီမီတာ | ခြစ်ရာ ၁၀ ခု ≤၊ စုစုပေါင်းအရှည် ≤ ၂၀၀ မီလီမီတာ | ခြစ်ရာ ၁၀ ခု ≤၊ စုစုပေါင်းအရှည် ≤ ၂၀၀ မီလီမီတာ |
| အနားသတ် အက်ကွဲခြင်း | အကျယ်နှင့်အနက် ၀.၅ မီလီမီတာ ထက်ကျော်လွန်၍ ခွင့်မပြုပါ။ | ၂ ခွင့်ပြုထားသည်၊ အကျယ်နှင့် အနက် ≤ ၁ မီလီမီတာ | ၅ ခွင့်ပြုထားသည်၊ အကျယ်နှင့် အနက် ≤ ၅ မီလီမီတာ |
| မျက်နှာပြင်ညစ်ညမ်းမှု (ပြင်းအားမြင့်အလင်းဖြင့် စစ်ဆေးသည်) | မရှိပါ | မရှိပါ | မရှိပါ |
အဓိကအားသာချက်များ
သာလွန်ကောင်းမွန်သော အပူစွမ်းဆောင်ရည်- SiC ၏ မြင့်မားသော အပူစီးကူးနိုင်စွမ်းသည် ပါဝါစက်ပစ္စည်းများတွင် အပူထိရောက်စွာ ပျံ့နှံ့မှုကို သေချာစေပြီး အပူလွန်ကဲခြင်းမရှိဘဲ မြင့်မားသော ပါဝါအဆင့်များနှင့် ကြိမ်နှုန်းများတွင် လည်ပတ်နိုင်စေပါသည်။ ၎င်းသည် ပိုမိုသေးငယ်ပြီး ပိုမိုထိရောက်သော စနစ်များနှင့် လည်ပတ်မှုသက်တမ်း ပိုရှည်လာစေပါသည်။
မြင့်မားသော ပြိုကွဲဗို့အား- ဆီလီကွန်နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက bandgap ပိုမိုကျယ်ပြန့်သော SiC wafers များသည် မြင့်မားသော ဗို့အားအသုံးချမှုများကို ပံ့ပိုးပေးသောကြောင့် လျှပ်စစ်ယာဉ်များ၊ grid power systems များနှင့် ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်စနစ်များကဲ့သို့ မြင့်မားသော ပြိုကွဲဗို့အားကို ခံနိုင်ရည်ရှိရန် လိုအပ်သော power electronic components များအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်စေသည်။
ပါဝါဆုံးရှုံးမှု လျော့နည်းခြင်း- SiC စက်ပစ္စည်းများ၏ on-resistance နည်းပါးခြင်းနှင့် switching speed မြန်ဆန်ခြင်းကြောင့် လည်ပတ်နေစဉ်အတွင်း စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှု လျော့နည်းစေသည်။ ၎င်းသည် စွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုးတက်ကောင်းမွန်စေရုံသာမက ၎င်းတို့တပ်ဆင်ထားသော စနစ်များ၏ အလုံးစုံ စွမ်းအင်ချွေတာမှုကိုလည်း မြှင့်တင်ပေးပါသည်။
ကြမ်းတမ်းသောပတ်ဝန်းကျင်များတွင် ယုံကြည်စိတ်ချရမှု မြှင့်တင်ခြင်း- SiC ၏ ခိုင်မာသောပစ္စည်းဂုဏ်သတ္တိများသည် မြင့်မားသောအပူချိန် (600°C အထိ)၊ မြင့်မားသောဗို့အားများနှင့် မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းများကဲ့သို့သော အစွန်းရောက်အခြေအနေများတွင် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားစေပါသည်။ ၎င်းသည် SiC ဝေဖာများကို လိုအပ်ချက်များသော စက်မှုလုပ်ငန်း၊ မော်တော်ကားနှင့် စွမ်းအင်အသုံးချမှုများအတွက် သင့်လျော်စေသည်။
စွမ်းအင်ထိရောက်မှု- SiC စက်ပစ္စည်းများသည် ရိုးရာဆီလီကွန်အခြေခံ စက်ပစ္စည်းများထက် ပါဝါသိပ်သည်းဆပိုမိုမြင့်မားပြီး ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်စနစ်များ၏ အရွယ်အစားနှင့် အလေးချိန်ကို လျှော့ချပေးသည့်အပြင် ၎င်းတို့၏ အလုံးစုံစွမ်းဆောင်ရည်ကိုလည်း တိုးတက်ကောင်းမွန်စေပါသည်။ ၎င်းသည် ကုန်ကျစရိတ်သက်သာစေပြီး ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်နှင့် လျှပ်စစ်ယာဉ်များကဲ့သို့သော အသုံးချမှုများတွင် ပတ်ဝန်းကျင်ဆိုင်ရာခြေရာကို သေးငယ်စေသည်။
တိုးချဲ့နိုင်မှု- HPSI SiC wafer ၏ ၃ လက်မ အချင်းနှင့် တိကျသော ထုတ်လုပ်မှု သည်းခံနိုင်မှုများက သုတေသနနှင့် စီးပွားဖြစ် ထုတ်လုပ်မှု လိုအပ်ချက် နှစ်ခုလုံးနှင့် ကိုက်ညီစေရန် အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှုအတွက် တိုးချဲ့နိုင်ကြောင်း သေချာစေသည်။
နိဂုံးချုပ်
အချင်း ၃ လက်မနှင့် အထူ ၃၅၀ µm ± ၂၅ µm ရှိသော HPSI SiC wafer သည် နောက်မျိုးဆက် မြင့်မားသော စွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော power electronic devices များအတွက် အကောင်းဆုံးပစ္စည်းဖြစ်သည်။ ၎င်း၏ ထူးခြားသော အပူစီးကူးနိုင်စွမ်း၊ မြင့်မားသော breakdown voltage၊ စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးခြင်းနှင့် အလွန်အမင်းအခြေအနေများအောက်တွင် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုတို့၏ ပေါင်းစပ်မှုကြောင့် power conversion၊ ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်၊ လျှပ်စစ်ယာဉ်များ၊ စက်မှုစနစ်များနှင့် ဆက်သွယ်ရေးတို့တွင် အသုံးချမှုအမျိုးမျိုးအတွက် မရှိမဖြစ်လိုအပ်သော အစိတ်အပိုင်းတစ်ခု ဖြစ်စေသည်။
ဤ SiC wafer သည် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားခြင်း၊ စွမ်းအင်ချွေတာခြင်းနှင့် စနစ်ယုံကြည်စိတ်ချရမှု ပိုမိုကောင်းမွန်လာစေရန် ရှာဖွေနေသော စက်မှုလုပ်ငန်းများအတွက် အထူးသင့်လျော်ပါသည်။ ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်နည်းပညာ ဆက်လက်တိုးတက်ပြောင်းလဲလာသည်နှင့်အမျှ HPSI SiC wafer သည် နောက်မျိုးဆက်၊ စွမ်းအင်ထိရောက်သော ဖြေရှင်းချက်များ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးအတွက် အခြေခံအုတ်မြစ်ကို ပံ့ပိုးပေးပြီး ပိုမိုရေရှည်တည်တံ့ပြီး ကာဗွန်ထုတ်လွှတ်မှုနည်းသော အနာဂတ်သို့ ကူးပြောင်းရန် မောင်းနှင်ပါသည်။
အသေးစိတ်ပုံကြမ်း
