၁၂ လက်မ SiC အောက်ခံ၊ အချင်း ၃၀၀ မီလီမီတာ၊ အထူ ၇၅၀ μm၊ 4H-N အမျိုးအစားကို စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်ပါသည်။

၁၂ လက်မ SiC အောက်ခံ၊ အချင်း ၃၀၀ မီလီမီတာ၊ အထူ ၇၅၀ μm၊ 4H-N အမျိုးအစားကို စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်သည်၊ ထူးခြားသောပုံ

အကျဉ်းချုပ်ဖော်ပြချက်:

ပိုမိုထိရောက်ပြီး ကျစ်လစ်သော ဖြေရှင်းချက်များဆီသို့ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းလုပ်ငန်း၏ အသွင်ကူးပြောင်းမှုတွင် အရေးကြီးသောအချက်တစ်ခုမှာ ၁၂ လက်မ SiC အောက်ခံ (၁၂ လက်မ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် အောက်ခံ) ပေါ်ပေါက်လာခြင်းသည် ရှုခင်းကို အခြေခံအားဖြင့် ပြောင်းလဲစေခဲ့သည်။ ရိုးရာ ၆ လက်မနှင့် ၈ လက်မ သတ်မှတ်ချက်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ၁၂ လက်မ အောက်ခံ၏ အရွယ်အစားကြီးမားသော အားသာချက်သည် wafer တစ်ခုလျှင် ထုတ်လုပ်သော ချစ်ပ်အရေအတွက်ကို လေးဆကျော် တိုးစေသည်။ ထို့အပြင် ၁၂ လက်မ SiC အောက်ခံ၏ ယူနစ်ကုန်ကျစရိတ်ကို ရိုးရာ ၈ လက်မ အောက်ခံများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ၃၅-၄၀% လျှော့ချပေးပြီး ၎င်းသည် နောက်ဆုံးထုတ်ကုန်များကို ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် လက်ခံအသုံးပြုရန် အရေးကြီးပါသည်။
ကျွန်ုပ်တို့၏ မူပိုင် vapor transport growth နည်းပညာကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့် ၁၂ လက်မ ပုံဆောင်ခဲများတွင် dislocation density ကို လုပ်ငန်းနယ်ပယ်တွင် ဦးဆောင်ထိန်းချုပ်နိုင်ခဲ့ပြီး နောက်ဆက်တွဲ စက်ပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုအတွက် ထူးခြားသော ပစ္စည်းအခြေခံကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ ဤတိုးတက်မှုသည် လက်ရှိကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ ချစ်ပ်ရှားပါးမှုကြားတွင် အထူးအရေးပါပါသည်။

နေ့စဉ်အသုံးချမှုများတွင် အဓိကပါဝါကိရိယာများ—ဥပမာ EV အမြန်အားသွင်းစခန်းများနှင့် 5G အခြေစိုက်စခန်းများ—သည် ဤအရွယ်အစားကြီးမားသော အောက်ခံကို ပိုမိုအသုံးပြုလာကြသည်။ အထူးသဖြင့် အပူချိန်မြင့်မားခြင်း၊ ဗို့အားမြင့်မားခြင်းနှင့် အခြားပြင်းထန်သော လည်ပတ်မှုပတ်ဝန်းကျင်များတွင် ၁၂ လက်မ SiC အောက်ခံသည် ဆီလီကွန်အခြေခံပစ္စည်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက များစွာသာလွန်ကောင်းမွန်သော တည်ငြိမ်မှုကို ပြသသည်။

ကျွန်ုပ်တို့ထံ အီးမေးလ်ပို့ပါ

အင်္ဂါရပ်များ

နည်းပညာဆိုင်ရာ ကန့်သတ်ချက်များ

၁၂ လက်မ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) အလွှာ သတ်မှတ်ချက်
အဆင့်		ZeroMPD ထုတ်လုပ်မှု အဆင့် (Z အဆင့်)	စံထုတ်လုပ်မှု အဆင့် (P အဆင့်)		အတုအယောင်အဆင့် (ဃ တန်း)
အချင်း		၃ ၀ ၀ မီလီမီတာ ~ ၁၃၀၅ မီလီမီတာ
အထူ	၄H-N	၇၅၀ မိုက်ခရိုမီတာ ± ၁၅ မိုက်ခရိုမီတာ	၇၅၀ မိုက်ခရိုမီတာ ± ၂၅ မိုက်ခရိုမီတာ
	4H-SI	၇၅၀ မိုက်ခရိုမီတာ ± ၁၅ မိုက်ခရိုမီတာ	၇၅၀ မိုက်ခရိုမီတာ ± ၂၅ မိုက်ခရိုမီတာ
ဝေဖာ ဦးတည်ချက်		ဝင်ရိုးပြင်ပ: 4H-N အတွက် <1120 >±0.5° ဘက်သို့ 4.0°၊ ဝင်ရိုးပေါ်တွင်: 4H-SI အတွက် <0001>±0.5°
မိုက်ခရိုပိုက် သိပ်သည်းဆ	၄H-N	≤၀.၄ စင်တီမီတာ-၂	≤၄စင်တီမီတာ-၂		≤၂၅ စင်တီမီတာ-၂
	4H-SI	≤၅စင်တီမီတာ-၂	≤၁၀ စင်တီမီတာ-၂		≤၂၅ စင်တီမီတာ-၂
ခုခံအား	၄H-N	၀.၀၁၅~၀.၀၂၄ အိုမီဂါ·စင်တီမီတာ			၀.၀၁၅~၀.၀၂၈ အိုမီဂါ·စင်တီမီတာ
	4H-SI	≥1E10 Ω·စင်တီမီတာ			≥1E5 Ω·စင်တီမီတာ
အဓိက ပြားချပ်ချပ် အနေအထား		{၁၀-၁၀} ±၅.၀°
အဓိကပြားချပ်အရှည်	၄H-N	မရှိပါ
	4H-SI	အပေါက်
အနားသတ်ဖယ်ထုတ်ခြင်း		၃ မီလီမီတာ
LTV/TTV/Bow /Warp		≤5μm/≤15μm/≤35 μm/≤55 μm			≤5μm/≤15μm/≤35 □ μm/≤55 □ μm
ကြမ်းတမ်းမှု		ပိုလန် Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0.2 nm			Ra≤0.5 nm
မြင့်မားသော အလင်းကြောင့် အနားစွန်း အက်ကွဲကြောင်းများ မြင့်မားသောပြင်းထန်မှုအလင်းဖြင့် Hex ပြားများ မြင့်မားသော ပြင်းထန်မှုရှိသော အလင်းရောင်ဖြင့် Polytype ဧရိယာများ မြင်သာသော ကာဗွန် ပါဝင်မှုများ မြင့်မားသော အလင်းကြောင့် ဆီလီကွန် မျက်နှာပြင် ခြစ်ရာများ		မရှိပါ စုစုပေါင်းဧရိယာ ≤0.05% မရှိပါ စုစုပေါင်းဧရိယာ ≤0.05% မရှိပါ			စုစုပေါင်းအရှည် ≤ ၂၀ မီလီမီတာ၊ တစ်ခုတည်းသောအရှည် ≤၂ မီလီမီတာ စုစုပေါင်းဧရိယာ ≤0.1% စုစုပေါင်းဧရိယာ ≤3% စုစုပေါင်းဧရိယာ ≤3% စုစုပေါင်းအရှည် ≤1 × ဝေဖာအချင်း
မြင့်မားသော ပြင်းထန်မှုရှိသော အလင်းရောင်ဖြင့် အနားသတ်ချစ်ပ်များ		အကျယ်နှင့်အနက် ≥၀.၂ မီလီမီတာ ခွင့်မပြုပါ။			၇ ခု ခွင့်ပြုထားသည်၊ တစ်ခုလျှင် ≤၁ မီလီမီတာ
(TSD) ချည်မျှင် ဝက်အူ ရွေ့လျားမှု		≤၅၀၀ စင်တီမီတာ-၂		မရှိပါ
(BPD) အခြေစိုက်ပြား ရွေ့လျားမှု		≤၁၀၀၀ စင်တီမီတာ-၂		မရှိပါ
မြင့်မားသော ပြင်းထန်သော အလင်းရောင်ကြောင့် ဆီလီကွန် မျက်နှာပြင် ညစ်ညမ်းခြင်း		မရှိပါ
ထုပ်ပိုးခြင်း		ဝဖာများစွာပါဝင်သော ကက်ဆက် သို့မဟုတ် ဝဖာကွန်တိန်နာတစ်ခုတည်း
မှတ်စုများ-
၁။ ချို့ယွင်းချက်ကန့်သတ်ချက်များသည် အနားဖယ်ထုတ်ဧရိယာမှလွဲ၍ ဝေဖာမျက်နှာပြင်တစ်ခုလုံးနှင့် သက်ဆိုင်သည်။ ၂။ ခြစ်ရာများကို Si မျက်နှာပြင်တွင်သာ စစ်ဆေးသင့်သည်။ ၃။ dislocation data သည် KOH etched wafers များမှသာ ရရှိသည်။

အဓိကအင်္ဂါရပ်များ

၁။ ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်နှင့် ကုန်ကျစရိတ်အားသာချက်များ- ၁၂ လက်မ SiC အောက်ခံ (၁၂ လက်မ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် အောက်ခံ) ကို အစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်မှုသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုတ်လုပ်မှုတွင် ခေတ်သစ်တစ်ခုကို အမှတ်အသားပြုသည်။ တစ်ခုတည်းသော wafer မှရရှိနိုင်သော ချစ်ပ်အရေအတွက်သည် ၈ လက်မ အောက်ခံများထက် ၂.၂၅ ဆ ရှိပြီး ထုတ်လုပ်မှုထိရောက်မှုကို တိုက်ရိုက်မြှင့်တင်ပေးပါသည်။ ၁၂ လက်မ အောက်ခံများကို အသုံးပြုခြင်းသည် ၎င်းတို့၏ ပါဝါမော်ဂျူးထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်ကို ၂၈% လျှော့ချပေးခဲ့ပြီး ပြင်းထန်သော ယှဉ်ပြိုင်မှုစျေးကွက်တွင် အဆုံးအဖြတ်ပေးသော ယှဉ်ပြိုင်မှုအားသာချက်ကို ဖန်တီးပေးပါသည်။
၂။ ထူးချွန်သော ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများ- ၁၂ လက်မ SiC အောက်ခံသည် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ပစ္စည်း၏ အားသာချက်အားလုံးကို အမွေဆက်ခံထားသည် - ၎င်း၏ အပူစီးကူးနိုင်စွမ်းသည် ဆီလီကွန်ထက် ၃ ဆ ရှိပြီး ၎င်း၏ ပြိုကွဲနိုင်သော စက်ကွင်းအစွမ်းသတ္တိသည် ဆီလီကွန်ထက် ၁၀ ဆ ရှိသည်။ ဤဝိသေသလက္ခဏာများသည် ၁၂ လက်မ အောက်ခံများပေါ်တွင် အခြေခံထားသော စက်ပစ္စည်းများကို ၂၀၀ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်ထက် ကျော်လွန်သော အပူချိန်မြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်တွင် တည်ငြိမ်စွာလည်ပတ်နိုင်စေပြီး လျှပ်စစ်ယာဉ်များကဲ့သို့သော လိုအပ်ချက်များသော အသုံးချမှုများအတွက် အထူးသင့်လျော်စေသည်။
၃။ မျက်နှာပြင်ပြုပြင်ခြင်းနည်းပညာ- ကျွန်ုပ်တို့သည် ၁၂ လက်မ SiC အောက်ခံများအတွက် သီးသန့်ပြုလုပ်ထားသော ထူးခြားသည့် ဓာတုဗေဒစက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ඔප දැමීම (CMP) လုပ်ငန်းစဉ်အသစ်ကို တီထွင်ခဲ့ပြီး အက်တမ်အဆင့် မျက်နှာပြင်ပြားချပ်မှု (Ra<0.15nm) ကို ရရှိစေပါသည်။ ဤတိုးတက်မှုသည် ကမ္ဘာတစ်ဝှမ်းရှိ အချင်းကြီးသော ဆီလီကွန်ကာဗိုက် ဝေဖာ မျက်နှာပြင်ပြုပြင်ခြင်းဆိုင်ရာ စိန်ခေါ်မှုကို ဖြေရှင်းပေးပြီး အရည်အသွေးမြင့် epitaxial ကြီးထွားမှုအတွက် အတားအဆီးများကို ရှင်းလင်းပေးပါသည်။
၄။ အပူစီမံခန့်ခွဲမှုစွမ်းဆောင်ရည်- လက်တွေ့အသုံးချမှုများတွင် ၁၂ လက်မ SiC အောက်ခံများသည် ထူးခြားသော အပူပျံ့နှံ့နိုင်စွမ်းကို ပြသသည်။ စမ်းသပ်မှုဒေတာများအရ ပါဝါသိပ်သည်းဆတူညီမှုအောက်တွင် ၁၂ လက်မ အောက်ခံများကိုအသုံးပြုသော စက်ပစ္စည်းများသည် ဆီလီကွန်အခြေခံ စက်ပစ္စည်းများထက် ၄၀-၅၀ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် အပူချိန်တွင် လည်ပတ်ပြီး စက်ပစ္စည်းဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို သိသိသာသာ တိုးချဲ့ပေးသည်။

အဓိကအသုံးချမှုများ

၁။ စွမ်းအင်ယာဉ်ဂေဟစနစ်အသစ်- ၁၂ လက်မ SiC အောက်ခံ (၁၂ လက်မ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် အောက်ခံ) သည် လျှပ်စစ်ယာဉ် ပါဝါထရိန်ဗိသုကာကို တော်လှန်ပြောင်းလဲနေပါသည်။ onboard chargers (OBC) မှ main drive inverters နှင့် battery management systems အထိ၊ ၁၂ လက်မ အောက်ခံများမှ ယူဆောင်လာသော စွမ်းဆောင်ရည် တိုးတက်မှုများသည် ယာဉ်မောင်းနှင်နိုင်သည့် အကွာအဝေးကို ၅-၈% အထိ တိုးမြှင့်ပေးပါသည်။ ဦးဆောင်ကားထုတ်လုပ်သူတစ်ဦးထံမှ အစီရင်ခံစာများအရ ကျွန်ုပ်တို့၏ ၁၂ လက်မ အောက်ခံများကို အသုံးပြုခြင်းသည် ၎င်းတို့၏ အမြန်အားသွင်းစနစ်တွင် စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုကို ၆၂% အထိ လျှော့ချပေးကြောင်း ဖော်ပြသည်။
၂။ ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်ကဏ္ဍ- နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံး ဓာတ်အားပေးစက်ရုံများတွင် ၁၂ လက်မ SiC အောက်ခံများပေါ်တွင် အခြေခံထားသော အင်ဗာတာများသည် သေးငယ်သောပုံစံများပါရှိရုံသာမက ၉၉% ထက်ပိုသော ပြောင်းလဲမှုစွမ်းဆောင်ရည်ကိုလည်း ရရှိစေသည်။ အထူးသဖြင့် ဖြန့်ဝေထုတ်လုပ်သည့် အခြေအနေများတွင် ဤမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်သည် အော်ပရေတာများအတွက် လျှပ်စစ်ဓာတ်အားဆုံးရှုံးမှုများတွင် နှစ်စဉ်ယွမ် သိန်းနှင့်ချီ၍ ချွေတာနိုင်စေသည်။
၃။ စက်မှုလုပ်ငန်း အလိုအလျောက်လုပ်ဆောင်ခြင်း- ၁၂ လက်မ အလွှာများကို အသုံးပြုသော ကြိမ်နှုန်းပြောင်းစက်များသည် စက်မှုလုပ်ငန်းသုံး ရိုဘော့များ၊ CNC စက်ကိရိယာများနှင့် အခြားပစ္စည်းများတွင် အလွန်ကောင်းမွန်သော စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပြသသည်။ ၎င်းတို့၏ မြင့်မားသော ကြိမ်နှုန်းပြောင်းလဲခြင်း ဝိသေသလက္ခဏာများသည် မော်တာတုံ့ပြန်မှုအမြန်နှုန်းကို ၃၀% တိုးတက်စေပြီး ရိုးရာဖြေရှင်းချက်များ၏ သုံးပုံတစ်ပုံအထိ လျှပ်စစ်သံလိုက်ဝင်ရောက်စွက်ဖက်မှုကို လျှော့ချပေးသည်။
၄။ စားသုံးသူအီလက်ထရွန်းနစ်ဆန်းသစ်တီထွင်မှု- နောက်မျိုးဆက်စမတ်ဖုန်းအမြန်အားသွင်းနည်းပညာများသည် ၁၂ လက်မ SiC အောက်ခံများကို စတင်အသုံးပြုလာကြသည်။ 65W အထက် အမြန်အားသွင်းထုတ်ကုန်များသည် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်ဖြေရှင်းချက်များသို့ အပြည့်အဝကူးပြောင်းသွားမည်ဟု ခန့်မှန်းထားပြီး ၁၂ လက်မအောက်ခံများသည် အကောင်းဆုံးကုန်ကျစရိတ်-စွမ်းဆောင်ရည်ရွေးချယ်မှုအဖြစ် ပေါ်ထွက်လာသည်။

၁၂ လက်မ SiC အလွှာအတွက် XKH စိတ်ကြိုက်ဝန်ဆောင်မှုများ

၁၂ လက်မ SiC အောက်ခံများ (၁၂ လက်မ ဆီလီကွန်ကာဗိုက် အောက်ခံများ) အတွက် သီးခြားလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းရန်အတွက် XKH သည် ပြည့်စုံသော ဝန်ဆောင်မှုပံ့ပိုးမှုကို ပေးဆောင်သည်-
၁။ အထူစိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်ခြင်း-
ကျွန်ုပ်တို့သည် အသုံးချမှု လိုအပ်ချက်အမျိုးမျိုးကို ဖြည့်ဆည်းရန်အတွက် 725μm အပါအဝင် အထူသတ်မှတ်ချက်အမျိုးမျိုးဖြင့် ၁၂ လက်မ အလွှာများကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။
၂။ ဒိုပင်းအာနိသင်
ကျွန်ုပ်တို့၏ ထုတ်လုပ်မှုသည် n-type နှင့် p-type substrates အပါအဝင် လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းအမျိုးအစားများစွာကို ပံ့ပိုးပေးပြီး 0.01-0.02Ω·cm အတိုင်းအတာအတွင်း တိကျသော ခုခံမှုထိန်းချုပ်မှုကို ပေးစွမ်းသည်။
၃။ စမ်းသပ်ခြင်းဝန်ဆောင်မှုများ
ပြီးပြည့်စုံသော wafer-level စမ်းသပ်ကိရိယာများဖြင့် ကျွန်ုပ်တို့သည် စစ်ဆေးမှုအစီရင်ခံစာအပြည့်အစုံကို ပေးပါသည်။
XKH သည် ဖောက်သည်တိုင်းတွင် ၁၂ လက်မ SiC အောက်ခံများအတွက် ထူးခြားသော လိုအပ်ချက်များရှိကြောင်း နားလည်ပါသည်။ ထို့ကြောင့် ကျွန်ုပ်တို့သည် အောက်ပါတို့အတွက် အပြိုင်အဆိုင်အရှိဆုံး ဖြေရှင်းချက်များကို ပေးဆောင်ရန် ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ရှိသော စီးပွားရေးပူးပေါင်းဆောင်ရွက်မှုပုံစံများကို ပေးဆောင်ပါသည်-
· သုတေသနနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေး နမူနာများ
· ပမာဏများများ ထုတ်လုပ်ဝယ်ယူမှုများ
ကျွန်ုပ်တို့၏ စိတ်ကြိုက်ဝန်ဆောင်မှုများသည် ၁၂ လက်မ SiC အောက်ခံများအတွက် သင်၏ သီးခြားနည်းပညာနှင့် ထုတ်လုပ်မှုလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်ကြောင်း သေချာစေသည်။